SU339134A1 - Способ наращивани граней алмаза - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к искусственному наращиванию граней алмаза. Известно, что наращивание кристаллов в метаотаб ильной форме возможно при исключении посторонних центров кристаллизации , в результате чего идет только наращивание затравки нестабильного крис талла, в то врем  как процесс образовани  устойчивых зародышей стабильной в данных услови х кристаллической модифи кации практически неразвиваетс . jBro; позвол ет наращивать с большой скорост нестабильные кристаллы весом около килограмма. Сущность предлагаемого способа состоит в том, что соединени  углерода 11О-120С СЗл, СВГл возгон ютс  при проход  через термостатииз ампулы и рованную (продуванием воздуха 125 С) трубку, попадает в виде потока молекул на грань кристалла алмаза, помещенного на нагреватель из танталовой ленты. Кристаллы представл ют собой плоскопараллельную пла-стину с размером 2, 2х1,5 мм, обращенную одной из наибольг-, ших граней к молекул рному потоку СЗ СВГл, в то врем  как противопапожна  грань находитс  в контеисте с танталовым нагревателем. Всю систетулу откачивают до вакуума мм рт. ст. В таких услови х при температуре алмазной затравки около 8ОО-10ОО С идет разложение СОд или CBf на элементы , протекающее преимущественно на грани кристалла алмаза, обращенной к ; молекул рному потоку СЗц. и . Продукты разложени  и неразложившиес  молекулы вымерзают на стенках реакционного сосуда, поскольку все части прибора наход тс  в сосуде с жидким азотом. Скорость поступлени  паров СДд или СВК-4 около 1 г/ч, продолжительность опыта 3ч. алмаза, обращенна  к потоку СЛ4 и СВГф, наблюдаема  при увеличении под микроскопом «.1ООО, обнаруживает кристаллическое строение попученного нароста. Величина образовавшихс  полупрозрачных кристалликов в отдельных случа х 5-7 мкм.

Твердость определ ют непосредственно на кристалле путем движени  по его поверхности конца оплавленной кварцевой палочки, при этом на последней образуетс  матова  фаска. При аналогичных, пробах на гран х без нароста образуютс  гладкие, а не матовые фаски.

Наблюдают катодолюминесценцию образовавшегос  осадка, возбуждаемую в высоком вакууме электронами с энергией 3000 эВ.

Электроны такой энергии, имеющие глубину проникновени  в дес тые доли микрона, направл ют под малым углом к наросшей грани.

При этом с помощью микроскопа по всей грани наблюдают одинаковую голубоватую катодолюминесценцию, характерную дл  алмаза. Графит в подобных УСЛОВИЯХ не люминесцирует.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ наращивани  граней алмаза в услови х его нестабильного состо ни  отличающийс  тем, что, с целью осуществлени  процесса роста, производ т подогрев грани до 80ОЮОО С и в услови х вакуума пор дка 3-4-10 мм рт. ст. к поверхности грааи направл ют пары легко разлагающегос  углеродсодержащего соединени , нап ример или С34