SU1711271A1 - Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material - Google Patents

Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material Download PDF

Info

Publication number
SU1711271A1
SU1711271A1 SU894648501A SU4648501A SU1711271A1 SU 1711271 A1 SU1711271 A1 SU 1711271A1 SU 894648501 A SU894648501 A SU 894648501A SU 4648501 A SU4648501 A SU 4648501A SU 1711271 A1 SU1711271 A1 SU 1711271A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
semiconductor
probe
production
dielectric material
electric contact
Prior art date
Application number
SU894648501A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Евгений Николаевич Бормонтов
Виктор Васильевич Крячко
Владимир Федорович Сыноров
Юрий Сергеевич Чистов
Original Assignee
Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола filed Critical Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority to SU894648501A priority Critical patent/SU1711271A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1711271A1 publication Critical patent/SU1711271A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано при - контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении. Целью изобретени   вл етс  повышение воспроизводимости площади контакта. Сущность изобретени  заключаетс  в том, что к слою диоксида кремни  толщиной 2 мкм прижимают зонд из плавленого инди , выполненный в виде конуса высотой 2,5 мм, и измер ют емкость. Усилие прижима обеспечивает давление зонда, равное 2-4 Н/мм2. Воспроизводимость площади контакта составл ет до 99,9%.The invention relates to a measuring technique and can be used in the control of technological processes in semiconductor instrument making. The aim of the invention is to increase the reproducibility of the contact area. The essence of the invention is that a probe of fused indium, made in the form of a 2.5 mm high cone, is pressed against a layer of silicon dioxide 2 microns thick, and the capacitance is measured. The clamping force provides a probe pressure of 2-4 N / mm2. The reproducibility of the contact area is up to 99.9%.

Description

слcl

сwith

, Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано при контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении.The invention relates to a measuring technique and can be used in the control of technological processes in semiconductor instrument making.

Целью изобретени   вл етс  повышение воспроизводимости площади контакта.The aim of the invention is to increase the reproducibility of the contact area.

Сущность изобретени  заключаетс  в том, что зонд из сплошного инди  прижимают с усилием, обеспечивающим давление, равное 2-4 Н/мм2, к поверхности полупроводника или диэлектрика и выдерживают не менее трех минут при нормальной температуре .The essence of the invention is that the probe from solid indium is pressed with a force providing a pressure of 2-4 N / mm2 to the surface of the semiconductor or dielectric and is held for at least three minutes at normal temperature.

Пример. Изготавливают зонд, представл ющий собой медный стержень, к нижнему основанию которого (диаметром 2 мм) наплавлен индий в форме конуса высотой 2,5 мм. Исследуемым объектом  вл етс  двухслойна  структура диэлектрик - полупроводник , выполненна  на основе кремниевой пластины n-типа проводимости (КЭФ - 7,5) со слоем S102 толщиной 2 мкм. На диэлектрике нанесены царапины глубиной до 0,5 мкм с помощью алмазной пасты АСМ - 0,5.Example. A probe is made, which is a copper rod, to the bottom base of which (2 mm in diameter) indium is deposited in the form of a cone 2.5 mm high. The object under study is a two-layer dielectric-semiconductor structure, made on the basis of an n-type silicon wafer (EFC-7.5) with a layer S102 2 μm thick. The dielectric was scratched to a depth of 0.5 μm with the help of diamond paste AFM - 0.5.

После прижати  зонда к диэлектрику вAfter pressing the probe to the dielectric in

Н течение трех минут с давлениемР 3H for three minutes with pressure P 3

наon

ммmm

юYu

vjvj

измерителе полной проводимости Л2-7 измерена геометрическа  емкость полученной МДП-структуры, котора  равна 21,3 пФ. С использованием термически напыленных алюминиевых электродов той же площади, что и индиевый зонд, дл  величины геометрической емкости получают значение 20,7 пФ.the impedance meter Л2-7 measured the geometric capacitance of the resulting MIS-structure, which is equal to 21.3 pF. Using thermally sprayed aluminum electrodes of the same area as the indium probe, a value of 20.7 pF is obtained for the geometric capacitance value.

Использование изобретени  позвол ет без .дополнительной операции напылени The use of the invention allows without additional spraying operation.

определ ть параметры материала с почти такой же точностью, как и при использовании термически напыленных электродов вне зависимости от рельефа поверхности материала.determine the parameters of the material with almost the same accuracy as when using thermally sprayed electrodes regardless of the surface topography of the material.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ создани  электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику,A method of making electrical contact to a semiconductor or dielectric, 00 включающий прижатие с усилием металлического зонда к поверхности полупроводника или диэлектрика и выдержку при нормальной температуре, отличающий- с   тем, что, с целью повышени  воспроизводимости площади контакта, в качестве материала зонда используют сплошной индий, усилие прижати  зонда выбирают обеспечивающим давление, равное 2-4 Н/мм2, а врем  выдержки выбирают не меньшим 3 мин.including pressing with the force of a metal probe to the surface of a semiconductor or dielectric and holding at a normal temperature; N / mm2, and the exposure time is chosen not less than 3 minutes.
SU894648501A 1989-02-07 1989-02-07 Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material SU1711271A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894648501A SU1711271A1 (en) 1989-02-07 1989-02-07 Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894648501A SU1711271A1 (en) 1989-02-07 1989-02-07 Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1711271A1 true SU1711271A1 (en) 1992-02-07

Family

ID=21427824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894648501A SU1711271A1 (en) 1989-02-07 1989-02-07 Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1711271A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР Мг 995000, кл. G 01 R 1/06, 1983. Авторское свидетельство СССР Мг 476517, кл. G 0-1 R 1 /06. 1975. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5528153A (en) Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films
Mirkin et al. Scanning electrochemical microscopy part 13. Evaluation of the tip shapes of nanometer size microelectrodes
US7023231B2 (en) Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof
FI78784C (en) TRYCKGIVARKONSTRUKTION OCH FOERFARANDE FOER FRAMSTAELLNING DAERAV.
JP2001505369A (en) Method and apparatus for detecting characteristics of sample made of semiconductor material
ATE333652T1 (en) NON-INVASIVE ELECTRICAL MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR DISCS
US3826984A (en) Measuring device for the dynamic measurement of semiconductor parameters and method of making such a device
SU1711271A1 (en) Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material
US3416078A (en) Method of determining resistivity of a thin layer
US3787764A (en) Solid dielectric capacitance gauge for measuring fluid pressure having temperature compensation and guard electrode
CA1139585A (en) Apparatus for porosimetric measurements
SU669430A1 (en) Probe head
RU89240U1 (en) DIAMOND PRESSURE SENSOR
SU989422A1 (en) Humidity and temperature pickup
RU1775753C (en) Method of charge carrier mobility profile determination in semiconductor layers
SU1478108A1 (en) Capacitance moisture meter
SU657373A1 (en) Contact tip
RU2107257C1 (en) Device for measuring of flat article thickness and method of its realization
RU89241U1 (en) DIAMOND ACCELERATION SENSOR
JPS5717873A (en) Inspection method of semiconductor element
JPH0368330B2 (en)
FR2496871A1 (en) Measurement of narrow gap between two hot metal workpieces - by determn. of capacitance between surface of one piece and metal sensor located on other piece
JPS54157479A (en) Electrode terminal forming method to wiring connecting semiconductor elements
JPH04233469A (en) Measuring electrode
SU1033853A1 (en) Device for measuring thickness of dielectric film applied to conductive base