SU1711271A1 - Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material - Google Patents
Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material Download PDFInfo
- Publication number
- SU1711271A1 SU1711271A1 SU894648501A SU4648501A SU1711271A1 SU 1711271 A1 SU1711271 A1 SU 1711271A1 SU 894648501 A SU894648501 A SU 894648501A SU 4648501 A SU4648501 A SU 4648501A SU 1711271 A1 SU1711271 A1 SU 1711271A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- semiconductor
- probe
- production
- dielectric material
- electric contact
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной технике и может быть использовано при - контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении. Целью изобретени вл етс повышение воспроизводимости площади контакта. Сущность изобретени заключаетс в том, что к слою диоксида кремни толщиной 2 мкм прижимают зонд из плавленого инди , выполненный в виде конуса высотой 2,5 мм, и измер ют емкость. Усилие прижима обеспечивает давление зонда, равное 2-4 Н/мм2. Воспроизводимость площади контакта составл ет до 99,9%.The invention relates to a measuring technique and can be used in the control of technological processes in semiconductor instrument making. The aim of the invention is to increase the reproducibility of the contact area. The essence of the invention is that a probe of fused indium, made in the form of a 2.5 mm high cone, is pressed against a layer of silicon dioxide 2 microns thick, and the capacitance is measured. The clamping force provides a probe pressure of 2-4 N / mm2. The reproducibility of the contact area is up to 99.9%.
Description
слcl
сwith
, Изобретение относитс к измерительной технике и может быть использовано при контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении.The invention relates to a measuring technique and can be used in the control of technological processes in semiconductor instrument making.
Целью изобретени вл етс повышение воспроизводимости площади контакта.The aim of the invention is to increase the reproducibility of the contact area.
Сущность изобретени заключаетс в том, что зонд из сплошного инди прижимают с усилием, обеспечивающим давление, равное 2-4 Н/мм2, к поверхности полупроводника или диэлектрика и выдерживают не менее трех минут при нормальной температуре .The essence of the invention is that the probe from solid indium is pressed with a force providing a pressure of 2-4 N / mm2 to the surface of the semiconductor or dielectric and is held for at least three minutes at normal temperature.
Пример. Изготавливают зонд, представл ющий собой медный стержень, к нижнему основанию которого (диаметром 2 мм) наплавлен индий в форме конуса высотой 2,5 мм. Исследуемым объектом вл етс двухслойна структура диэлектрик - полупроводник , выполненна на основе кремниевой пластины n-типа проводимости (КЭФ - 7,5) со слоем S102 толщиной 2 мкм. На диэлектрике нанесены царапины глубиной до 0,5 мкм с помощью алмазной пасты АСМ - 0,5.Example. A probe is made, which is a copper rod, to the bottom base of which (2 mm in diameter) indium is deposited in the form of a cone 2.5 mm high. The object under study is a two-layer dielectric-semiconductor structure, made on the basis of an n-type silicon wafer (EFC-7.5) with a layer S102 2 μm thick. The dielectric was scratched to a depth of 0.5 μm with the help of diamond paste AFM - 0.5.
После прижати зонда к диэлектрику вAfter pressing the probe to the dielectric in
Н течение трех минут с давлениемР 3H for three minutes with pressure P 3
наon
ммmm
юYu
vjvj
измерителе полной проводимости Л2-7 измерена геометрическа емкость полученной МДП-структуры, котора равна 21,3 пФ. С использованием термически напыленных алюминиевых электродов той же площади, что и индиевый зонд, дл величины геометрической емкости получают значение 20,7 пФ.the impedance meter Л2-7 measured the geometric capacitance of the resulting MIS-structure, which is equal to 21.3 pF. Using thermally sprayed aluminum electrodes of the same area as the indium probe, a value of 20.7 pF is obtained for the geometric capacitance value.
Использование изобретени позвол ет без .дополнительной операции напылени The use of the invention allows without additional spraying operation.
определ ть параметры материала с почти такой же точностью, как и при использовании термически напыленных электродов вне зависимости от рельефа поверхности материала.determine the parameters of the material with almost the same accuracy as when using thermally sprayed electrodes regardless of the surface topography of the material.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894648501A SU1711271A1 (en) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894648501A SU1711271A1 (en) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1711271A1 true SU1711271A1 (en) | 1992-02-07 |
Family
ID=21427824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894648501A SU1711271A1 (en) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1711271A1 (en) |
-
1989
- 1989-02-07 SU SU894648501A patent/SU1711271A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР Мг 995000, кл. G 01 R 1/06, 1983. Авторское свидетельство СССР Мг 476517, кл. G 0-1 R 1 /06. 1975. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5528153A (en) | Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films | |
Mirkin et al. | Scanning electrochemical microscopy part 13. Evaluation of the tip shapes of nanometer size microelectrodes | |
US7023231B2 (en) | Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof | |
FI78784C (en) | TRYCKGIVARKONSTRUKTION OCH FOERFARANDE FOER FRAMSTAELLNING DAERAV. | |
JP2001505369A (en) | Method and apparatus for detecting characteristics of sample made of semiconductor material | |
ATE333652T1 (en) | NON-INVASIVE ELECTRICAL MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR DISCS | |
US3826984A (en) | Measuring device for the dynamic measurement of semiconductor parameters and method of making such a device | |
SU1711271A1 (en) | Method of production of electric contact to semiconductor or dielectric material | |
US3416078A (en) | Method of determining resistivity of a thin layer | |
US3787764A (en) | Solid dielectric capacitance gauge for measuring fluid pressure having temperature compensation and guard electrode | |
CA1139585A (en) | Apparatus for porosimetric measurements | |
SU669430A1 (en) | Probe head | |
RU89240U1 (en) | DIAMOND PRESSURE SENSOR | |
SU989422A1 (en) | Humidity and temperature pickup | |
RU1775753C (en) | Method of charge carrier mobility profile determination in semiconductor layers | |
SU1478108A1 (en) | Capacitance moisture meter | |
SU657373A1 (en) | Contact tip | |
RU2107257C1 (en) | Device for measuring of flat article thickness and method of its realization | |
RU89241U1 (en) | DIAMOND ACCELERATION SENSOR | |
JPS5717873A (en) | Inspection method of semiconductor element | |
JPH0368330B2 (en) | ||
FR2496871A1 (en) | Measurement of narrow gap between two hot metal workpieces - by determn. of capacitance between surface of one piece and metal sensor located on other piece | |
JPS54157479A (en) | Electrode terminal forming method to wiring connecting semiconductor elements | |
JPH04233469A (en) | Measuring electrode | |
SU1033853A1 (en) | Device for measuring thickness of dielectric film applied to conductive base |