SU301583A1 - Датчик давления - Google Patents
Датчик давленияInfo
- Publication number
- SU301583A1 SU301583A1 SU1382534A SU1382534A SU301583A1 SU 301583 A1 SU301583 A1 SU 301583A1 SU 1382534 A SU1382534 A SU 1382534A SU 1382534 A SU1382534 A SU 1382534A SU 301583 A1 SU301583 A1 SU 301583A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- strain
- pressure meter
- sensors
- sensor
- strain gauges
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Description
Изобретение относитс к контрольно-измерительной технике. Иэвест1ны датчики давлений, содержащие Kopinyc, чувствительный элемент, штак и электромеханический преобразователь с тензо|резисторами . В качестве теезорезисторов используютс проволоЧНые или неортаничеокие полу1Провод:никовые тензорези1ст.ив«ые датчики. Основным недостатком дроволочвых тензорезисти1В-ных датчиков вл етс их «изка танзочувствителыность. Полупроводниковые неортаничеокие тензорезистивные датчики обладают 1ПО сравнению с П|ров-олоч«ыми повышенной тензочувствительностью, однако они в то же врем обладают и значительно более высокой термозависимостью, что снижает точность измерений и часто приводит к нввоэмюжности их И1спользо1ва1ни в контрольно-измерительной технике. Кроме того, трудность получени и подбора образцов тензодатчиков с одинаковыми значени ми начальных сопротивлений и тензочувствителыностей не позвол ет сиитезировать высокоточные электрические измерительные цепи. Эта |цель достигаетс тем, что тензорезисторы выполнены на основе органических полупроводников , а именно комплексных ион-радикалиных солей тетрацианхинондИМетана с различными алиил- и аралкилзамещенньими бисчетвертичнЫМи катионами фенантролиив и дихинолини , причем эти соли содержат в качестве нейтральной молекулы молекулу иода . На фиг. 1 показана схема предлагаемого датчика с органическими тензорезисторами. Датчвк состоит из корпуса /, с которым л.естко св зан чувствительный элемент (|мембрана ) 2. Подвижный центр чувствительного элемента - шток 3 св зан с электрамехани1чеаким преобразователем 4 в виде танзометричеокой пружины с наклеенными на нее тензорезисторами 5. Образцы тензорезисторов могут быть получены путем прессовани органического полупроводникового материала. Электрические контакты могут быть впрессованы в тензочувствнтельный элемент или осуш,ествлены с помош ,ью токопровод щего кле . Ра-бота датчика заключаетс в преобразовании давлени Р в электрический сипнал тензометрического моста.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU301583A1 true SU301583A1 (ru) |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7456638B2 (en) | MEMS based conductivity-temperature-depth sensor for harsh oceanic environment | |
US7856885B1 (en) | Reinforced piezoresistive pressure sensor | |
CN108593187A (zh) | 陶瓷电容式压力传感器及提高压力检测精度的方法 | |
da Rocha et al. | Capacitive sensor for three-axis force measurements and its readout electronics | |
Bicking | PRESSURE SENSOR TECHNOLOGY | |
US3269174A (en) | Stress sensor and stress sensing system | |
SU301583A1 (ru) | Датчик давления | |
CN105762272A (zh) | 基于巨压电效应的氧化锌纳米阵列应变传感器及其测量电路、标定系统和制备方法 | |
CN110940443B (zh) | 基于锆钛酸铅镧透明陶瓷巨弹光效应的力学传感器 | |
CN106441403B (zh) | 桥式传感器初始零位电压调零方法 | |
Aravamudhan et al. | MEMS based conductivity-temperature-depth (CTD) sensor for harsh oceanic environment | |
Elbestawi | Force measurement | |
SU1716979A3 (ru) | Способ измерени давлени и преобразователь давлени | |
US3096652A (en) | Strain gauge | |
Legendre et al. | Novel humidity sensing method based on the transient response of a micro-heater | |
Tsai et al. | Design and characterization of temperature-robust piezoresistive micro-pressure sensor with double-wheatstone-bridge structure | |
SU960559A2 (ru) | Датчик давлени | |
Aleinikov | A multifunctional atmospheric pressure and air temperature sensor | |
SU1530952A1 (ru) | Способ изготовлени интегрального полупроводникового тензопреобразовател | |
Takahashi et al. | Tactile Sensor Using Microcantilever Embedded in Fluoropolymer for Water and Ethanol Resistance | |
US4002061A (en) | Capacitance transducer for the measurement of bending strains at elevated temperatures | |
SU1566236A1 (ru) | Датчик давлени | |
SU732705A1 (ru) | Датчик разности давлений | |
Crescini | SOLID-CERAMIC LOAD CELLS IN THICK-FILM-TECHNOLOGY | |
SU883823A1 (ru) | Способ измерени константы магнитострикции цилиндрических магнитных пленок |