SU325847A1

SU325847A1 - METHOD FOR PRODUCING GALLYTRIALS

Info

Publication number: SU325847A1
Application number: SU1399069A
Authority: SU
Original assignee: Л. И. Захаркин, Ю. В. Юшков, В. В. Гавриленко, Л. С. Иванов,; Н. П. Фатюшина , Л. И. Сычев Институт элементоорганических соединений СССР
Priority date: 1970-01-26
Filing date: 1970-01-26
Publication date: 1974-01-05

Description

Изобретение относитс к синтезу металлорганических соединений элементов III группы периодической системы, в частности к синтезу галлийтриалкилов, которые наход т применение в качестве каталитических систем в стереоспецифической полимеризации олефинов.The invention relates to the synthesis of organometallic compounds of the elements of Group III of the periodic system, in particular, to the synthesis of gallium trialkyls, which are used as catalytic systems in the stereospecific polymerization of olefins.

Известен способ получени галлийтриалкилов общей формулы Ga(R)3, где R - алкил, заключающийс в том, что магнийорганическое соединение подвергают взаимодействию с галогенидом трехвалентного галли в среде эфира с выделением целевого продукта известными приемами. Кроме того, известны способы получени галлийтриалкилов взаимодействием алюминийорганических или цинкорганических соединений с галогенидом галли , а также через ртутьорганические соединени .A known method for producing gallium trialkyls of the general formula Ga (R) 3, where R is alkyl, consists in that the organomagnesium compound is reacted with a trivalent gallium halide in ether with the isolation of the target product by known methods. In addition, methods are known for producing gallium trialkyls by reacting organoaluminum or organozinc compounds with gallium halide, as well as through organo-mercury compounds.

Проведение синтеза по известным способам требует использовани опасных самовоспламен ющихс соединений, процессы продолжительны , в случае получени эфиратов трудно отделить эфир. Кроме того, при синтезе галлийтриалкилов трудно очищать целевой продукт .Carrying out the synthesis according to known methods requires the use of hazardous self-igniting compounds, the processes are long, in the case of the preparation of ethers it is difficult to separate the ether. In addition, in the synthesis of gallium trialkyls, it is difficult to purify the target product.

Цель изобретени - упрощение технологии процесса и увеличение чистоты целевого продукта .The purpose of the invention is to simplify the process technology and increase the purity of the target product.

Предлагаетс новый способ получени галлийтриалкилов общей формулы Са(Н)з, где R - алкил, заключающийс в том, что сплав A new method is proposed for producing gallium trialkyls of the general formula Ca (H) s, where R is alkyl, which consists in the fact that the alloy

галлии - магний или смесь металлического галли и магни подвергают взаимодействию с йодистым алкилом при нагревании с выделением целевого продукта известными приемами . Процесс ведут при температуре до 160°С.gallium — magnesium or a mixture of metallic gallium and magnesium is reacted with alkyl iodide when heated to isolate the target product by known methods. The process is conducted at temperatures up to 160 ° C.

Пример 1. Получение Оа(С2Н5)з из Ga, Mg и CoHsJ без растворител .Example 1. Obtaining Oa (C2H5) C from Ga, Mg and CoHsJ without solvent.

В трехгорлую колбу загружают 15 г Ga и 8 г Mg в виде мелких стружек или опилок (например, МПФ-1-4) и добавл ют кристаллик Jg. Смесь прогревают в вакууме и колбу заполн ют чистым аргоном (азотом). Из делительной воронки постепенно в течение 1 час добавл ют 100,7 г CsHsJ при слабом нагревании реакционной массы. После добавлени всего количества смесь нагревают еще 1 час при 90°С. Из реакционной массы отгон ют 20,5 г чистого 6а(С2Н5)з, т. кип. 34°С/10 мм рт. ст., по литературным данным т. кип. 42°С/16 мм рт. ст.In a three-necked flask, 15 g of Ga and 8 g of Mg are loaded in the form of fine chips or sawdust (for example, MPF-1-4) and a crystal of Jg is added. The mixture is heated under vacuum and the flask is filled with pure argon (nitrogen). From the separatory funnel, 100.7 g of CsHsJ are gradually added over 1 hour with little heating of the reaction mass. After adding the total amount, the mixture is heated for another 1 hour at 90 ° C. From the reaction mass, 20.5 g of pure 6a (C2H5) are distilled off, t. Bale. 34 ° C / 10 mm Hg Art., according to literary data, t. Kip. 42 ° C / 16 mmHg Art.

Пример 2. Получение Ga(C2H5)3 из Ga, Mg и C2H5J в углеводородной среде.Example 2. Obtaining Ga (C2H5) 3 from Ga, Mg and C2H5J in a hydrocarbon medium.

В трехгорлую колбу в атмосфере инертного газа загрулсают 15 г Ga и 8 г Mg в виде стружки, добавл ют кристаллик J2 и смесь вакуумируют. К реакционной массе приливают 50 см гексана и реакцию провод т аналогично примеру 1 при кипении гексана. Расход C2H5J 100,7г.In a three-necked flask in an inert gas atmosphere, 15 g of Ga and 8 g of Mg are shipped in chips, a J2 crystal is added and the mixture is evacuated. 50 cm of hexane is added to the reaction mass and the reaction is carried out analogously to example 1 while boiling hexane. Consumption C2H5J 100.7g.

По окончании реакции из колбы отгон ют растворитель и выдел ют триэтилгаллий при 34°С/10 мм рт. ст. Получают 21, 9 г чистого Ga(C2H5)3.Upon completion of the reaction, the solvent was distilled off from the flask and triethylgallium was separated at 34 ° C / 10 mm Hg. Art. 21, 9 g of pure Ga (C2H5) 3 are obtained.

Пример 3. Получение Оа(С2Н5)з из сплава Ga - Mg без растворител .Example 3. Preparation of Oa (C2H5) h from Ga-Mg alloy without solvent.

В реакционную колбу загружают 9,0 г стружек сплава Ga - Mg (Ga 35%; Mg 60%) и добавл ют кристаллик Jz- Реакционную массу прогревают в вакууме, затем в нее постепенно ввод т 69 г C2H5J. Масса нагреваетс до 85°С. Триэтилгаллий отгон ют из колбы при 34°С/10 мм рт. ст. Получают 4,49 г (C2H5)3Ga.9.0 g of Ga – Mg alloy chips (Ga 35%; Mg 60%) are loaded into the reaction flask and Jz-crystalline is added. The reaction mass is heated in vacuum, then 69 g of C2H5J are gradually introduced into it. The mass is heated to 85 ° C. Triethylgallium is distilled from the flask at 34 ° C / 10 mmHg. Art. 4.49 g of (C2H5) 3Ga are obtained.

Пример 4. Получение Ga(C3H7)3 из Ga, Mg и СзНгЛ.Example 4. Obtaining Ga (C3H7) 3 from Ga, Mg and CzNgL.

В трехгорлую колбу загружают 15 г Ga и 8 г Mg в виде опилок, ввод т кристаллик J2 и смесь вакуумируют при нагревании. Из делительной воронки постепенно в течение 1 час добавл ют 109,3 г йодистого пропила. Реакцию провод т при слабом нагревании. Далее реакционную массу прогревают еще 1 час при 90°С и из нее отгон ют 23,9 г чистого Оа(СзП7)з, т. кип. 34°С/1 мм рт. ст.15 g of Ga and 8 g of Mg in the form of sawdust are loaded into a three-necked flask, a crystal J2 is introduced, and the mixture is evacuated under heating. From the separatory funnel, 109.3 g of propyl iodide is gradually added over 1 hour. The reaction is carried out at low heat. Next, the reaction mass is heated for another 1 hour at 90 ° C and 23.9 g of pure Oa (CsP7) h is distilled off from it, t. Bale. 34 ° C / 1 mm Hg Art.

Пример 5. Получение Ga (СНз)зВо вращающийс автоклав емкостью 0,5 л в атмосфере инертного газа загружают 36 г Ga, 21 г Mg (МПФ-4) и 227 г СНзЛ. Дл лучшего перемешивани в автоклав внос т стальные шарики диаметром 10 мм. Автоклав при вращении постепенно нагреваетс до 100°С, через 2 час температура поднимаетс до 120-- 160°С. Процесс продолжаетс несколько часов . После остывани автоклава продукт реакции отгон ют непосредственно из автоклава. Получают 38,6 г (выход 65%) Ga(CH3)3, т. кип. 56°С.Example 5. Obtaining a Ga (CH3) DFO rotating 0.5 liter autoclave in an inert gas atmosphere was charged with 36 g of Ga, 21 g of Mg (MPF-4) and 227 g of SNL. For better mixing, steel balls with a diameter of 10 mm are introduced into the autoclave. The autoclave during rotation gradually heats up to 100 ° C, after 2 hours the temperature rises to 120-- 160 ° C. The process takes several hours. After cooling the autoclave, the reaction product is distilled off directly from the autoclave. Get 38.6 g (yield 65%) of Ga (CH3) 3, t. Kip. 56 ° C.

Предмет изобретени Subject invention

Claims

1. A method of producing gallium trialkyls of the general formula Ga (R) 3, where R is alkyl, characterized in that, in order to simplify the process technology and increase the purity of the target product, gallium-magnesium alloy or a mixture of metallic gallium and magnesium is subjected to interaction with alkyl iodide with heating with the selection of the target product by known methods.

2. A method according to claim 1, characterized in that the process is carried out at a temperature of up to 160 ° C.