Томский государственный университет им.В.В.Куйбышева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Томский государственный университет им.В.В.КуйбышеваfiledCriticalТомский государственный университет им.В.В.Куйбышева
Priority to SU4652655/33ApriorityCriticalpatent/SU1829320A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1829320A1publicationCriticalpatent/SU1829320A1/ru
Изобретение относится к производству стеклокристаллических материалов и может быть использовано при создании элементов мощных газовых лазеров, а также в качестве рабочего тела высоковольтных конденсаторов большой емкости. Для повышения диэлектрической проницаемости материала в способе получения стеклокристаллического сегнетоэлектрического материала, включающем расплавление на воздухе шихты, содержащей TiO, кристаллизацию и отжиг, шихта дополнительно содержит BaCOи Si при следующем соотношении компонентов, мас. % : TiO27,3 - 28,0; BaCO67,5 - 69,2 и Si 2,8 - 5,2. Величина диэлектрической проницаемости полученного материала составляет 450000 - 530000. 1 табл.
SU4652655/33A1989-02-201989-02-20Способ получения стеклокристаллического сегнетоэлектрического материала
SU1829320A1
(ru)
Process for producing 27-halogeno-derivatives of ll-f28249compounds and antiparasitic compositions containing them as active components and insecticide compositions
Process for production of sugar-phosphates and sulphonates of epipodophillotoxin-glycosides and medical compositions containing them as active substance
2'-dezamino-4'-desoxy-4'-amino-8-fluoro-anthracycline derivatives, process for producing them as well as pharmaceutical preparatives containing said compounds as active substance