SU300079A1 - Устройство дл нанесени покрытий в вакууме - Google Patents

Устройство дл нанесени покрытий в вакууме

Info

Publication number
SU300079A1
SU300079A1 SU1334566A SU1334566A SU300079A1 SU 300079 A1 SU300079 A1 SU 300079A1 SU 1334566 A SU1334566 A SU 1334566A SU 1334566 A SU1334566 A SU 1334566A SU 300079 A1 SU300079 A1 SU 300079A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cathode
voltage source
evaporator
source
vacuum coater
Prior art date
Application number
SU1334566A
Other languages
English (en)
Inventor
М.М. Никитин
Г.Б. Вахминцев
Ю.Н. Токаев
А.В. Петров
В.А. Ермолов
М.Х. Шоршоров
Г.Н. Клебанов
А.Н. Чадов
Н.Н. Рыкалин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1334566A priority Critical patent/SU300079A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU300079A1 publication Critical patent/SU300079A1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

,1
Известно устройство дл  нанесени  покрытий IB вакууме, содержащее высоковольтный источник :и вакуумную камеру .с расположенными внутри нее кольцевым тер|Моэле«трОНным катодом, системой электростатической фокусировки « испарителем.
Предложенное устройство отличаетс  .наличием дополнительного источника иитани , подключенного через систему коммутации к аноду , кольцевому термоэлектронному катоду и высоковольтному источнику, и установленного между катодом .и испарителем посто нного электромагнита, ось которого со1вмвщена с оптической осью системы электростати-ческой фокусировки.
Это повышает Произ1водительность и стабилизирует процесс иапарени .
На чертеже изображено предлагаемое устройство , общий вид.
Оно состоит ИЗ высоковольт«ого источника 1 и вакуумной камеры 2 с расположенными внутри нее кольцевым термоэлектронным катодом 3, системой электростатической фокусировки 4 и испарителем б, наход щимс  под потенциало1м анода, дополнительного «сточиика 6 питани , подключенного через систему 7 коммутации к аноду, кольцевому термоэлектронному катоду 3 и высоковольтному источнику 1, и установленного между катодом 3 и высоковольтным источником 1 посто нного электромагнита 8, ось которого совмещена -с оп-тической осью системы электростатической
фокусировки.
При подаче ускор ющего потенциала от высоковольтного источника между катодом 3 и испарителем 5 материала создаетс  электрическое -поле, под действием которого электростатически фокусируемый поток электронов бомбардирует поверхность материала испарител  5, в результате чего он нагреваетс  и испар етс . Испар емый лоток 9 состоит из нейтральных атомов, положительных ионов и
вторичных электронов. Помещение катода 3 в непосредственной близости от испар емого материала облегчает нейтрализацию отрицательного пространственного зар да у катода полож1ительными ионами. В межэлектродном пространстве создаютс  услови  дл  возникновени  несамосто тельного электрического разр да в парах осаждаемого .материала. С помощью системы 7 коммутации высоковольтный источник .1 отключаетс  и щключаетс  дополнительный источник 6 п итани . Если плотность пара в межэлектродном промежутке в процессе работы падает, то источник 6 отключаетс  и включаетс  источник I.
Разр д характеризуетс  относительно большим анодным током и малым падением напр жени  «а участке катод - испар емый материал . Например, при исттарении меди из вольфрамового тигл  со скоростью 1,0 г/мин см ток достигал 2 а, а напр жение 400 -в.
Продольное силовое поле лосто иного электромагнита 8 обжимает столб разр да и выталкивает ионизованный лар .по иаправлению к подложке 10. В электрическом поле электрода 11 поток дополнительно фокусируетс  и уокоренный в продольном поле магнита 12 осаждаетс  иа подложку 10.
Режим испарени  устанавливаетс  по току в датчике 13 при закрытой заслонке 14. Установив требуемую скорость испарени , заслонка откры1ваетс  и произ1водитс  осаждение покрытий .
Предмет изобретени 
Устройство дл  нанесени  покрытий IB вакууме , содержащее высоковольтный источник и вакуумную камеру с расположенными внутри нее кольцевым термоэлектронным катодом, системой электростатической фокусировки и испарителем, наход щимс  иод потен-циалом анода, отличающеес  тем, что, с целью
повышени  производительности и ста-бИЛ1Изации процесса испарени , оно снабжено дополнительным источником питани , подключенным через систему коммутации к атаоду, кольцевому термоэлектронному катоду и шысоковольтному источнику, « установленным между катодом и ишариггелем посто нным электромагнитом , ось которого совмещена с оптической осью системы электростатической фокуси PQBIKM.
SU1334566A 1969-06-02 1969-06-02 Устройство дл нанесени покрытий в вакууме SU300079A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1334566A SU300079A1 (ru) 1969-06-02 1969-06-02 Устройство дл нанесени покрытий в вакууме

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1334566A SU300079A1 (ru) 1969-06-02 1969-06-02 Устройство дл нанесени покрытий в вакууме

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU300079A1 true SU300079A1 (ru) 1975-01-05

Family

ID=20445933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1334566A SU300079A1 (ru) 1969-06-02 1969-06-02 Устройство дл нанесени покрытий в вакууме

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU300079A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3562141A (en) Vacuum vapor deposition utilizing low voltage electron beam
US4448802A (en) Method and apparatus for evaporating material under vacuum using both an arc discharge and electron beam
US3479545A (en) Surface ionization apparatus and electrode means for accelerating the ions in a curved path
US4381453A (en) System and method for deflecting and focusing a broad ion beam
JPS62120472A (ja) 電弧蒸着方法及び装置
US5315121A (en) Metal ion source and a method of producing metal ions
US5144143A (en) Device for the ionization of metals having a high melting point, which may be used on ion implanters of the type using ion sources of freeman or similar type
Probyn A low-energy ion source for the deposition of chromium
SU300079A1 (ru) Устройство дл нанесени покрытий в вакууме
JPH0456761A (ja) 薄膜形成装置
US3517240A (en) Method and apparatus for forming a focused monoenergetic ion beam
EP0378970A2 (en) Cold-cathode, ion-generating and ion-accelerating universal device
US3275867A (en) Charged particle generator
US11004649B2 (en) Ion source device
US4731540A (en) Ion beam materials processing system with neutralization means and method
JP3406769B2 (ja) イオンプレーティング装置
RU2082255C1 (ru) Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления
JPH0214426B2 (ru)
Delmore et al. An autoneutralizing neutral molecular beam gun
US3472999A (en) Electron beam generating device
SU378119A1 (ru) Устройство дл нанесени покрытий в вакууме
US20240145207A1 (en) Ion Source Cathode
JP2769506B2 (ja) イオン源
RU2053312C1 (ru) Способ нанесения покрытий в вакууме и устройство для нанесения покрытий в вакууме
SU213553A1 (ru) Способ электроннолучевого напылени