SU1820638A1 - Способ непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава - Google Patents

Способ непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава

Info

Publication number
SU1820638A1
SU1820638A1 SU4787064/26A SU4787064A SU1820638A1 SU 1820638 A1 SU1820638 A1 SU 1820638A1 SU 4787064/26 A SU4787064/26 A SU 4787064/26A SU 4787064 A SU4787064 A SU 4787064A SU 1820638 A1 SU1820638 A1 SU 1820638A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
melt
articles
seed crystal
continuous production
displacement
Prior art date
Application number
SU4787064/26A
Other languages
English (en)
Inventor
В.В. Пеллер
Б.Н. Корчунов
А.С. Костыгов
Original Assignee
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе filed Critical Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority to SU4787064/26A priority Critical patent/SU1820638A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1820638A1 publication Critical patent/SU1820638A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава и позволяет регулировать форму поперечного сечения выращиваемых изделий, увеличить их длину, получать изделия с криволинейной продольной осью и изделия малой толщины. Изделия вытягивают из расплава на затравку. Затравку удерживают на оси вытягивания, а столб расплава, примыкающий к фронту кристаллизации, плавно перемещают от оси вытягивания. Отношение скорости столба расплава, примыкающий к фронту кристаллизации, плавно перемещают от оси вытягивания. Отношение скорости столба расплава в горизонтальной плоскости к скорости перемещения затравки ≅6. Даны режимы регулирования параметров процесса для получения различных профилей изделий. На поверхность изделия подают хладагент. 5. з. п. ф-лы. 7 ил.
SU4787064/26A 1990-01-30 1990-01-30 Способ непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава SU1820638A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4787064/26A SU1820638A1 (ru) 1990-01-30 1990-01-30 Способ непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4787064/26A SU1820638A1 (ru) 1990-01-30 1990-01-30 Способ непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1820638A1 true SU1820638A1 (ru) 1996-10-27

Family

ID=60537151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4787064/26A SU1820638A1 (ru) 1990-01-30 1990-01-30 Способ непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1820638A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0072565B1 (de) Verfahren zur Herstellung grob- bis einkristalliner Folien aus Halbleitermaterial
TW371275B (en) Sputtering target of single crystal aluminum alloy and method for producing the same
MY108707A (en) Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates.
BR9000624A (pt) Pigmento de cristal liquido,processo de producao,composicao para revestimento e substato
CN1884634A (zh) 生长高性能管状蓝宝石的方法
DE58904096D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von samenfruechte-krokant.
Langlois Convection in Czochralski growth melts.
GB1528897A (en) Method of purifying silicon
EP0174004A3 (en) Process for making a crystalline article from a melt
SU1820638A1 (ru) Способ непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава
DE69025949D1 (de) Verfahren zum wachstum von enzymkristallen
CO5231207A1 (es) Metodo para ajustar el tamano de los cristales en las cristalizacion masiva continua
DE69323349D1 (de) Wasserstoffeinschliessender Seltenerd-Metall-Nickel-Legierungsblock sowie Verfahren zur dessen Herstellung
ATE367462T1 (de) Anordnung zur herstellung von kristallstäben mit definiertem querschnitt und kolumnarer polykristalliner struktur mittels tiegelfreier kontinuierlicher kristallisation
NZ337637A (en) A process for the crystallization of lactitol from aqueous lactitol solution
JPS6418985A (en) Production of oxide single crystal
HUT58834A (en) Process for producing gadolinium-gallium-granate-based laser material
SU548312A1 (ru) Способ разращивани активированных монокристаллов
CN1050912A (zh) 一种生长星光宝石的方法
Kirov Initial Growth Stages of Man‐made Quartz Crystals and Growth Mechanism of their (0001) Face
JPS52149273A (en) Production of plate-shaped crystal
JPS6479088A (en) Production of semiconductor single crystal
Sinelnikova et al. Single Crystals of Titanium Carbide and Their Certain Properties
JPS61242981A (ja) 単結晶の製造方法
CN109778123A (zh) 一种应用溅射法制备高纯度钛溅射靶材的方法