ДИНАМИЧЕСКИЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относитс к области импульсной техники и может быть использовано, например , в качестве генератора тактовых импульсов дл управлени двухтактными регистрами сдвига, в качестве генератора пачек импульсов. Известен динамический запоминающий элемент , содержащий одновибратор на туннельном диоде, к выходу которого через резистор подключен один конец линии задержки, характеризующийс тем, что амплитуда первого генерируемого импульса намного меньше амплитуды последующих импульсов. Целью изобретени вл етс повышение надежности работы устройства. Это достигаетс тем, что другой конец линии задержки через дополнительный резистор подключен к дополнительному одновибратору на туннельном диоде. Принципиальна схема динамического запоминающего элемента приведена на чертеже. Динамический запоминающий элемент содержит одновибратор, выполненный на туннельном диоде 1, резисторах 2 и 3 и катущке индуктивности 4, к выходу которого через резистор 5 подключен один конец линии задержки 6. Другой конец линии задержки через дополнительный резистор 7 подключен к дополнительному одновибратору, выполненному на туннельном диоде 8, резисторах 9 к 10 к катушке индуктивности 11. Резистор 12 служит дл ограничени тока запуска. Работа устройства происходит следующим образом. Рабочие точки туннельных диодов / и 5 с помощью резисторов 2, 3 и 9, 10 выбираютс на туннельной ветвп вольтамперной характеристики. Импульс запуска положительной пол рности через резистор 12 запускает первый одновибратор на туннельном диоде 1. С выхода первого одновибратора импульс поступает на линию задерл ки 6, распростран етс в ней и через отрезок времени, равный электрической длине линии задержки, достигает резистора 7, где частично отражаетс , а также запускает дополнительный одновибратор на туннельном диоде 8. Выходной импульс второго одновибратора через резистор 7 вместе с отраженной составл ющей импульса первого одновибратора распростран етс по линии задержки 6 в направлении первого одновибратора и, достигнув резистора 5, частично отражаетс , а также повторно запускает первый одновибратор. Далее процесс генерации импульсов повтор етс до тех пор, пока на устройство не будет подан импульс сброса, пол рность которого противоположна пол рности запускающего импульса. Импульс сброса может быть подан на любой из одновибратороБ в момент прихода запускающего импульса с линии задерх ки и должен перекрыть последний по времени.DYNAMIC STORAGE ELEMENT The invention relates to the field of impulse technology and can be used, for example, as a clock pulse generator for controlling push-pull shift registers, as a generator of bursts of pulses. A dynamic storage element is known, which contains a single vibrator on a tunnel diode, to the output of which one end of the delay line is connected through a resistor, characterized in that the amplitude of the first generated pulse is much smaller than the amplitude of subsequent pulses. The aim of the invention is to improve the reliability of the device. This is achieved by connecting the other end of the delay line through an additional resistor to an additional one-shot on the tunnel diode. A schematic diagram of a dynamic storage element is shown in the drawing. Dynamic memory element contains a one-shot made on tunnel diode 1, resistors 2 and 3 and inductance 4, to the output of which one end of delay line 6 is connected through resistor 5 to the other end of the delay line through an additional one-shot one. diode 8; resistors 9 to 10 to inductor 11. Resistor 12 serves to limit the starting current. The operation of the device is as follows. The operating points of the tunnel diodes / and 5 with the help of resistors 2, 3 and 9, 10 are selected on the tunnel branch of the current-voltage characteristic. A positive polarity start pulse through a resistor 12 triggers the first one-shot on tunnel diode 1. From the output of the first one-shot, the pulse arrives at the delay line 6, spreads in it and through a time interval equal to the electrical length of the delay line reaches the resistor 7, where it is partially reflected and also starts an additional one-shot on the tunnel diode 8. The output pulse of the second one-shot through the resistor 7 together with the reflected component of the pulse of the first one-shot propagates along the line behind the supports 6 in the direction of the first one-shot and, having reached the resistor 5, is partially reflected, and also restarts the first one-shot. Next, the pulse generation process is repeated until a reset pulse is applied to the device, the polarity of which is opposite to the polarity of the trigger pulse. The reset pulse can be applied to any of the single vibrations at the time of the arrival of the trigger pulse from the back of the line and must cover the last one in time.
На выходах первого и второго одновибраторов имеютс импульсы, длительность которых определ етс параметрами одновибраторов , период следовани равен удвоенной, а сдвиг между импульсами - электрической длине линии задержки.At the outputs of the first and second single vibrators, there are pulses whose duration is determined by the single vibrator parameters, the follow-up period is double, and the shift between pulses is the electrical length of the delay line.
Предмет изобретени Динамический запоминающий элемент, содержащий одновибратор на туннельном диоде , к выходу которого через резистор подключен один конец линии задержки, отличающийс тем, что, с целью повышени надежности работы, другой конец линии задержки через дополнительный резистор подключен к дополнительному одновибратору на туннельном диоде .The subject matter of the invention is a dynamic storage element comprising a one-shot on a tunnel diode, to the output of which one end of the delay line is connected via a resistor, characterized in that, in order to increase reliability, the other end of the delay line is connected to an additional one-shot vibrator through a tunnel diode.