SU220961A1

SU220961A1 - METHOD OF CONTROL OF THE DIAMETER OF THE CRYSTAL

Info

Publication number: SU220961A1
Application number: SU1171364A
Authority: SU
Original assignee: Ю. П. Белогуров , А. В. Радкевич

Description

Известный .способ контрол диаметра кристалла , наход щегос в тигле, в процессе выращивани его из расплава заключаетс в сравнении величины поглощени радиоактивного излучени выращиваемым кристаллом и эталоном.The known method of controlling the diameter of a crystal in a crucible during its growth from the melt consists in comparing the amount of radioactive radiation absorbed by the crystal being grown and the reference.

Особенностью описываемого способа вл етс то, что выращиваемый кристалл периодически поднимают относительно тигл на заданную высоту и измер ют уровни расплава в тигле до и после подъема. Это позвол ет определить диаметр кристалла в процессе выращивани без использовани сложного оборудовани .The peculiarity of the described method is that the crystal being grown is periodically raised relative to the crucible to a predetermined height and the levels of melt in the crucible are measured before and after the rise. This makes it possible to determine the crystal diameter during the growth process without the use of sophisticated equipment.

Расплав исходного материала находитс в тигле, представл ющем собой сосуд цилиндрической формы. В процессе роста кристалла его периодически поднимают относительно тигл на небольшую высоту пор дка 1 мм. Уровень расплава в тигле при подъеме кристалла понижаетс на величину, соответствующую высоте -подъема и диаметру кристалла. Счита , что часть кристалла, .подн та в данный пери-од , имеет вследствие малой высоты цилиндрическую форму, измер ют уровни расплава в тигле до и после подъема и определ ют диаметр кристалла по формулеThe melt of the starting material is in a crucible, which is a cylindrical vessel. In the process of crystal growth, it is periodically raised relative to the crucible to a small height of the order of 1 mm. The level of the melt in the crucible during the rise of the crystal decreases by an amount corresponding to the height of the ascent and the diameter of the crystal. Considering that a part of the crystal, raised during this period, has a cylindrical shape due to its low height, the levels of melt in the crucible are measured before and after lifting, and the diameter of the crystal is determined by the formula

ДЛоDLO

YTIYti

Дкр Д:Dcr D:

р - -крp - cr

где Дкр -диаметр кристалла; Дт -диаметр тигл ; Аир - изменение уровн расплава;where Dkr is the diameter of a crystal; Dt - diameter of the crucible; Air is the change in the melt level;

ДЛкр -высота подъема кристалла, DLcr - the rise of the crystal,

Способ предназначен преимущественно дл The method is intended primarily for

определени диаметра кристаллов при выращивании их по способу Киропулоса, при диаметрах кристаллов, сравнимых с -половиной диаметра тигл .determining the diameter of the crystals when growing them according to the Kyropoulos method, with crystal diameters comparable to half the diameter of the crucibles.

Предмет изобретени Subject invention

Способ контрол диаметра кристалла в процессе выращивани его из расплава, наход щегос в тигле, отличающийс тем, что, с целью упрощени контрол , выращиваемый кристалл периодически поднимают относительно тигл на заданную высоту и измер ют уровни расплава в тигле до и после подъема.A method of controlling the diameter of a crystal during its growth from a melt contained in a crucible, characterized in that, in order to simplify control, the crystal being grown is periodically raised relative to the crucible to a predetermined height and the melt levels in the crucible are measured before and after the rise.