SU1735023A1 - Резец дл разделени полупроводниковых пластин на кристаллы - Google Patents

Abstract

Использование: в производстве полупроводниковых приборов. Сущность изобретени : режуща  часть резца выполнена с выступами, высота которых равна 0,8-1,0 мм и толщиной 0,2-0,25 мм. 5 ил.

Description

Изобретение относитс  к области производства полупроводниковых приборов.

Известен резец, имеющий пилообразный профиль рабочей части, с помощью которого на полупроводниковой пластине прорезаютс  на глубине, меньшей ее толщины , лунки в двух взаимно перпендикул рных направлени х. Дл  окончательного разделени  пластин на кристаллы используетс  струнна  резка по центрам лунок пластины .

Известен также профильный резец дл  изготовлени  кристаллов полупроводниковых приборов, в котором режуща  кромка имеет клиновидную форму. Резец прорезает пластину на всю глубину.

Недостатками применени  данных резцов  вл ютс  в первом случае наличие двух операций и смещение контактных поверхностей , а во втором - образование острых кромок у основани  кристаллов, что приводит вследствие хрупкости материала к нарушению их целостности, а это снижает качество кристаллов и приборов изготовленных на их основе.

Целью изобретени   вл етс  повышение качества обработки кристаллов

Поставленна  цель достигаетс  тем, что у резца дл  разделени  полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащего режущую часть дл  получени  фаски, режуща  часть снабжена выступами, имеющими высоту 0,8-1 мм и толщину 0,2-0,25 мм.

На фиг.1 дано изготовление резца из металлического бруса; на фиг.2 - армировка резца алмазными зернами; на фиг.З и 4 - резец при обработке кремниевой пластины, на фиг.5 - полупроводникова  пластина после обработки.

Резец (фиг.1) изготовл етс  из металлического бруска 1 пр моугольной формы, на одной из больших поверхностей которого абразивным профильным диском 2 протачиваетс  р д параллельно расположенных канавок с наклонными стеиками 3 и широкой частью 4, равной размеру кристалла. Канавки соедин ютс  выступами 5 высотой h 0.8-1 мм и толщиной I 0,1-0,15 мм, расположенными в верхней их части.

fe

XJ

GJ ;СЛ |0

ю со

Полученна  таким образом профильна  поверхность на бруске служит рабочей частью резца. Дл  придани  резцу режущих свойств его рабоча  кромка известным способом армируетс  алмазными зернами (фиг.2). С учетом покрыти  алмазным слоем 1 и толщиной 0,05 мм линейные параметры выступов 2 резца 3 будут равны 0,2-0,25 мм.

В результате проведенных экспериментальных исследований были определены оптимальные размеры выступов резца. Увеличение , в сравнении с оптимальными, размеров выступов приводит к увеличению времени резки и расхода полупроводникового материала, а также повышает механи- ческие напр жени  в кристаллах, снижа  тем самым их качество.

Уменьшение размеров приводит к нарушению целостности нижней кромки кристаллов , что также снижает качество полупроводниковых элементов.

Предлагаемый резец был опробован на производственном участке резки полупроводниковых пластин с р-п структурой на кристаллы.

Процесс резки пластин на кристаллы проводилс  в следующей последовательности .

Кремниева  пластина (фиг.З) с р-п переходом 1 с помощью шеллака 2 наклеиваетс  на стекл нное основание 3 оправы 4. Оправа с наклеенной пластиной устанавливаетс  на станке и прижимаетс  к рабочей части резца 5, имеющего профиль, соответствующий показанному на фиг.2, и угол наклона боковых стенок, равный 20 г. В рабочем состо нии резцу сообщаетс  возвратно-поступательное движение в горизонтальной плоскости, а к его рабочей поверхности прижимаетс  оправа с наклеенной пластиной. В результате рабоча  часть резца 1 (фиг.4) срезает материал и, проход  через пластину , образует ленты 2 с боковой поверхностью , соответствующей профилю его рабочей части и с утолщени ми у основани .

После первого этапа резки оправу с кремниевыми лентами поворачивают на 90° и повтор ют процесс резки.

В результате обработки полупроводниковой .пластины предлагаемым резцом получают кристаллы 1 (фиг,5), имеющие форму усеченной пирамиды с выходом р-п перехода 2 на боковую поверхность с углом наклона 20 по отношению к его основанию, что обеспечивает в приборе управл емое лави- нообразование по обратному току.

Благодар  применению резца с выступами , у основани  кристаллов образуетс  пр моугольна  часть 3 между основанием и боковой поверхностью вместо острой, что и обеспечивает целостность получаемых кристаллов и, следовательно, повышает качество полупроводниковых изделий при высоком выходе годных.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Резец дл  разделени  полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащий режущую часть дл  получени  фаски на кристаллах, отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества обработки кристаллов, режуща  часть выполнена с выступами высотой 0,8-1 мм и толщиной 0,2- 0.25 мм.

   /

   Фиг. /

   Флг.г

   /

   учЧУч у; ч & -у (, ///// // //Х .

   /

   Фиг. 5