SU1765847A1

SU1765847A1 - Способ измерени эффективного магнитного пол одноосной анизотропии в магнитной пленке

Info

Publication number: SU1765847A1
Application number: SU904871015A
Authority: SU
Inventors: Михаил Владимирович Логунов; Владимир Васильевич Рандошкин
Original assignee: М.В.Логунов и В.В.Рандошкин
Priority date: 1990-09-06
Filing date: 1990-09-06
Publication date: 1992-09-30

Abstract

Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано дл аттестации магнитных пленок, предназначенных дл использовани в магнитооптических устройствах обработки и хранени информации. Целью изобретени вл етс снижение потребл емой мощности и расширение области применени способа путем измерени эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией . Способ основан на намагничивании магнитной пленки до насыщени перпендикул рно ее плоскости магнитным полем смещени Нем, воздействии на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Ни и регистрации доменов с обратной намагниченностью, причем регистрируют плотность доменов Р с обратной намагниченностью, зарождающихс во врем действи импульсного магнитного пол Ни, измен ют напр женность внешнего магнитного пол Н Ни - НСм и определ ют зависимость Р 1 от Н. по которой суд т об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке . 1 ил. (Л С

Description

Изобретение относитс к области вычислительной техники и может быть использовано дл аттестации магнитных пленок, предназначенных дл магнитооптических устройств обработки и хранени информации .

Целью изобретени вл етс снижение потребл емой мощности и расширение области применени способа путем измерени эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией,

Дл этого магнитную пленку намагничивают до насыщени перпендикул рно ее плоскости магнитным полем смещени Нем, воздействуют на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Ни, регистрируют плотность Р доменов с обратной намагниченностью, зарождающихс во врем действи импульсного магнитного пол Ни, измен ют напр женность внешнего магнитного пол Н Ни - Нем и определ ют зависимость от Н, по которой суд т об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке путем экстрапол ции этой зависимости до пересечени с осью абсцисс.

Изобретение по сн етс чертежом, где приведена зависимость от Н, а также зависимость т от Н, по которой определ ют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе. Здесь т- врем перемагничивани магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстрапол ции криXI

IO СП 00

5

вой Р 1(Н) и участка кривой т (Н) с наибольшей крутизной точка пересечени с осью абсцисс одна и та же. Дл построени кривой (Н) требуютс меньшие внешние пол , чем дл построени кривой f1 (H).

Способ реализован при исследовании монокристаллических пленок феррит-граната состава (Bi, Но)з(Ре, Ca)sOi2 со слабой одноосной анизотропией, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из гадолиний-галлиевого граната, на установке высокоскоростной фотографии. Магнитную пленку помещали на столик пол ризационного микроскопа. Перпендикул рно плоскости пленки прикладывали поле смещени Нем 600 Э, намагничивающее пленку до насыщени . В противоположном направлении прикладывали импульсное магнитное поле с амплитудой Ни, измен ющейс в диапазоне от 100 до 850 Э. Измен задержку импульса подсветки в установке высокоскоростной фотографии относительно начала импульса магнитного пол , регистрировали число доменов с обратной намагниченностью в поле зрени микроскопа , зарождающихс в процессе действи импульса магнитного пол . Кроме того, регистрировали врем перемагничи.вани г магнитной пленки. Строили зависимости

,

„-1

Р (Н)ит (Н), показанные на чертеже. Вид-

0

5

0

5

0

но, что экстрапол ци обеих кривых дает значение эффективного магнитного пол одноосной анизотропии равное 108 Э.

Claims

Формула изобретени Способ измерени эффективного магнитного пол одноосной анизотропии в магнитной пленке, основанный на намагничивании магнитной пленки до насыщени перпендикул рно ее плоскости магнитным полем смещени Нем, воздействии на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Ни и регистрации доменов с обратной намагниченностью , отличающийс тем, что, с целью снижени потребл емой мощности и расширени области применени способа путем измерени эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией , регистрируют плотность Р доменов с обратной намагниченностью, зарождающихс во врем действи импульсного магнитного пол Ни, измен ют напр женность внешнего магнитного пол Н Ни - Нем и определ ют зависимость от Н, по которой суд т об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке путем экстрапол ции этой зависимости до пересечени с осью абсцисс.

-{

J,

6ГИ.

- ЧоО -ice

г Л

/W

-1

20

200