SU1663648A1 - Switch - Google Patents

Switch Download PDF

Info

Publication number
SU1663648A1
SU1663648A1 SU894649123A SU4649123A SU1663648A1 SU 1663648 A1 SU1663648 A1 SU 1663648A1 SU 894649123 A SU894649123 A SU 894649123A SU 4649123 A SU4649123 A SU 4649123A SU 1663648 A1 SU1663648 A1 SU 1663648A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
diode
switch
segment
attenuation
wave
Prior art date
Application number
SU894649123A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Васильевич Семенов
Original Assignee
Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете им.В.В.Куйбышева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете им.В.В.Куйбышева filed Critical Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете им.В.В.Куйбышева
Priority to SU894649123A priority Critical patent/SU1663648A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1663648A1 publication Critical patent/SU1663648A1/en

Links

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к радиотехнике. Цель изобретени  - увеличение ослаблени  в режиме запирани . Дл  этого выключатель содержит диод 1, полуволновый и одноволновый отрезки 2 и 3 микрополосковой линии передачи, пленку 4 из поглощающего материала и цепь управлени , состо щую из дроссел  5, блокировочного и разделительных конденсаторов 6, 7 и 8, размещенных на диэлектрической подложке 9, обратна  сторона которой металлизирована. При подаче на диод 1 обратного смещени  отрезок 2 практически не шунтируетс  диодом 1, который подключен параллельно отрезку 2 в его середине. Входной сигнал проходит на выход выключател  по двум пут м: отрезку 3 и отрезку 2 со сдвигом фаз 180° между ними и взаимно компенсируетс , т.е. реализуетс  режим запирани . Дл  выравнивани  ослаблени  сигнала по этим двум пут м предусмотрена пленка 4. Данный выключатель дает осдабление в режиме запирани  до 64 дБ. 1 ил.The invention relates to radio engineering. The purpose of the invention is to increase the attenuation in the lock mode. For this, the switch contains a diode 1, a half-wave and one-wave sections 2 and 3 of the microstrip transmission line, a film 4 of absorbing material and a control circuit consisting of chokes 5, blocking and separation capacitors 6, 7 and 8 placed on the dielectric substrate 9, is inverse the side of which is metallized. When a reverse bias is applied to the diode 1, the segment 2 is practically not shunted by the diode 1, which is connected in parallel to the segment 2 in its middle. The input signal passes to the output of the switch in two ways: segment 3 and segment 2 with a phase shift of 180 ° between them and mutually compensate, i.e. lock mode is implemented. To level the attenuation of the signal along these two paths, a film 4 is provided. This switch gives a shutdown loss of up to 64 dB. 1 il.

Description

Изобретение относитс  к радиотехнике и может быть использовано в антенной и измерительной технике,в качестве узкополосного выключател  или импульсного модул тора .The invention relates to radio engineering and can be used in antenna and measurement technology, as a narrowband switch or pulse modulator.

Цель изобретени  - увеличение ослаблени  в режиме запирани .The purpose of the invention is to increase the attenuation in the lock mode.

На чертеже представлена конструкци  выключател .The drawing shows the design of the switch.

Выключатель содержит диод 1. полувол- новый и одноволновый отрезки 2 и 3 микро- полосковой линии передачи, пленку 4 из поглощающего материала и цепь управлени , состо щую из дроссел  5, блокировочного конденсатора 6 и разделительных конденсаторов 7 и 8. размещенных на диэлектрической подложке 9, обратна  сторона которой металлизирована.The switch contains a diode 1. half-wave and one-wave sections 2 and 3 of the micro-strip transmission line, a film 4 of absorbing material and a control circuit consisting of throttles 5, a blocking capacitor 6 and separation capacitors 7 and 8. placed on a dielectric substrate 9 , the reverse side of which is metallized.

Выключатель работает следующим образом .The switch works as follows.

При подаче на диод 1 пр мого смещени  полуволновый отрезок 2 микрополоско- вой линии передачи шунтируетс  в его середине пр мым сопротивлением диода 1 и сигнал проходит через выключатель по одноволновому отрезку 3 микрополосковой линии передачи с небольшим ослаблением, т.е. реализуетс  режим пропускани . При подаче на диод 1 обратного смещени  пол- уволновый отрезок 2 линии передачи практически не шунтируетс  диодом 1 и входной сигнал проходит на выход выключател  по двум пут м - одноволновому отрезку 3 иWhen a direct bias is applied to the diode 1, the half-wave section 2 of the microstrip transmission line is shunted in its middle by the direct resistance of diode 1 and the signal passes through the switch along the single-wave section 3 of the microstrip transmission line with a slight attenuation, i.e. a pass mode is implemented. When reverse bias is applied to diode 1, the half-wave section 2 of the transmission line is practically not bridged by diode 1 and the input signal passes to the switch output in two ways - the single-wave section 3 and

О)ABOUT)

оabout

ь 00l 00

полу вол новому отрезку 2 микрополосшаой линий передачи со сдвигом фаз 180й между ними и взаимно компенсируетс , т.е. реализуетс  режим запирани . Дл  выравнивани  ослаблени  сигнала по этим двум пут м предусмотрена пленка 4 из поглощающего материала. Подача смещени  на диод 1 осуществл етс  через цепь управлени , состо щую из дроссел  5, блокировочного конденсатора 6 и разделительных конденсаторов 7 и 8, размещенных на диэлектрической подложке 9, В диапазоне около 1,6Semi-wavelength segment 2 of the micro-transmission lines with a phase shift of 180y between them and mutually compensate, i.e. lock mode is implemented. To even out the attenuation of the signal along these two paths, a film 4 of absorbing material is provided. The bias is supplied to the diode 1 through a control circuit consisting of throttles 5, a blocking capacitor 6 and separation capacitors 7 and 8 placed on the dielectric substrate 9, in the range of about 1.6

ГГц данный выключатель дает ослабление в режиме запирани  до 64 дБ.GHz This switch gives attenuation in the lock mode up to 64 dB.

Claims (1)

Формула изобретени  Выключатель, содержащий соединен- ные параллельно полуволновый и одновол- новый отрезки микрополосковых линий передачи и диоде цепью управлени , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  ослаблени  в режиме запирани , диод под- ключей параллельно полуволновому отрезку микрополосковой линии передачи в его середина,Claims of the invention: A switch comprising parallel-connected half-wave and one-wave lengths of microstrip transmission lines and a diode control circuit, characterized in that, in order to increase the attenuation in the lock-up mode, the sub diode is parallel to the half-wave length of the microstrip transmission line in its middle, ,ЈZZZZZZZZZZZZZZ2 ZZZZZZX, ZZZZZZZZZZZZZZ2 ZZZZZZX Ь 7Ь 7
SU894649123A 1989-02-09 1989-02-09 Switch SU1663648A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894649123A SU1663648A1 (en) 1989-02-09 1989-02-09 Switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894649123A SU1663648A1 (en) 1989-02-09 1989-02-09 Switch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1663648A1 true SU1663648A1 (en) 1991-07-15

Family

ID=21428120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894649123A SU1663648A1 (en) 1989-02-09 1989-02-09 Switch

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1663648A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1083871, кл. Н01 Р 1/15. Авторское свидетельство СССР № 1327206, кл. Н01 Р 1/15. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1317649C (en) Band rejection filtering arrangement
KR900001140A (en) Filter and handset with bandstop
US3067394A (en) Carrier wave overload protector having varactor diode resonant circuit detuned by overvoltage
RU94046113A (en) TRANSMITTER SWITCH CIRCUIT AND METHOD OF ITS FUNCTIONING
KR960001781A (en) Radar Transmitter / Receiver
SU1663648A1 (en) Switch
US4626807A (en) Phase shifting device
US3673492A (en) Voltage controlled hybrid attenuator
US3705366A (en) Two-terminal reactive hybrid microcircuit having capacitive diode termination
US4250475A (en) Adjustable passband filter
KR970008850A (en) Stripline Filter with Switching Function
SU1753517A1 (en) Microstrip filter
US4004255A (en) Microwave frequency phase modulator
SU1626277A1 (en) Attenuator
JPH05235677A (en) Limiter circuit
SU1277252A1 (en) Microwave circuit breaker
SU1589333A1 (en) Strip control unit
RU2097878C1 (en) Microwave power limiter
RU2097879C1 (en) Annular power limiter
SU1497662A1 (en) Electrically-controlled attenuator
KR100325369B1 (en) Shunt-diode type switched line phase shifter
SU936105A1 (en) High-speed microwave change-over switch
KR950007279A (en) Tuning circuit
CA2050756A1 (en) Modulator using low-pass filter as delay element
SU1646043A1 (en) Shf discriminator