SU363194A1

SU363194A1 - ALL-UNION PLTgeT1Sh-TGSh: ^; E; l? =

Info

Publication number: SU363194A1
Application number: SU1626195A
Authority: SU
Inventors: Г. И. Готлиб В. Я. Загурский Институт электроники вычислительной техники Латвийской ССР Ю. Н. Артюх
Priority date: 1971-02-08
Filing date: 1971-02-08
Publication date: 1972-12-30

Description

Изобретение относитс к области импульсной техники и может быть использовано, например, дл согласовани задержек в цеп х быстродействующих устройств автоматики, дл формировани импульсов заданной длительности, дл моделировани задержек сигнала в устройствах вычислительной техники.The invention relates to the field of impulse technology and can be used, for example, to match delays in high-speed automatic devices, to generate pulses of a given duration, to simulate signal delays in computing devices.

Известно устройство задержки импульсов, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельным диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диодную чейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора .It is known a pulse delay device containing a relaxor on a transistor with a tunnel diode in the emitter circuit and a bistable tunnel-diode cell with a reset transistor, the base of which is connected to the emitter of a relaxor transistor through a resistor.

Однако такое устройство, характеризующеес высокой стабильностью и малым временем восстановлени , не обеспечивает возможности регулировани времени задержки выходных импульсов относительно входных.However, such a device, which is characterized by high stability and low recovery time, does not provide the ability to control the delay time of the output pulses relative to the input pulses.

Цель изобретени - регулирование интервалов задержки в щироких .пределах.The purpose of the invention is to regulate the delay intervals within wide limits.

Она достигаетс тем, что между базой транзистора релаксатора, подсоединенной через переменный резистор к источнику напр жени коллекторного питани , и выходом бистабильной туннельно-диодной чейки введен разделительный лолуп.роводниковый диод.It is achieved by the fact that between the base of the relaxor transistor connected via a variable resistor to the voltage source of the collector power supply, and the output of the bistable tunnel-diode cell, a separating lolup conductor diode is introduced.

На чертеже изображена принципиальна схема предлагаемого устройства.The drawing shows a schematic diagram of the proposed device.

Оно содержит релаксатор на транзисторе / It contains a transistor relaxer /

с туннельным диодом 2 в эмнттерной цепи, бистабильную туннель 10-днодную чейку, состо щую из туннельного диода 3 и резистора 4, с транзистором 5 сброса, база которого через резистор 6 соединена с эмнттером транзистора релаксатора и переменный резистор 7. Диод 5 служит дл подачи импульса установки бистабильной туннельно-.диодной чейки в единичное состо ние. Разделительный полупроводниковый диод 9 введен между базой транзистора / релаксатора, нодсоединенно , в свою очередь, через переменный резистор 7 к источнику напр жени коллектор 1ого питани , и выходом бистабильной ту}1нельно-днодной чейки. Выходное напр кен е снимаетс с туннельного диода 2.with a tunnel diode 2 in an emulator circuit, a bistable tunnel 10-cell tunnel consisting of a tunnel diode 3 and a resistor 4, with a reset transistor 5, the base of which through a resistor 6 is connected to a relaxor transistor emulator and a variable resistor 7. The diode 5 serves to supply impulse of installation of a bistable tunnel-diode cell into a single state. The separating semiconductor diode 9 is inserted between the base of the transistor / relaxer, but connected in turn, via a variable resistor 7 to the voltage source, the collector of the first power supply, and the output of a bistable one} of the 1ND cell. The output voltage is removed from tunnel diode 2.

Исходным дл б стабнльной чейки вл етс нулевое состо ние. При этом напр жение на туннельном диоде 3 мало, через этот диод резистор 4 и резистор 7 протекает ток. Напр жение на базе транзистора 1 релаксатора мало дл перек.тючени тунне.тьного диода 2, наход щегос в нулевом состо нии.The baseline for the stable cell is the zero state. At the same time, the voltage on the tunnel diode 3 is small, a resistor 4 and a resistor 7 flow through this diode. The voltage at the base of the relaxor transistor 1 is small for switching the tunneling power of the diode 2, which is in the zero state.

Входной импульс, поступающий через диод 8 на туннельный диод 3, переводит бистабильную чейку в единичное состо ние. Нри этом напр жение на туннельном диоде 3 и на аноде разделительного диода 9 скачком возрастает. Диод 9 переходит в непровод щее состо ние, и ток, ранее протекавший через него, переключаетс в базу транзистора /, барьерна и диффузионна емкостн перехода эмиттер-база которого начинают зар жатьс черз токозадающий переменный резистор 7. Бистабильна чейка в течение времени зар да емкостей перехода находитс в единичном состо нии, так как ток протекает через резистор 4 и тупне.тьный диод 3.An input pulse arriving through diode 8 to tunnel diode 3 transfers the bistable cell to a single state. In this way, the voltage on the tunnel diode 3 and on the anode of the separation diode 9 increases abruptly. The diode 9 goes into a non-conducting state, and the current that previously passed through it switches to the base of the transistor /, the barrier and diffusion capacitance of the transition emitter-base of which begins to be charged by the alternating current variable resistor 7. The bistable cell during the transition capacitance charging time is in the unit state as the current flows through the resistor 4 and the blunt diode 3.

Когда напр жение эмиттер-база транзистора / достигает величины, достаточной дл переключени туннельного диода 2, напр жение па последнем скачком возрастает. Это напр жение через резистор 6 воздействует на базу транзистора 5 сброса, который открываетс и устанавливает бистабильную чейку в пулевое состо ние, что, в свою очередь, вызывает отпирание разделительного диода 9, шуитирующего базу транзистора /. Зар д, 1 акопле 1ный на емкости перехода эмиттер-база транзистора /, быстро рассасываетс , туннельный диод 2 возвращаетс в исходное состо ние, и устройство оказываетс готовым к повторепию цикла задержки . На тупнелыюм дноде 3, таким образом , образуетс импульс, длительность которого равна времени задержки, а па туннельномWhen the voltage of the emitter-base of the transistor / reaches a value sufficient for switching of the tunnel diode 2, the voltage at the last step increases. This voltage through the resistor 6 acts on the base of the reset transistor 5, which opens and sets the bistable cell to a bullet state, which, in turn, causes unlocking of the separation diode 9, which shuit the base of the transistor /. The charge on the capacitor 1 emitter on the emitter-base junction of the transistor / is quickly absorbed, the tunnel diode 2 returns to its original state, and the device is ready to repeat the delay cycle. On the dull dnod 3, thus, an impulse is formed, the duration of which is equal to the delay time, and pa tunneling

диоде 2 образуетс короткий импульс, задержанный относительпо входного на то же врем и совпадающий по времени со срезом импульса на туннельном диоде 5. Cпoмoщьютoкoзaдaющего резистора 7 можно мен ть ток зар да емкости перехода эмиттер-база трапзистора 1 и, тем самым, врем задержки. Подключением конденсатора параллельно эмиттер-базовому переходу транзистора / можно расщирить диапазон задержек в область больших времен.diode 2 produces a short pulse delayed by the input at the same time and coinciding in time with the pulse cut on the tunnel diode 5. Using the resistor 7, you can change the charge current of the emitter-base junction of the transistor 1 and thus the delay time. By connecting a capacitor parallel to the emitter-base junction of the transistor / you can expand the range of delays in the area of large times.

Предмет изобретени Устройство задержки импульсов, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельнымThe subject of the invention. A pulse delay device comprising a relaxator on a transistor with a tunnel

диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диодную чейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора, отличающеес тем, что, с целью регулировани a diode in the emitter circuit and a bistable tunnel-diode cell with a reset transistor, the base of which through a resistor is connected to the emitter of the relaxor transistor, characterized in that, in order to regulate

интервалов задержки в широких пределах, между базой транзистора релаксатора, подсоединенной через перемеппый резистор к источнику напр жепи коллекторного питани , и выходом бистабильной тупнельно-диодной чейки введен разделительный полупроводниковый диод.delay intervals in a wide range, between the base of the transistor of the relaxer, connected through the interleap resistor to the source of the voltage of the collector power, and the output of the bistable blind-diode cell, a separating semiconductor diode is introduced.