SU1704195A1 - Устройство дл исследовани глубоких уровней в полупроводниках - Google Patents

Устройство дл исследовани глубоких уровней в полупроводниках Download PDF

Info

Publication number
SU1704195A1
SU1704195A1 SU894795198A SU4795198A SU1704195A1 SU 1704195 A1 SU1704195 A1 SU 1704195A1 SU 894795198 A SU894795198 A SU 894795198A SU 4795198 A SU4795198 A SU 4795198A SU 1704195 A1 SU1704195 A1 SU 1704195A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
input
output
constant
unit
block
Prior art date
Application number
SU894795198A
Other languages
English (en)
Inventor
Валентин Викторович Гусаров
Александр Владимирович Шугинин
Николай Алексеевич Соболев
Владимир Анатольевич Костылев
Original Assignee
Специальное Конструкторское Бюро Физико-Технического Института Им.А.Ф.Иоффе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Специальное Конструкторское Бюро Физико-Технического Института Им.А.Ф.Иоффе filed Critical Специальное Конструкторское Бюро Физико-Технического Института Им.А.Ф.Иоффе
Priority to SU894795198A priority Critical patent/SU1704195A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1704195A1 publication Critical patent/SU1704195A1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов дл  определени  параметров электрически активных дефектов в полупроводниках. Цель изобретени  - повышение точности измерени  посто нных времени релаксации спектра глубоких уровней и повышение производительности. Повышение точности достигаетс  путем компенсации посто нной составл ющей сигнала и раздельного измерени  посто нных времени релаксации экспоненциальных составл ющих, содержащихс  в исследуемом сигнале. Измерение посто нных времени релаксации в течение одного периода повторени  напр жени  импульсного смещени  повышает производительность устройства при экспресс-анализе. 5 ил. Ё

Description

Изобретение относитс  к полупроводниковой технике, предназначено дл  определени  параметров электрически активных дефектов в полупроводниках и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов.
Известно устройство дл  определени  параметров глубоких уровней в полупроводниках , содержащее криостат, источники импульсного и посто нного смещени , измеритель емкости, блок регулировки температуры , самописца, стробоскопический интегратор, импульсный интегратор, устройство выборки и хранени  и синхронизатор .
Известно также устройство дл  измерени  параметров глубоких уровней, содержащее C-V- характериограф, генератор импульсов смещени , генератор строб-импульсов , генератор нулевой линии, криостат . самописец и осциллограф.
Недостатками таких устройств  вл ютс  низка  точность определени  посто нной времени релаксации емкости при перезар дке глубоких уровней в полупроводниковых структурах, что приводит к ошибкам при определении р да параметров p-n-структур. Кроме того, указанные устройства не позвол ют одновременно измер ть посто нные времени экспоненциальных
Ч
О
Јь
ю ел
Функций, содержащихс  в сигнале релаксации спектра глубоких уровней (РСГУ).
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству  вл етс  прототип устройства дл  измерени  пара- 5 метров глубоких уровней в полупроводниках , содержащее криостат с датчиком температуры, по крайней мере два блока преобразовани  с устройствами выборки и хранени  и вычитающими устройствами, из- 10 меритель емкости, выход которого подключен к первым входам всех устройств выборки и хранени , программатор, подключенный к управл ющим входам устройств выборки и хранени  и к источнику 15 импульсного смещени , и источник посто нного смещени , причем все блоки преобразовани , начина  со второго, содержат одно устройство выборки и хранени , выход которого подключен ко второму входу вычи- 20 тающего устройства этого блока преобразовани  и к первому входу вычитающего устройства следующего блока преобразовани , в первый вход вычитающего устройства второго блока преобразовани  подключен к 25 выходу второго устройства выборки и хранени  первого блока преобразовани .
Релаксаци  емкости образца, вызванна  воздействием на образец напр жением посто нного и импульсного смещени , не- 30 прерывно измер етс  измерителем емкости. При этом выборку значений релаксационного сигнала производ т в определенные моменты времени ti,t2 и 13 с помощью отдельного устройства выборки и хранени  35 первого и второго блока преобразовани . Напр жени  i с устройств выборки и хрзне- ни  поступают на вычитающие устройства, с выходов которых снимаютс  разностные напр жени  Д L r, величине которых пр мо- 40 пропорционально соответствует величине разности измер емой емкости ДСп C(tn) - С (ь-ч). где г - 1,2.3 и т.д и регистрируетс  регистратором, Определение параметров глубоких уровней проводитс  по известным 45 методикам из зависимости изменени  Д Сп от температуры образца.
Недостатком известного устройства  вл етс  невысока  точность определени  посто нной зремени релаксации емкости 50 р-п-перехсдз. поскольку Б устройстве не предусмотрена компенсаци  посто нной составл ющей выходного сигнала измерител  емкости.
Другим недостатком известного устрой- 55 ства  вл етс  невозможность измерени  в течение одного периода повторени  им- лульс огс напр жени  смещени  посто нной времени релаксации нескольких
экспоненциальных функций, содержащихс  в сигнале РСГУ. Кроме того, в известном устройстве не предусмотрена возможность пр мой регистрации посто нной времени релаксации, что снижает производительность работы устройства при экспресс-анализе параметров глубоких уровней пблупроводниковых устройств. Посто нна  времени релаксации определ етс  посредством математической обработки записанной регистрирующим устройством зависимости Д Cn (t°) с использованием показательной функции.
Цель изобретени  - повышение точности измерени  посто нных времени релаксации спектра глубоких уровней и повышение производительности .
Указанна  цель достигаетс  тем, что устройство дл  исследовани  глубоких уровней в полупроводниках, содержащее криостат дл  размещени  образца, источники импульсного и посто нного смещени , измеритель емкости, датчик температуры образца, устройство выборки и хранени  и вычитающее устройство в составе блоков преобразовани , программатор и регистратор дополнительно снабжено блоком пам ти напр жени  разбаланса, и блоком вычитани  посто нной составл ющей, блоком регистров и блоком индикации посто нных времени релаксации.а также вход щими в блок преобразовани  делителем напр жени  в е раз, компаратором напр жени , блоком кодировани  и измерителем посто нной времени релаксации, при этом измертель емкости подключен к первому входу блока вычитани  посто нной составл ющей и к сигнальному входу блока пам ти напр жени  разбаланса, вход синхронизации которого подключен к программатору, а выход - к второму входу блока вычитани  посто нной составл ющей, выход которого подключен к входу вход щих в блок преобразовани  устройства выборки и хранени  и к первому входу компаратора напр жени , второй вход которого через делитель напр жени  в е раз подключен к выходу устройства выборки и хранени , а выход - к блоку кодировани  и к измерителю времени релаксации, выходы которых через блок регистров подключены к блоку индикации посто нных времени релаксации , причем программатор подключен к входам синхронизации устройства выборки и хранени , измерител  времени релаксации и к первому управл ющему входу устройства выборки и хранени , второй управл ющий вход которого подключен к второму выходу блока кодировани .
Предлагаемое устройство отличаетс  наличием новых блоков: блока пам ти напр жени  разбаланса и блока вычитани  посто нной составл ющей, что позвол ет исключить из исследуемого сигнала посто нную составл ющую и тем самым повысить точность измерени  посто нной времени релаксации глубоких уровней; делител  напр жени  в е раз. компаратора напр жени , блока кодировани , и блока измерени  посто нной времени релаксации , что позвол ет измер ть в течение одного периода повторени  импульсного напр жени  смещени  значений посто нных времени релаксации спектра глубоких уровней; блока регистров и блока индикации посто нных времени релаксации, что обеспечивает возможность пр мой регистрации посто нной времени релаксации и тем самым повышает производительность при экспресс-анализе.
На фиг.1 представлена блок-схема устройства дл  исследовани  глубоких уровней в полупроводниках; на фиг.2 - эпюры напр жений , действующих на образце и на блоках, вход щих в состав измерител  емкости; на фиг.З - структурна  схема измери- тел  емкости; на фиг.4 - эпюры напр жений, по сн ющие принцип действи  введенных дополнительно блоков, обеспечивающих компенсацию посто нной составл ющей и разделение спектра релаксации глубоких уровней нэ отдельные составл ющие при измерении посто нной времени релаксации: а) исследуемый сигнал на выходе измерител  емкости и посто нна  составл юща  этого сигнала, на выходе измерител  посто нной составл ющей; б) сигнал на входе блока преобразовани  на выходе устройства выборки и хранени  и на выходе делител  напр жени  вераз; в) эпюры, по сн ющие принцип измерени  посто нных времени релаксации п-экспоненциальных составл ющих в спектре РСГУ; на фиг.5 - временные диаграммы, по сн ющие работу программатора.
Устройство дл  исследовани  глубоких уровней в полупроводниках содержит (фиг.1) криостат 1 дл  размещени  образца 2, источник 3 импульсного смещени  и источник 4 посто нного смещени , подключенные к образцу 2, измеритель 5 емкости, во входную цепь которого включен образец 2, а выход подключен к регистратору 6, блок 7 пам ти напр жени  разбаланса и к первому входу блока 8 вычитани  посто нной составл ющей . Выход блока 8 вычитани  посто нной составл ющей подключен к вход щим в блок 9 преобразовани  устройству 10 выборки и хранени  и компаратору
11 напр жени , соединенным между собой через делитель 12 напр жени  в е раз. Выход компаратора 11 напр жени  подключен к блоку 13 кодировани  и измерителю 14
посто нной времени релаксации, сигнальные выходы которых через блок 15 регистрации подключены к блоку 16 индикации посто нных времени релаксации. Второй выход блока 13 кодировани  подключен к
0 соответствующему входу устройства 10 выборки и хранени . Программатор 17 подключен к входам управлени  источников импульсного 3 и посто нного 4 смещени  и блока 7 пам ти навпр жени  разбаланса и
5 к входам синхронизации источника 4 импульсного смещени , измерител  5 емкости, измерител  14 посто нной времени релаксации и устройства 10 выборки и хранени . Датчик 18 температуры подключен через
0 блок 19 регулировки температуры к регистратору 6.
Устройство работает следующим образом .
В криостат 1 (например типа УТРЕКС
5 производства СКТБ института физики АН УССР) помещаетс  образец 2. который расположен в держателе образца с электрическими выводами дл  подключени  к образцу источников посто нного 3 и импульсного 4
0 смещени  и измерител  емкости 5. Источник 3 посто нного смещени  управл ющим входом подключен к программатору 17 и представл ет собой аналого-цифровой преобразователь , построенный, например, на
5 базе микросхемы К572ПА с выходным транзисторным усилителем мощности. По управл ющему входу на источник 3 посто нного смещени  с одного из выходов программатора 17 поступает сигнал дл  задани  уров0 н  напр жени  смещени , например, в двоичном параллельном коде в уровн х ТТА-логики (интервал времени t0-ti на фиг.5). При этом на выходе источника 3 посто нного смещени  формируетс  напр 5 жение (фиг.2а), уровень которого может измен тьс  от 0 до Е см max и которое подаетс  на образец в обратном направлении и вызывает заполнение глубоких уровней полупроводника носител ми зар да.
0Источник 4 импульсного смещени  управл ющим входом и входом синхронизации подключен к программатору 17 и представл ет собой цифроаналоговый преобразователь с транзисторным усилителем
5 мощности, аналогичным источнику 3 посто нного смещени  , и содержит выходной ключевой каскад, выполненный, например, на транзисторе типа КТ8 29.
По управл ющему входу на источник 4 импульсного смещени  с соответствующего
выхода программатора 17 подаетс  сигнал дл  задани  амплитуды так называемого импульса заполнени , например в параллельном двоичном коде (интервал времени на фиг.5)/ Импульсы смещени  (фиг.26) осуществл ют вывод основных носителей из области локализации. По окончании действи  импульсов заполнени  происходит перезар д глубоких уровней, который характеризуетс  экспоненциально спадаю- щим переходным процессом и который может быть выделен с помощью измерител  емкости 5 с целью измерени  начального и конечного значени  емкости образца и посто нной времени переходного процесса.
Измеритель 5 емкости может быть представлен (см. фиг.З) в виде последовательно соединенных моста 20 полных проводимо стей. усилител  21 и синхронного детектора 22, на вход опорного сигнала которого через фазовращатель 24 подаетс  сигнал с генера- тора 23 синусоидального напр жени ,второй выход которого подключен к мосту 20 полных проводимостей. В качестве моста полных проводимостей может быть использован трансформаторный мост по схеме, приведенной на фиг.6. На образец 2. включенный в измерительную цепь моста 20 напр жение посто нного и импульсного смещени  может быть подано по известной схеме. К об- разцу 2. включенному в измерительную цепь моста 20, приложено также синусоидальное напр жение с выхода генератора 23 синусоидального напр жени  (фиг.2г). В результате воздействи  на образец 2 им- п/льсов заполнени  происходит модул ци  синусоидального напр жени  процессом перезар да глубоких уровней в полупроводнике (фиг.2д). Этот про.. СДулировзннь1 / сигнал с выхода моста 20 поступает на усилитель 21, выполненный, например -  операционных усилител х микросхем серий KI40 пли KI53 в цепи обратной с зм которого может включатьс  избирё ельный фильтр, например, двойной Т-о5р знкп С- мост настроенный на частоту генератора 23 синусоидального напр жени  Выходной сигналу усилител  21 поступает на синхро- детектор 22, выполненный, например на перемножителе на микросхеме . С выхода синхродетекторэ 22 снимаетс  сигнал (фиг.2е), изменение амплитуды которого определ ет изменение емкости ъбразца 2.
В режиме балансировки моста 20 на образец 2 подаетс  только напр жение сме- щени  (фиг.2а) с источника 3 посто нного смещени . Балансировка моста 20 производитс  до получени  на выходе измерител  емкости минимального сигнала положительного уровн  (сигнал 2 на фиг.46) в интервал времени ti-t2 (фиг.5). В схеме моста 20 может использоватьс  принцип компенсации емкости путем изменени  числа витков индуктивных декад,что позвол ет по окончании балансировки измерить величину емкости образца 2 путем отсчета числа витков индуктивной декады, с которых снимаетс  напр жение, компенсирующее емкость образца 2 до получени  минимального сигнала на выходе измерител  5 емкости. По окончании балансировки моста по команде оператора в программаторе 17 в момент времени t2 формируетс  импульс записи сигнала разбаланса (фиг.5), который подаетс  на блок 7 пам ти напр жени  разбаланса. По этому импульсу блок 7 пам ти преобразовывает аналоговый входной сигнал в цифровой код, записывает этот код в регистре на микросхеме , например, типа KI55 ИР 13 и передает его на вход цифроаналогового преобразовател , на базе микросхемы К572ПА1, на выходе которого формируетс  посто нное напр жение, равное входному напр жению разбаланса (эпюра 2 на фиг.За). Аналого-цифровой преобразователь может быть выполнен на микросхеме К572ПВ1.
Сигнал с выхода блока 7 пам ти напр жени  разбаланса поступает на второй вход блока 8 вычитани . После окончани  балансировки моста 20 на выходе программатора 17, подключенном к управл ющему входу источника А импульсного смещени  в интервале времени (фиг.5) формируетс  сигнал установки амплитуды импульсов заполнени  двоичном дес тиразр дном коде.
В режиме изменени  параметров глубоких уровней нэ емхсде синхронизации .г.мматорз 17 с момента времен,- tc (фиг.5) формируютс  импульсы синхронизации , которые поступают на соответствующие вход; ; с ни к а 4 импульсного смещени , измер/тель 5 емкости (на усилитель 21 измерител  5 емкости), измеритель 14 посто нной времени релаксации и устройство 10 в: ;6ор-:и и хранени  блоь Э 9 преобразовани , При этом на образец 2 с источников 3 и импульсного смещени  поступает суммарной сигнал, как показано на фиг.2 Г. -с защиты усилител  21 измерител  5 ю - - i-i от перегрузки во врем  действи  импульсов заполнени  в усилителе 21 предусмотрено стробирование Р«одного каскада с помощью ключевой схемы, выполненной , например, на полевом транзисторе КПЗОЗЖ.
Стрсбирование усилител  21 осуществл етс  импульсами синхронизации с программатора 17.
В режиме измерени  параметров глубоких уровней е на выходе измерител  5 емкости , подключаемом к первому входу блока 8 вычитани , присутствует экспоненциально спадающий сигнал, как показано на фиг.2е, лредставл ющей сумму двух сигналов; экспоненциального (эпюра 1 на фиг.4а) и посто нного сигнала разбаланса (эпюра 2 на фиг.4а). В блоке 8 вычитани  производитс  вычитание запомненного в блоке 7 пам ти напр жени  разбаланса из входного сиг- мала с выхода измерител  5 емкости и на вход устройства 10 выборки и хранени  поступает сигнал в виде экспоненциально спадающего напр жени , стрем щегос  в пределе к нулевому уровню (эпюры 1 на фиг.4б).
Блок вычитани  представл ет собой операционный усилитель на микросхеме, например, типа К153УД5. на одном из входов которой установлен инвертор, выполненный на микросхеме того же типа, инвертирующий сигнал напр жени  разбаланса с блока 7 пам ти. С второго выхода измерител  5 емкости проинтегрированный сигнал поступает на резистор 6, на второй вход которого поступает сигнал с блока 19 регулировки температуры, величина которого характеризует температуру в камере 1 криостата, где помещен образец 2. Информаци  о температуре в камере с образцом 2 снимаетс  с помощью датчика 18 температуры (например, терморезистор). В качестве блока 19 регулировани  температуры может быть использован блок, вход щий в комплект криостатной системы УТРЕКС.
Устройство 10 выборки и хранени  может быть выполнено на базе микросхемы
типа KIIOOCK2.
В момент to окончани  импульса заполнени  (фиг.4б) устройство 10 выборки и хранени  запоминает уровень входного напр жени  (эпюра 2 на фиг.46), который делителем 12 напр жени , выполненном на прецизионных резисторах, делитс  в е раз (эпюра 3 на фиг.46) и подаетс  на второй вход компаратора 11 напр жений. В момент равенства экспоненциально спадающего напр жени  на первом входе компаратора
11 напр жений запомненногои разделенного в е раз уровн  напр жени , действующе- го на втором входе компаратора 11 напр жений в момент времени ti (фиг.46) на выходе компаратора напр жений Формируетс  импульс перезаписи устройства 10 выборки и хранени  (фиг.4в). В момент прихода этого импульса в устройстве 10 выборки и хранени  стираетс  предыдуща  информаци  и записываетс  новое действующее на входе значение экспоненциально
спадающего напр жени . В момент времени т.2 вновь формируетс  импульс перезаписи и т.д. Компаратор 11 напр жений выполнен, например, на базе микросхемы
К521САЗ.
Поскольку релаксаци  емкости образца 2  вл етс  экспоненциальной функцией, т.е. напр жение на входе блока 9 преобразовани  Uc . то врем , в течение которого эта функци  уменьшитс  в ё раз.  вл етс  посто нной времени этой функции, т.е. посто нной времени релаксации глубоких уровней. Таким образом, измерив интервалы времена Ди ti - Т.6.Д13 t3-12 - tt,ft3 - u- t2 и т.д., можно однозначно определить посто нную времени релаксации П A ti . TZ A t2 и т.д. Если исследуемый сигнал содержит единственную экспоненциальную составл ющую, то интервалы времени Ati Д т.2 -Д ta и т.д.
Импульсы перезаписи с компаратора 11 напр жений поступают на блок 13 кодировани  и на измеритель 14 посто нной времени релаксации. В блоке 13 кодировани 
импульсы перезаписи нормируютс  по амплитуде и длительность с помощью формиро- вател  импульсов, выполненному, например по микросхеме К155ЛН1. и передаютс  на вход перезаписи устройства 10
выборки и хранени  и на вход счетчика, выполненного , например, на микросхеме К155ИЕ6. Сброс счетчика в нулевое состо ние производитс  в момент времени to импульсом синхронизации (фиг.4г), этот
момент соответствует спаду импульса заполнени . Каждому импульсу перезаписи, поступившему на счетный вход счетчика, вход щего в блок 13 кодировани , на выходе счетчика формируетс  двоичный код, соответствующий номеру этого импульса в пределах интервала времени между двум  импульсами заполнени . Этот код определ ет адрес регистра в блоке 15 регистров, в который необходимо записать информацию .
Измеритель 14 посто нной времени релаксации представл ет собой кварцевый генератор импульсов, выполненный, например, на микросхеме К155ЛАЗ и счетчик этих импульсов, управл емый импульсами синхронизации с программатора 17 (сброс счетчиков в нулевое состо ние) и импульсами перезаписи с компаратора 11 напр жений . Счетчик импульсов может быть
выполнен в виде N последовательно соединенных счетчиков типа К155ИЕ7.
Количество импульсов, сосчитанных в течение интервала времени, например, отт.0 до ti (фиг.4г), однозначно определ ют длительность этого интервала, а поскольку величина этого интервала определ етс  временем , в течение которого экспоненциально спадающее напр жение на входе преобразовател  9 уменьшитс  в е раз, то можно сделать вывод, что этот интервал времени соответствует посто нной времени переходного процесса в образце 2. Результат счета импульсов (гм) в двоичном коде записываетс  в тот регистр блока 15 регистров, адрес которого присутствует на адресном входе блока 15 регистров с выхода блока 13 кодировани . Блок регистров может быть выполнен на микросхемах типа К155ИР13.
Информаци  с каждого регистра блока 15 регистров поступает на соответствующий индикатор посто нной времени релаксации блока 16 индикации.
Программатор 17 обеспечивает передачу по команде оператора код уровн  напр жени  смещени  (см. фиг.5) на источник 3 посто нного смещени , код амплитуды импульса заполнени  на источник 4 импульсного смещени , импульсы записи напр жени  разбаланса на блок 7 пам ти напр жени  разбаланса и импульсы синхронизации, поступающие на входы синхронизации источника 4 импульсного смещени , измеритель 5 емкости (на стробирующий вход усилител  21 измерител  5 емкости), устройства 10 выборки и хранени , измеритель 14 посто нной времени релаксации и блока 13 кодировани .
Программатор может быть выполнен на базе микропроцессорного комплекта К580, Ж1801 и других.

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Устройство дл  исследовани  глубоких уровней в полупроводниках, содержащее криостат дл  размещени  образца с датчиком температуры, подключенный к первому входу измерите 1 емкости, источники импульсного и посто нного смещени , выходы которых подключены к первому входу кри- остата, а управл ющие входы - соответственно к первому и второму выходам программатора, второй вход криостата  вл етс  также его первым выходом и выходом датчика температуры и подключен через блок регулировани  температуры к первому входу регистра, второй вход которого подключен к первому выходу измерител  емкости, а также вход щее в блок
    преобразовани  устройство выборки и хранени ,отличающеес  тем. что. с целью повышени  точности измерени  посто нных времени релаксации спектра глубоких
    уровней и повышени  производительности, устройство дополнительно снабжено блоком пам ти напр жени  разбаланса, блоком вычитани  посто нной составл ющей, блоком регистров, блоком индикации посто нных времени релаксации, в блок преобразовани  введены делитель напр жени  в е раз, компаратор напр жени , блок кодировани  и измеритель посто нной времени релаксации , причем второй выход измерител 
    емкости подключен к первому входу блока вычитани  посто нной составл ющей и первому входу блока пам ти напр жени  разбаланса , управл ющий вход которого подключен к третьему выходу программатора , а выход - к второму входу блока вычитани  посто нной составл ющей, выход
    которого подключен к первому входу блока
    преобразовани , который  вл етс  первым
    входом устройства выборки-хранени , и к
    второму входу блока преобразовани , который  вл етс  первым входом компаратора напр жений, второй вход которого через делитель напр жени  в е раз подключен к выходу устройства выборки-хранени , а выход
    компаратора напр жени  подключен к первым входам блока кодировани  и измерител  посто нной времени релаксации, выходы двух последних  вл ютс  соответственно первым и вторым выходами блока преобразовани  и подключены также соответственно к первому и второму входам блока регистров, св занного выходом с входом блока индикации посто нных времени релаксации , а входы синхронизации измерител  посто нной времени релаксации, блока кодировани  и устройства выборки- хранени   вл ютс  соответственно третьим , четвертым и п тым сходами блока преобразовани , первым и вторым выходами которого  вл ютс  соответственно выход измерител  посто нной времени релаксации и первый выход блока кодировани , второй выход которого подключен к второму входу устройства выборки-хранени , а четвертый выход программатора подключен одновременно к третьему, четвертому и п тому входам блока преобразовани , к вторым входам измерител  емкости и источника посто нного смещени .
    г
    S йогу t
    у л I нелог} и : f
    ft
    /«АЛ/ /
    Л|
    vr.v//a,
    HHJ3j}
    ит 
    HKijt
    a
    A
    Л
    Mfau UU/M
    to
    )
    stm
    tUlit
    tb
    f/if JOXОГ$ Ш9
    I 6
    V
    f/
    г L
    :
    ..d
    Ш
    hTFT-F l
    f, I ч rfU
    JJ
    961WAI
    )vn.l.
    antj4t i
    (firntl
    П
    . HI If
    tfttnmti
    Vhift.
    Wltfilitl
    ll
    Й .
    .tfAW
    w4
    .V-
    (Sypotrti ШJOtUKU )
    MdgcmomStu Sfjuww ypefxgjtaWjtxeHUX ffft- щем  ц„nyjtc jowfu. .ca&Wf
    КодусггюНсБы а.чплитуЗи залотени
    Цклилбса tuHtfioftuiautJlL- (ioneJHtvus)
    ftoJontuFi:$fo нести полны) nfshsu ocm . j 6wlpjmeJt t FZtrr u
    H
    r.
    ;
    i)
    ЮЮ
    Цклилбса tuHtfioftuiautJlL- (ioneJHtvus)
    t
    UiHipwvs
    пэрэм.т:: tsytcw f г,:.:упsoloiiHtiroj.
SU894795198A 1989-10-31 1989-10-31 Устройство дл исследовани глубоких уровней в полупроводниках SU1704195A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894795198A SU1704195A1 (ru) 1989-10-31 1989-10-31 Устройство дл исследовани глубоких уровней в полупроводниках

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894795198A SU1704195A1 (ru) 1989-10-31 1989-10-31 Устройство дл исследовани глубоких уровней в полупроводниках

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1704195A1 true SU1704195A1 (ru) 1992-01-07

Family

ID=21498209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894795198A SU1704195A1 (ru) 1989-10-31 1989-10-31 Устройство дл исследовани глубоких уровней в полупроводниках

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1704195A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1101088. кл. Н01 L21/66. 1985. Разработка и изготовление установки контрол параметров примесей в полупроводниках. Копи отчета о НИР. ВНТИЦ, 1986. № 02830050584, Авторское свидетельство СССР N; 1370683. кл. Н01 L21/66. 1988. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5294889A (en) Battery operated capacitance measurement circuit
US4130796A (en) Calibrating and measuring circuit for a capacitive probe-type instrument
CA1278041C (en) Frequency counting apparatus and method
US4816745A (en) Method and arrangement for measuring the resistance ratio in a resistance half-bridge
US4342089A (en) Method of and apparatus for automatic measurement of circuit parameters with microprocessor calculation techniques
US5256979A (en) Method and apparatus for measuring an unknown voltage, and power meter employing the same
SU1704195A1 (ru) Устройство дл исследовани глубоких уровней в полупроводниках
US4546441A (en) Method and apparatus for time based measurement of impedance
JPH0638088B2 (ja) 容量測定用回路
Raven et al. New approaches to the direct measurement of capacitance
SU1718133A1 (ru) Устройство дл измерени относительного изменени напр жени
SU655996A1 (ru) Устройство дл измерени гистерезисных характеристик мдп-структур
SU1697090A1 (ru) Функциональный преобразователь
SU788019A1 (ru) Устройство дл измерени низкой частоты
SU691792A1 (ru) Цифровое автоматическое устройство дл измерени магнитных параметров посто нных магнитов
JPS61260120A (ja) 電子式積算計器
SU920410A1 (ru) Способ и устройство дл измерени крут щего момента
SU789950A1 (ru) Способ градуировки стробоскопических устройств дл измерени приращени магнитного потока
SU1758613A1 (ru) Устройство дл измерени импульсного магнитного пол
SU1698813A1 (ru) Цифровой интегрирующий вольтметр
SU1138664A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
SU911267A1 (ru) Ядерно-квадрупольный измерительный преобразователь
SU742826A1 (ru) Способ изменени сопротивлений
SU222032A1 (ru) Функциональный преобразователь
EP0448182A1 (en) Sampling time determining apparatus and method