SU1674299A1 - Лазер на 3Р - 3 S-переходах неона - Google Patents

Лазер на 3Р - 3 S-переходах неона Download PDF

Info

Publication number
SU1674299A1
SU1674299A1 SU874186717A SU4186717A SU1674299A1 SU 1674299 A1 SU1674299 A1 SU 1674299A1 SU 874186717 A SU874186717 A SU 874186717A SU 4186717 A SU4186717 A SU 4186717A SU 1674299 A1 SU1674299 A1 SU 1674299A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
concentration
pct
torr
neon
laser
Prior art date
Application number
SU874186717A
Other languages
English (en)
Inventor
Андрей Юрьевич Александров
Виктор Александрович Долгих
Олег Мовсумович Керимов
Игорь Георгиевич Рудой
Алексей Юрьевич Самарин
Аркадий Матвеевич Сорока
Original Assignee
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР filed Critical Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР
Priority to SU874186717A priority Critical patent/SU1674299A1/ru
Priority to EP19880901483 priority patent/EP0301106A4/de
Priority to US07/271,953 priority patent/US4841537A/en
Priority to PCT/SU1988/000013 priority patent/WO1988005971A1/ru
Priority to JP88501527A priority patent/JPH01502067A/ja
Priority to IN47/CAL/88A priority patent/IN168628B/en
Priority to CN198888100332A priority patent/CN88100332A/zh
Application granted granted Critical
Publication of SU1674299A1 publication Critical patent/SU1674299A1/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к области квантовой электроники, а именно к газовым лазерам, может найти применение в технологии, фотохимии, средствах оптической св зи, голографии. Целью изобретени   вл етс  увеличение КПД и удельной мощности излучени  лазера на 3 P - 3 S-переходах неона с ионизирующей накачкой. Рабоча  среда состоит из гели , неона и тушащего газа. В качестве тушащего газа использован аргон или криптон. Дополнительно в состав рабочей среды введен ксенон или водород в концентрации не менее 1015 см-3, но не более 20% от концентрации тушащего газа. 2 ил.

Description

С
Изобретение относитс  к квантовой электронике и может быть использовано при разработке газовых лазеров на неоне.
Цель изобретени  - увеличение КПД и удельной мощности излучени .
На чертеже изображена схема лазера.
Кинетическа  схема процесса расселени  нижнего лазерного уровн  следующа :
н,;-й-м. С,,)(«)-
jxtjt
--VtXtju
. « АгЛе . е/ гАгЛг , KWi Аг Аг- Afj- lAf
HIV
J-Xe 51H jte .-Si-Xe .., I
Лазер содержит рабочую камеру 1, глухое зеркало 2, выходное зеркало 3, систему 4 откачки и напуска газа 4,ускоритель 5, катод 6 и разделительную фольгу 7.
Лазер работает следующим образом.
Рабочую камеру заполн ют газовой смесью, плотность которой больше 10 см . Смесь содержит гелий, неон, Аг или Кг, а также Хе либо Нг (HD.D2) с концентрацией не менее 1015 см , но не более 20% от концентрации Аг(Кг). Затем осуществл ют возбуждение указанной газовой смеси электронным пучком от ускорител . Электронный пучок ввод т в рабочую камеру через разделительную фольгу.
Введение в состав активной среды ксенона или водорода (изотопозамещенных) позвол ет уменьшить величину нерезонансного поглощени  в лазере и, как следствие, повысить эффективность вывода излучени 
О
l ±
Ю Ю
о
из резонатора rjp. При оптимальной прозрачности (коэффициенте отражени  выходного зеркала) tjp (1 - Vfi/Ov ) 2: где OQ- ненасыщенный коэффицент усилени ; /3- коэффициент распределенных нерезонансных потерь. Дл  оптимального состава трех- компонентной активной среды и А 5852, 5Аоо «9/3, поэтому /р 0,45. Введение Хе или На (HD.D2) в концентрации не менее 1015см3, но не более 20% от концентрации тушащего газа позвол ет, практически не измен   Оо, уменьшить/3 в 4 и более раз, т.е. увеличить цр до 0,7 и более, что эквивалентно повышению КПД в 1,5 раза и более. Уменьшение св зано с пониже- нием концентрации поглощающих лазерное излучение димеров Ага (Кгг ), которое образуетс  в процессе расселени  нижнего лазерного уровн  дл  Аг в качестве основного тушител  и Хе в качестве четвертого компонента. Образующиес  в этом случае диаметры Хеа существенно меньше поглощают лазерное излучение, в частности из-за приблизительно на пор док большей скорости спонтанного распада (при посто нной удельной мощности накачки концентраци  Хеа в 10 раз меньше, чем Аг2 в отсутствие ксенона).
В случае использовани  водорода эволюци  ионов Н /1 происходит по схеме
. Н2е
Н2 - Нз - и поглощение лазерного излучени  на всех этапах вообще отсутствует .
Минимальна  концентраци  Хе. H2(HD,D2) определ етс  тем, что за счет протекани  процессов I-IY (см. схему) стационарна  концентраци  Аг2 уменьшаетс  не менее чем в 1,2 раза (в типичных услови х это соответствует увеличению Г)Р на 10%). Максимальна  концентраци  определ етс  условием малого уменьшени  заселени  верхнего лазерного уровн  в результате конкуренции диссоциативной рекомбинации Ne2 с его перезар дкой в тройных столкновени х (штрихова  лини  на схеме) и установлена экспериментально.
Пример. Лазер на Зр-Зз-переходах неона бы реализован на установке, схема которой приведена на чертеже. Объем рабочей камеры 1 составл ет 1 л (8 -4-34 см3). На торцах камеры укреплены плоские диэлектрические зеркала размером 3 2 см2 - глухое зеркало 2 с коэффициентом отражени  99,9% на длине волны генерации и выходное ЗеркадеЗ, коэффициент отражени  которого подбирают из услови  получени  максимальной выходной энергии лазера. Таким образом, оптический объем лазера
составл ет 200 см3. Система 4 напуска рабочей смеси и ее откачки обеспечивает остаточное давление не более 0,001 Торр. Возбуждение активной среды осуществл ют электронным пучком от ускорител  5 с холодным катодом б, пучок ввод т в рабочую камеру через разделительную титановую фольгу 7 толщиной 50 мкм. Энерги  быстрых электронов составл ет 150 кэВ
за фольгой; длительность импульса с 1 мкс, плотность тока пучка 1 А/см2.
При накачке активной среды в составе 1520 Торр Не, 120 Торр Ne, 60 Торр Аг при близком к оптимальному коэффициенте отражени  зеркала 3R - 26% получают энергию генерации на Я 5852, sA(E0)-4,2 мДж, что соответствует КПД-0,4%. Введение в активную среду 1 Торр Хе и использование R 14% (уменьшение оптимальной прозрачности обусловлено уменьшением /3) позвол ет ПОЛУЧИТЬ EI 8.5 мДж и КПД 0,8%. Уменьшение концентрации Хе до 0,1 Торр (3 101Ь ) приводит к снижению энергии лазера практически до Е0, а увеличение концентрации Хе до 10 Торр приводит к падению энергии генерации до 3,5 мДж. Аналогичные результаты получены и дл  Н2. П р и м е р 2. Экспериментальна  установка аналогична установке по примеру 1.
Пои накачке активной среды в составе 760 Торр Не, 1140 Торр Ne, 190 Торр Кг и коэффициенте отражени  выходного зеркала 20% получают энергию генерации 5 мДж, что соответствует КПД -0,2%. Введение в состав активной среды 2 Торр Хе и уменьшение R до 11% позвол ет обеспечить Ei 12 мДж, что соответствует КПД - 0,5%. При оптимальной концентрации Н2 1 Торр получают энергию излучени  около 11 мДж А 7245А).
Пример 3. В экспериментальной установке, описанной в примере 1, холодный катод заменен на гор чий (накаливаемый ), который генерирует электронный
пучок с плотностью тока 40 мА/см2 длительностью 30 мкс.
При накачке активной среды в составе 1520Торр Не, бОТорр Ne, 20Topp Arи коэффициенте отражени  выходного зеркала
14% получают энергию генерации на А §852,5А около 16 мДж, что соответствует КПД-1,1% (вложенна  в газ энерги ,4 Дж). Введение в .состав активной среды 0,4 Торр Хе (1,3 1016 ) при R v 8% позвол ет
повысить энергию лазера до -73 мДж, т.е. достигнуть КПД 1,6%. Использование 0,3 Торр Н2 позвол ет получить мДж (КПДа 1,8%). Уменьшение концентрации ксенона в 10 раз (1,3 1015 ) приводит к снижению
энергии генерации до 17 мДж, т.е. практически до первоначальной величины, а увеличение концентрации Хе до 5 Торр приводит к снижению энергии лазера до 13 мДж.
П р и м е р 4. Экспериментальна  установка аналогична описанной в примере 3. При накачке активной среды в составе 760 Торр Не, 760 Торр Ne, 60 Торр Аг на Я 7245 А получают энергию генерации1 10 мДж. что соответствует КПД-0,35%. Введение в активную среду 1 Торр Хе позвол ет увеличить выходную энергию лазера до 22 мДж и КПД до 0,7%, т.е. КПД и удельна  мощность генерации возрастают приблизительно вдвое.
Таким образом, лазер согласно изобретению позвол ет по сравнению с известными увеличить в 1,5-2 раза и более КПД и удельную мощность генерации на 3p-3s-ne- реходах неона.
QJ

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Лазер на Зр-Зз-переходах неона, содержащий источник ионизирующих частиц и ра- бочую камеру, заполненную рабочей смесью, плотность которой больше 1019 см , состо щей из гели , неона и тушащего инертного газа в концентрации, большей 3 1016 , но не более 15% от плотности рабочей смеси, и потенциалом ионизации меньшим, чем энерги  нижнего резонансного уровн  неона, отличаю- щ и-й с   тем, что, с целью увеличени  КПД
    и удельной мощности излучени , в качестве тушащего газа рабоча  смесь содержит Аг или Кг и в ее состав дополнительно введен Хе или Hg.HD или Da в концентрации не менее 10 , но не более 20% от коицентрации тушащего газа.
    U1IMMIIIIIMIIIIIMIIII1
    X
SU874186717A 1987-01-28 1987-01-28 Лазер на 3Р - 3 S-переходах неона SU1674299A1 (ru)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874186717A SU1674299A1 (ru) 1987-01-28 1987-01-28 Лазер на 3Р - 3 S-переходах неона
EP19880901483 EP0301106A4 (de) 1987-01-28 1988-01-15 Aktives medium für gaslaser mit ionisierender teilchenanregung.
US07/271,953 US4841537A (en) 1987-01-28 1988-01-15 Medium for gas laser excited by ionizing particles
PCT/SU1988/000013 WO1988005971A1 (en) 1987-01-28 1988-01-15 Active medium for gas laser with ionized particle excitation
JP88501527A JPH01502067A (ja) 1987-01-28 1988-01-15 イオン化粒子によって励起される気体レーザー用の媒質
IN47/CAL/88A IN168628B (ru) 1987-01-28 1988-01-20
CN198888100332A CN88100332A (zh) 1987-01-28 1988-01-28 离子气体激光器的激活介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874186717A SU1674299A1 (ru) 1987-01-28 1987-01-28 Лазер на 3Р - 3 S-переходах неона

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1674299A1 true SU1674299A1 (ru) 1991-08-30

Family

ID=21282621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874186717A SU1674299A1 (ru) 1987-01-28 1987-01-28 Лазер на 3Р - 3 S-переходах неона

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4841537A (ru)
EP (1) EP0301106A4 (ru)
JP (1) JPH01502067A (ru)
CN (1) CN88100332A (ru)
IN (1) IN168628B (ru)
SU (1) SU1674299A1 (ru)
WO (1) WO1988005971A1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0490933A4 (en) * 1989-09-06 1992-09-23 Peter Collin Hill A laser
AU634816B2 (en) * 1989-09-06 1993-03-04 Peter Collin Hill Laser using noble gas dimer ions
US6198762B1 (en) 1996-09-26 2001-03-06 Yuri Krasnov Supersonic and subsonic laser with RF discharge excitation
US6636545B2 (en) * 1996-09-26 2003-10-21 Alexander V. Krasnov Supersonic and subsonic laser with radio frequency excitation
US5682400A (en) * 1995-09-27 1997-10-28 Krasnov; Alexander V. Supersonic and subsonic laser with high frequency discharge excitation
US10069273B1 (en) 2017-03-02 2018-09-04 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Lasing-gas mixture for excimer laser
US11095088B1 (en) 2018-02-21 2021-08-17 Zoyka Llc Multi-pass coaxial molecular gas laser

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2654254A1 (de) * 1976-11-30 1978-06-01 Max Planck Gesellschaft Verfahren zum anregen von wasserstoff in einem wasserstofflaser und wasserstofflaser zur durchfuehrung eines solchen verfahrens
US4369514A (en) * 1980-10-30 1983-01-18 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Recombination laser
US4672625A (en) * 1984-03-30 1987-06-09 Spectra-Physics, Inc. Methods and apparatus for maximizing the power output of a gas laser
SU1344179A1 (ru) * 1985-01-02 1988-04-30 Физический институт им.П.Н.Лебедева Способ накачки газового лазера на переходах неона
JPS63874A (ja) * 1986-06-19 1988-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd フロツピ−デイスク装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Schmieder В. et al. High pressure 585, 3 nm neon-hydragen lazer - Opt. Commun., 1981, ve 36, p.223. Авторское свидетельство СССР № 13444179. кл. Н 01 S 3/00. 1986. *

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01502067A (ja) 1989-07-13
IN168628B (ru) 1991-05-11
WO1988005971A1 (en) 1988-08-11
US4841537A (en) 1989-06-20
CN88100332A (zh) 1988-08-10
EP0301106A1 (de) 1989-02-01
EP0301106A4 (de) 1989-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Eckstrom et al. Characteristics of electron‐beam‐excited Xe* 2 at low pressures as a vacuum ultraviolet source
Woodworth et al. An efficient, high‐power F2 laser near 157 nm
Edwards et al. 60‐ns E‐beam excitation of rare‐gas halide lasers
US4802183A (en) Microwave excited excimer laser and method
SU1674299A1 (ru) Лазер на 3Р - 3 S-переходах неона
US4348647A (en) Stability enhanced rare-gas monofluoride lasers
US4110703A (en) Volumetric direct nuclear pumped laser
Campbell et al. Observations of gain and laser oscillation in the blue‐green during direct pumping of XeF by microsecond electron beam pulses
Collier et al. High-efficiency infrared xenon laser excited by a UV preionized discharge
US4238742A (en) Laser system
US4091336A (en) Direct nuclear pumped laser
McKee et al. Performance of a novel injection‐locked excimer laser
Armandillo et al. Compact, simple, high-energy, discharge-pumped rare gas halide laser
US7023893B2 (en) Low-pressure axial direction excitation type F2 laser oscillator
Golden et al. Intense proton‐beam‐pumped Ar‐N2 laser
Tarasenko et al. Rare-gas dimer and halide lasers
Rocca et al. Cd recombination laser in a plasma generated by an electron beam
Azarov et al. Xe laser pumped by fast electrons generated in a barrier discharge
Watterson et al. Measurements of intrinsic efficiency and parameters of an electron beam pumped ArXe laser
Konak et al. Characteristics of nuclear-pumped lasers based on the 3p—3s transitions in the neon atom
Mizunami et al. Buffer gas effect in a discharge‐pumped XeBr excimer laser
Derzhiev et al. Influence of SF6 admixtures on the efficiency of a xenon infrared laser
JPS61168973A (ja) ガスレ−ザ装置
Kim et al. Excitation mechanisms of the e-beam-excited hydrogen laser
Shipman et al. Population inversions in fission fragment excited helium