SU1665485A1 - Полумостовой инвертор - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани  и автоматики. Цель изобретени  - повышение КПД путем активного запирани  транзисторов при отсутствии сигнала, поступающего с блока управлени . Транзисторы 2 и 3 имеют разный тип проводимости и соединены по схеме полумоста с объединенными эмиттерами. При отсутствии сигнала, поступающего с блока управлени  8 оба транзистора активно заперты падением напр жени  на элементах ограничени  обратного напр жени  6 и 7 под действием тока, проход щего через резисторы 9 и 10. 2 ил.

Description

k

+

11

1 О

2$

D

5

ю

8

& О СП 4 С СЛ

Фиг.1

Изобре1ение относитс  к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани  и автоматики.

Целью изобретени   вл етс  повышение КПД путем активного запирани  тран- змсторов при отсутствии сигнала, поступающего с блока управлени .

На фиг. 1 приведена схема устройства; на фиг. 2 - вариант выполнени  блока управлени .

Между выводами источника 1 питани  включены последовательно два транзистора 2 и 3 разного типа проводимости. Они шунтированы: по силовой цепи - обратными диодами А и 5, а по управл ющей цепи - элементами 6 и 7, ограничени  обратного напр жени  (диоды или резисторы). Управл ющие входы транзисторов 2 и 3, кроме того, подключены к выходу блока 8 управлени . Между коллектором одного транзисго- ра и базой другого включены резисторы 9 и 10. К выходу инвертора подключена нагрузка i 1.

Блок управлени  (фиг. 2) содержит релаксационный генератор 12 пр моугольных знакопеременных напр жений, соединенный с входами транзисторов 2 и 3 через резистор 13, диоды 14, 15 и ключ 16 управлени .

Устройство работает следующим обра- зом.

На выходе источника 1 имеетс  посто нное напр жение со средней точкой. При выключенном блоке 8 управлени  транзисторы 2 и 3 выключены и па нагрузке 11 напр - жение отсутствует. При этом через резисторы 9 и 10 протекает ток. Этот ток раздел етс  на две параллельные цепи

эмиттерно-базовый переход транзистора и шунтирующий его элемент ограничени  обратного напр жени  (6, 7). Ток, протекающий через эмиттерно-базовый переход транзистора имеет отрицательное направ-. ление. Он вызывает активное запирание транзисторов. Под действием этого снижаютс  ток утечки (коллектора) потери мощности , нагрев транзисторов и повышаетс  КПД.

При включенном блоке 8 управлени  на транзисторы 2 и 3 поочередно поступают парафазные отпирающие сигналы. Транзисторы 2 и 3 поочередно включаютс  и выключаютс , в результате чего на нагрузке 11 формируетс  переменное напр жение. Диоды 4 и 5 служат дл  создани  пути протека- ни  обратного тока при индуктивном характере нагрузки 11.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Полумостовой инвертор, содержащий два транзистора разного типа проводимости , эмиттеры которых объединены, коллек- тор каждого из них соединен с соответствующим входным выводом инвертора , а между базой и эмиттером каждого из них включен элемент ограничени  обратного напр жени , и блок управлени , выходы которого соединены с входными цеп ми транзисторов, отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД путем активного запирани  транзисторов при отсутствии сигнала, поступающего с блока управлени , введены два резистора, один из которых включен между базой первого транзистора и коллектором второго транзистора, а другой - между базой второго резистора и коллектором первого транзистора.