SU350056A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU350056A1
SU350056A1 SU1630310A SU1630310A SU350056A1 SU 350056 A1 SU350056 A1 SU 350056A1 SU 1630310 A SU1630310 A SU 1630310A SU 1630310 A SU1630310 A SU 1630310A SU 350056 A1 SU350056 A1 SU 350056A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
hour
cooled
rate
products
ferrite
Prior art date
Application number
SU1630310A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Ю. М. Яковлев Л. Н. Войтова Э. В. Рубальска А. Винник Б. Л. Лаповок Л. Г. Годес
Publication of SU350056A1 publication Critical patent/SU350056A1/ru

Links

Description

СПОСОБ METHOD

Известны способы изготовлени  изделий из монокристаллов феррита со структурой шпинели, при которых заготовки изделий подвергают термообработке и постепенно охлаждают . Такие способы не обеспечивают требуемой магнитной добротности изделий.Methods are known for the manufacture of articles from ferrite single crystals with a spinel structure, in which the workpieces are heat treated and gradually cooled. Such methods do not provide the required magnetic quality of products.

Целью изобретени   вл етс  обеспечение высокой магнитной добротности изделий. Это достигаетс  тем, что заготовки изделий нагревают до 800-950°С с выдержкой при этой температуре в течение 4-6 час и охлаждают со скоростью 0,5-1°С/Шс до 300°С, а затем со скоростью 10-50°С/час до комнатной температуры .The aim of the invention is to provide a high magnetic quality factor of the products. This is achieved by the fact that the product blanks are heated to 800-950 ° C with a holding at this temperature for 4-6 hours and cooled at a rate of 0.5-1 ° C / C to 300 ° C and then at a speed of 10-50 ° C / hour to room temperature.

Пример. Сферы, полученные методом механической обработки из монокристаллов Mg-феррита, выращенных методом кристаллизации из раствора в расплаве РЬО-ВоОз, помещаютс  с помощью магнитной иголки в стаканчики из поликристаллического Mgферрита и перенос тс  в печь, обеспечивающую нагрев в воздушной среде до 1000°С со скоростью не более 100°С/час. После выдержки при 900°С в течение б час дл  установлени  равновесного расиределени  катионов в кристалле осуществл етс  ирограммиое охлаждение печи со скоростью, не превышающей 1°С/шс до 300°С, после чего охлаждение до 20°С продолжаетс  с выключенной печью со скоростью 10-50°С/{ас до комнатной температуры.Example. The spheres obtained by the method of machining from single crystals of Mg ferrite grown by crystallization from a solution in the PbO-BoO3 melt are placed with a magnetic needle into polycrystalline Mgferrite cups and transferred to a furnace that provides heating in air to 1000 ° C not more than 100 ° C / hour. After holding at 900 ° C for bh, to establish the equilibrium distribution of cations in the crystal, the program is cooled by the furnace at a rate not exceeding 1 ° C / mr to 300 ° C, after which the cooling to 20 ° C continues with the furnace turned off at a speed 10-50 ° C / {ac to room temperature.

П р с д М г т п 3 о б р е т е и и  P p with d M g t p 3 o b p e and e and

Способ изготовлени  изделий из монокрнсталлов феррита со структурой шпинели, при котором заготовки изделий подвергают термообработке и постепеппо охлаждают, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  высокой магнитной добротности, заготовки изделий нагревают до 800-950°С с выдержкой при этой температуре в течение 4-6 час и охлаждают со скоростью 0,5- °С/час до 300°С, а затем со скоростью 10-50°С/час до комнатной температуры. ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФЕРРИТА СО СТРУКТУРОЙ ШПИНЕЛИA method of manufacturing products from ferrite monocrystal with a spinel structure, in which the workpieces are heat treated and gradually cooled, characterized in that, to ensure high magnetic quality, the workpieces are heated to 800-950 ° C with a holding time at this temperature for 4- 6 hours and cooled at a rate of 0.5- ° C / hour to 300 ° C, and then at a rate of 10-50 ° C / hour to room temperature. MANUFACTURING OF PRODUCTS FROM FERRITE SINGLE CRYSTALS WITH A SPINEL STRUCTURE

SU1630310A SU350056A1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU350056A1 true SU350056A1 (en)

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140141371A1 (en) * 2009-03-11 2014-05-22 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrostatic image developing carrier, process of making the same, electrostatic image developer, process cartridge, image forming method, and image forming apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140141371A1 (en) * 2009-03-11 2014-05-22 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrostatic image developing carrier, process of making the same, electrostatic image developer, process cartridge, image forming method, and image forming apparatus
US9176401B2 (en) * 2009-03-11 2015-11-03 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrostatic image developing carrier, process of making the same, electrostatic image developer, process cartridge, image forming method, and image forming apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101962798B (en) Method and equipment for producing sapphire single crystal
WO2006054610A1 (en) Apparatus for crystal production
JPH01119598A (en) Method and apparatus for producing monocrystal
SU350056A1 (en)
JP6547360B2 (en) Method of growing CaMgZr substituted gadolinium gallium garnet (SGGG) single crystal and method of manufacturing SGGG single crystal substrate
JP6053018B2 (en) Crystal growth method
KR20070039607A (en) Method of growing single crystals from melt
JP2004035394A (en) Method for growing calcium fluoride single crystal
FR2271868A1 (en) Crystals grown from hydrothermal solns - in autoclave with separate individually temp-controlled double walled sections
US6736893B2 (en) Process for growing calcium fluoride monocrystals
JP7310339B2 (en) Method for growing lithium niobate single crystal
JP2010248003A (en) METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
JPH0367994B2 (en)
JP3128173B2 (en) Method and apparatus for producing bismuth germanate single crystal
CN110918919B (en) Method for controlling uniform crystallization of casting powder and eliminating needle-shaped crystals
UA21853U (en) Method for dislocationless silicon single crystals growing from the melt
RU2707639C1 (en) Method of making glass-ceramic articles of lithium aluminosilicate composition
JPS61106496A (en) Production of incongruent melting compound single crystal
CN101275194A (en) Magnetic shape memory alloy monocrystalline and preparation thereof
SU264186A1 (en) METHOD OF THERMAL TREATMENT OF ABRASIVE PRODUCTS
RU2021137666A (en) DEVICE FOR PRODUCING GALLIUM OXIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM OXIDE CRYSTAL
CN115385562A (en) Crystallizing furnace for microcrystalline glass and crystallizing method thereof
RU1431391C (en) Process of growing monocrystals of cadmium telluride
JPS6046080B2 (en) Manufacturing method of gallium-substituted YIG single crystal for microwave use
JPH02279583A (en) Method for growing single crystal