SU300079A1 - Устройство дл нанесени покрытий в вакууме - Google Patents
Устройство дл нанесени покрытий в вакуумеInfo
- Publication number
- SU300079A1 SU300079A1 SU1334566A SU1334566A SU300079A1 SU 300079 A1 SU300079 A1 SU 300079A1 SU 1334566 A SU1334566 A SU 1334566A SU 1334566 A SU1334566 A SU 1334566A SU 300079 A1 SU300079 A1 SU 300079A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- cathode
- voltage source
- evaporator
- source
- vacuum coater
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
,1
Известно устройство дл нанесени покрытий IB вакууме, содержащее высоковольтный источник :и вакуумную камеру .с расположенными внутри нее кольцевым тер|Моэле«трОНным катодом, системой электростатической фокусировки « испарителем.
Предложенное устройство отличаетс .наличием дополнительного источника иитани , подключенного через систему коммутации к аноду , кольцевому термоэлектронному катоду и высоковольтному источнику, и установленного между катодом .и испарителем посто нного электромагнита, ось которого со1вмвщена с оптической осью системы электростати-ческой фокусировки.
Это повышает Произ1водительность и стабилизирует процесс иапарени .
На чертеже изображено предлагаемое устройство , общий вид.
Оно состоит ИЗ высоковольт«ого источника 1 и вакуумной камеры 2 с расположенными внутри нее кольцевым термоэлектронным катодом 3, системой электростатической фокусировки 4 и испарителем б, наход щимс под потенциало1м анода, дополнительного «сточиика 6 питани , подключенного через систему 7 коммутации к аноду, кольцевому термоэлектронному катоду 3 и высоковольтному источнику 1, и установленного между катодом 3 и высоковольтным источником 1 посто нного электромагнита 8, ось которого совмещена -с оп-тической осью системы электростатической
фокусировки.
При подаче ускор ющего потенциала от высоковольтного источника между катодом 3 и испарителем 5 материала создаетс электрическое -поле, под действием которого электростатически фокусируемый поток электронов бомбардирует поверхность материала испарител 5, в результате чего он нагреваетс и испар етс . Испар емый лоток 9 состоит из нейтральных атомов, положительных ионов и
вторичных электронов. Помещение катода 3 в непосредственной близости от испар емого материала облегчает нейтрализацию отрицательного пространственного зар да у катода полож1ительными ионами. В межэлектродном пространстве создаютс услови дл возникновени несамосто тельного электрического разр да в парах осаждаемого .материала. С помощью системы 7 коммутации высоковольтный источник .1 отключаетс и щключаетс дополнительный источник 6 п итани . Если плотность пара в межэлектродном промежутке в процессе работы падает, то источник 6 отключаетс и включаетс источник I.
Разр д характеризуетс относительно большим анодным током и малым падением напр жени «а участке катод - испар емый материал . Например, при исттарении меди из вольфрамового тигл со скоростью 1,0 г/мин см ток достигал 2 а, а напр жение 400 -в.
Продольное силовое поле лосто иного электромагнита 8 обжимает столб разр да и выталкивает ионизованный лар .по иаправлению к подложке 10. В электрическом поле электрода 11 поток дополнительно фокусируетс и уокоренный в продольном поле магнита 12 осаждаетс иа подложку 10.
Режим испарени устанавливаетс по току в датчике 13 при закрытой заслонке 14. Установив требуемую скорость испарени , заслонка откры1ваетс и произ1водитс осаждение покрытий .
Предмет изобретени
Устройство дл нанесени покрытий IB вакууме , содержащее высоковольтный источник и вакуумную камеру с расположенными внутри нее кольцевым термоэлектронным катодом, системой электростатической фокусировки и испарителем, наход щимс иод потен-циалом анода, отличающеес тем, что, с целью
повышени производительности и ста-бИЛ1Изации процесса испарени , оно снабжено дополнительным источником питани , подключенным через систему коммутации к атаоду, кольцевому термоэлектронному катоду и шысоковольтному источнику, « установленным между катодом и ишариггелем посто нным электромагнитом , ось которого совмещена с оптической осью системы электростатической фокуси PQBIKM.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1334566A SU300079A1 (ru) | 1969-06-02 | 1969-06-02 | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1334566A SU300079A1 (ru) | 1969-06-02 | 1969-06-02 | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU300079A1 true SU300079A1 (ru) | 1975-01-05 |
Family
ID=20445933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1334566A SU300079A1 (ru) | 1969-06-02 | 1969-06-02 | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU300079A1 (ru) |
-
1969
- 1969-06-02 SU SU1334566A patent/SU300079A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3562141A (en) | Vacuum vapor deposition utilizing low voltage electron beam | |
US4448802A (en) | Method and apparatus for evaporating material under vacuum using both an arc discharge and electron beam | |
US3479545A (en) | Surface ionization apparatus and electrode means for accelerating the ions in a curved path | |
US4381453A (en) | System and method for deflecting and focusing a broad ion beam | |
JPS62120472A (ja) | 電弧蒸着方法及び装置 | |
US5315121A (en) | Metal ion source and a method of producing metal ions | |
US5144143A (en) | Device for the ionization of metals having a high melting point, which may be used on ion implanters of the type using ion sources of freeman or similar type | |
Probyn | A low-energy ion source for the deposition of chromium | |
SU300079A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме | |
JPH0456761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
US3517240A (en) | Method and apparatus for forming a focused monoenergetic ion beam | |
EP0378970A2 (en) | Cold-cathode, ion-generating and ion-accelerating universal device | |
US3275867A (en) | Charged particle generator | |
US11004649B2 (en) | Ion source device | |
US4731540A (en) | Ion beam materials processing system with neutralization means and method | |
JP3406769B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
RU2082255C1 (ru) | Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления | |
JPH0214426B2 (ru) | ||
Delmore et al. | An autoneutralizing neutral molecular beam gun | |
US3472999A (en) | Electron beam generating device | |
SU378119A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме | |
US20240145207A1 (en) | Ion Source Cathode | |
JP2769506B2 (ja) | イオン源 | |
RU2053312C1 (ru) | Способ нанесения покрытий в вакууме и устройство для нанесения покрытий в вакууме | |
SU213553A1 (ru) | Способ электроннолучевого напылени |