SU361515A1 - Всесоюзная - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области радиотехники и может быть использовано дл  генерировани  релаксационных автоколебаний в области низких и инфранизких частот.

Известные мультивибраторы с дополнительными транзисторами в цеп х коллекторно-базовых св зей сложны.

Цель изобретени  - устранить указанный недостаток.

Указанна  цель достигаетс  тем, что врем задающ .ий конденсатор включен между -базами дополнительных транзисторов.

На чертеже приведена принципиальиа  схема мультивибратора по данному изобретению.

Работа мультивибратора протекает следующим образом.

В некоторый момент времени основной транзистор / и дополнительный транзистор 2 открываютс , а аналогичные транзисторы 5 и другого плеча мультивибратора закрываютс . В этОМ случае напр жение на коллекторе транзистора / будет близко к , и диоды 5 и 6 открываютс . Коллекторный ток транзистора 2, который определ етс  величиной эмиттерного сопротивлени  резистора 7, протекает от источника « через эмиттерный переход транзистора 1, сопротивление которого существенно меньше коллекторного сопротивлени  резистора 8. Сопротивление резистора 7 выбираетс  такой величины, чтобы транзистор / находилс  в насыщенном состо нии в течение всего времени проводимости транзистора 2. В открытом состо нии транзистора 2 Р-Я часть его эмиттерного тока ответвл етс  на зар д конденсатора 9. Основной путь зар да конденсатора 9 проходит от положнтельного полюса источника через транзистор Л диод 5, эмиттерный переход транзистора 2, резистор 7 к отрицательному полюсу источника . Посто нна  времени зар да конденсатора 9 определ етс  произведением коэффициента усилени  по току транзистора 2 на сопротивление резистора 7 и емкость конденсатора 9. Зар д конденсатора длитс  до тех пор, пока

напр жение на эмиттере транзистора 2 не опуститс  ниже нулевого уровн . После этого открываетс  диод 10 и резко ограничиваетс  величина эдиттерного тока транзистора 2, так как величина сопротивлени  коллекторной нагрузки // в дес тки раз меньше величины сопротивлени  резистора 7. С уменьшением тока транзистора 2 транзистор / выходит из насыщени  и начинает запиратьс . Напр жение на нагрузке 12 падает, что приводит к запиранию диодов 5 и б и открыванию транзисторов 5 и 4. Напр жение на коллекторе транзистора 3 повышаетс , открываютс  диоды 10 и 13, что ведет к полному запиранию транзисторов / и 2. Таким образом, в результате этого

лавинообразного процесса транзисторы 1 и 2,

диоды 5 и 5 занижаютс , а транзисторы 3 к 4, диоды 10 и 13 открываютс . Затем начинаетс  второй полуцикл работы мультивибратора, при котором конденсатор 9 перезар жаетс  по пути от положительного полюса источника, через открытый транзистор 3, диод 13, эмиттерный лереход транзистора 4, резистор 14 к отрицательному полюсу источника. Перезар д происходит до тех пор, пока не откроетс  диод 6, что вызывает резкое уменьшение тока транзистора 4, выход из насыщени  и запирание транзистора 3. Далее лавинообразный процесс приводит к полному запиранию транзисторов 3 и 4, диодов 10 и 13 и открыванию транзисторов 1 и 2, диодов 5 и 6. Врем  полного цикла работы мультивибратора при симметрии элементов схемы примерно равно удвоенному произведению коэффициента усилени  дополнительного транзистора на емкость конденсатора и на сопротивление эмиттерного резистора дополнительного транзистора. При

работе схемы на нагрузках 11 и 12 выдел ют с  пр моугольные импульсы, а на резисторах 7 и 14 - напр жение пилообразной формы, близкое к линейНО-падающему. Дл  изменени  частоты автоколебаний мультивибратора можно мен ть емкость конденсатора 9, а также в определенных пределах значение сопротивлений резисторов 7 и 14. Дл  плавного изменени  частоты автоколебаний в широких пределах можно включить лотенциометр между полюсами источника, к движку которого подключить аноды диодов 6 и ilO, соответственно отключив их от анодов диодов 5 и 13.

Предмет изобретени 

Мультивибратор с дополнительными транзисторами в цеп х коллекторно-базовых св зей, отличающийс  тем, что, с целью упрош,ени , врем задающий конденсатор включен между базами дополнительных транзисторов.

15

-04-fK

, П

ri

f4

-0 ,Ео

-0 -Ео