SU323643A1

SU323643A1 - SENSITIVE ELEMENT MEAIBPAHHOFO PRESSURE SENSOR

Info

Publication number: SU323643A1
Application number: SU1457228A
Authority: SU
Inventors: конструкторский институт испытательных машин приборов средств измерени масс Научно исследовательский

Description

Изобретение относитс к области приборостроеии и предназначено дл измерени давлени .The invention relates to the field of instrumentation and is intended to measure pressure.

Из патентной литературы известны чувствительные элементы, выполненные в виде замкнутото контура как измерительный мост с четырьм тензорезисторами из монокристаллического полупроводника, два из которых имеют ориентацию монокристалла полупроводника , не соответствующую максимальной чузстiвитeльнocти .Sensitive elements are known from the patent literature. They are made in the form of a closed circuit as a measuring bridge with four single-crystal semiconductor strain gauges, two of which have an orientation of a single crystal of a semiconductor that does not correspond to maximum chuvstvitelnosti.

Предлагаемый элемент отличаетс от известных тем, что тензорезисторы выполнены в виде двух параллельных полос полупроводника , соединенных между со-бюй на концах перемычками , с контактами, располагаемыми на линии нулевой деформации мембраны датчика , а также тем, что все тензорезисторы выполнены из ориентированного в направлении максимальной тензочувствительности полупроводника .The proposed element differs from the known ones in that the strain gauges are made in the form of two parallel semiconductor strips connected between co-bys at the ends with jumpers, with contacts located on the zero-deformation line of the sensor membrane, and all the strain gauges are made from the maximum oriented strain gage semiconductor.

Такое выполнение чувствительного элемента поз-вол ет повысить точность измерени давлени .This embodiment of the sensing element improves the accuracy of pressure measurement.

На чертеже изображена мембрана с предлагаемыл чувствительным элементом.The drawing shows a membrane with a proposed sensitive element.

полупроводника, ориентированного в направлении максимальной тензочувствительности. Полосы /, 2 соединены между сх)бой перемычками 3, 4 и снабжены контактами 5, расположенными на линии Нулевой де1формадии мембраны 6 датчика. Полосы /, 2 и перемычки 3, 4 полупроводника образуют мостовую схему: в одну диагональ включаетс источник 7 питани , а в другую - измерительный прибор 8, показани которого пропорциональны деформаци м мембраны 6.semiconductor oriented in the direction of maximum sensitivity. The bands /, 2 are connected between cx) by jumpers 3, 4 and are equipped with contacts 5 located on the line of the Zero-format of the membrane 6 of the sensor. The bands I, 2 and jumpers 3, 4 of the semiconductor form a bridge circuit: the power supply 7 is connected to one diagonal, and the measuring device 8 to the other, the readings of which are proportional to the deformations of the membrane 6.

Предмет изобретени Subject invention

1.Чувствительный элемент мембранного датчика давлени , содержащий четыре полупроводниковых монокристаллических тензорезистора ,образующих замкнутый контур, представл ющий собой измерительный мост, и контакты дл соединени с вторичной аппарат,рой , отличающийс тем, что, с целью повыщени точности измерени давлени , тензорезисторы выполнены в виде двух параллельных полос полупроводника, соединенных между собой на концах перемычками, с контактами, располагаемыми на линии нулевой деформации мембраны датчика.1. The sensitive element of a membrane pressure sensor, containing four semiconductor monocrystalline strain gauges, which form a closed loop, which is a measuring bridge, and contacts for connection to a secondary device, characterized in that two parallel semiconductor strips interconnected at the ends by jumpers with contacts located on the zero-deformation line of the sensor membrane.