SU1661972A1 - Flip-flop - Google Patents

Flip-flop Download PDF

Info

Publication number
SU1661972A1
SU1661972A1 SU884626828A SU4626828A SU1661972A1 SU 1661972 A1 SU1661972 A1 SU 1661972A1 SU 884626828 A SU884626828 A SU 884626828A SU 4626828 A SU4626828 A SU 4626828A SU 1661972 A1 SU1661972 A1 SU 1661972A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
resistor
base
collector
trigger
Prior art date
Application number
SU884626828A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Станислав Семенович Баталов
Original Assignee
Научно-Производственное Объединение "Сибирский Государственный Научно-Исследовательский Институт Метрологии"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Производственное Объединение "Сибирский Государственный Научно-Исследовательский Институт Метрологии" filed Critical Научно-Производственное Объединение "Сибирский Государственный Научно-Исследовательский Институт Метрологии"
Priority to SU884626828A priority Critical patent/SU1661972A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1661972A1 publication Critical patent/SU1661972A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах бесконтактного переключени  больших токов. Целью изобретени   вл етс  расширение области применени  за счет возможности изменени  порога срабатывани  триггера. Устройство содержит первый N - P - N-транзистор 1, второй P - N - P-транзистор 2, четыре резистора 3 - 6. Дл  достижени  поставленной цели в устройство введены стабилитрон 8 и новые функциональные св зи. 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in contactless switching devices of large currents. The aim of the invention is to expand the scope due to the possibility of changing the trigger threshold. The device contains the first N - P - N transistor 1, the second P - N - P transistor 2, four resistors 3 - 6. To achieve this goal, Zener diode 8 and new functional connections are introduced into the device. 1 il.

Description

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в некоторых устройствах автоматики для бесконтактного переключения токов (от 0.1А и больше) достаточно мощных цепей,The invention relates to a pulse technique and can be used in some automation devices for contactless switching of currents (from 0.1A and more) of sufficiently powerful circuits,

Цель изобретения - расширение области применения за счет возможности изменения уровней срабатывания триггера.The purpose of the invention is the expansion of the scope due to the possibility of changing the trigger levels of the trigger.

На чертеже представлена электрическая принципиальная схема триггера.The drawing shows an electrical schematic diagram of a trigger.

Триггер содержит первый 1 л-р-п-транзистор, второй транзистор 2 р-п-р-транзистор 2, первый 3, второй 4, третий 5 и четвертый 6 резисторы, нагрузочный резистор 7, стабилитрон 8, первую 9 и вторую 10 шины питания и вход 11. База первого п-р-п-транзистора 1 соединена с входом 11, коллектор через нагрузочный резистор 7 - с первой шиной 9 питания и через первый резистор 3 - с базой второго р-п-'ртранзистора 2, которая через четвертый резистор 6 подключена к второй шине 10 питания, которая через второй резистор 4 соединена с коллектором второго р-п-ртранзистора 2, эмиттер которого подключен к эмиттеру первого п-р-п-транзистора 1, через третий резистор 5 - к первой шине 9 питания и к катоду стабилитрона 8, анод которого соединен с второй шиной 10 питания.The trigger contains the first 1 l-r-p-transistor, the second transistor 2 r-p-p-transistor 2, the first 3, the second 4, the third 5 and the fourth 6 resistors, a load resistor 7, a zener diode 8, the first 9 and the second 10 bus power supply and input 11. The base of the first pnp transistor 1 is connected to input 11, the collector through the load resistor 7 to the first power bus 9 and through the first resistor 3 to the base of the second pn-transistor 2, which the fourth resistor 6 is connected to the second power bus 10, which is connected through the second resistor 4 to the collector of the second r-p-transistor 2, emitt p is connected to the emitter of the first n-p-n transistor 1 via a third resistor 5 - 9 to the first power bus and to the cathode of the zener diode 8, the anode of which is connected to the second power supply bus 10.

Триггер работает следующим образом.The trigger works as follows.

Напряжение с коллектора первого транзистора 1 подается на базу второго транзистора 2 через первый резистор 3. Второй 4 и четвертый 6 резисторы вместе с первым 3 резистором 3 задают статический режим второго транзистора 2. Цепь, состоящая из стабилитрона 8 и третьего резистора 5, задает начальный уровень срабатывания триггера, поддерживая определенный потенциал эмиттеров первого 1 и Еторого 2 транзисторов.The voltage from the collector of the first transistor 1 is supplied to the base of the second transistor 2 through the first resistor 3. The second 4 and fourth 6 resistors together with the first 3 resistor 3 determine the static mode of the second transistor 2. The circuit, consisting of a zener diode 8 and a third resistor 5, sets the initial level trigger operation, supporting a certain potential of emitters of the first 1 and second 2 transistors.

При повышении уровня входного сигнала потенциала эмиттера первого транзистора 1 транзистор начинает открываться, напряжение на его коллекторе уменьшается, что вызывает уменьшение потенциала базы второго транзистора 2. Поскольку потенциал базы второго транзистора 2 становится меньше потенциала эмиттера, транзистор, открывается, что приводит к полному открыванию первого транзистора 1. Ток в нагрузочном резисторе 7 возрастает до ) максимального, но при уменьшении напряжения входного сигнала транзисторы закрываются уже при меньшем уровне по сравнению с первоначальным, так как при открытых транзисторах потенциал эмитте5 ров определяется не стабилитроном, а падением напряжения на открытом втором транзисторе 2 и втором резисторе 4, Таким образом появляется гистерезис выходной характеристики триггера.When the level of the input signal of the emitter potential of the first transistor 1 increases, the transistor starts to open, the voltage on its collector decreases, which causes a decrease in the base potential of the second transistor 2. Since the base potential of the second transistor 2 becomes lower than the emitter potential, the transistor opens, which leads to the full opening of the first transistor 1. The current in the load resistor 7 increases to) maximum, but when the input voltage decreases, the transistors close even at a lower level In comparison with the original, since the open trench transistors emitte5 potential is not determined by Zener diode, and the voltage drop at the open second transistor 2 and the second resistor 4, thus there is the hysteresis of the output characteristic of the trigger.

00

Claims (1)

Формула изобрет е н и яClaim Триггер, содержащий п-р-л-транзистор, второй р-л-р-транзистор, первую, вторую шины питания, первый, второй, тре5 тий, четвертый резисторы, причем база первого транзистора соединена с входом устройства, коллектор через первый резистор - с базой второго транзистора, коллектор которого подключен к первому выводу 0 второго резистора, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения путем обеспечения изменения уровней срабатывания триггера, эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго 5 транзистора и через третий резистор с первой шиной питания, которая через нагрузочный резистор соединена с коллектором первого транзистора, база второго транзистора через четвертый резистор соединена Ό с второй шиной питания, подключенной к второму выводу второго резистора и к аноду стабилитрона, катод которого соединен с эмиттерами первого и второго транзисторов,A trigger containing a p-pn transistor, a second p-p-transistor, a first, second power bus, a first, a second, a third, a fourth resistor, the base of the first transistor connected to the input of the device, the collector through the first resistor with the base of the second transistor, the collector of which is connected to the first output 0 of the second resistor, characterized in that, in order to expand the scope by providing changes in trigger levels, the emitter of the first transistor is connected to the emitter of the second 5 transistor and through the third resistor with the first power bus, which is connected through the load resistor to the collector of the first transistor, the base of the second transistor is connected through the fourth resistor Ό to the second power bus connected to the second terminal of the second resistor and to the zener diode anode, the cathode of which is connected to the emitters of the first and second transistors,
SU884626828A 1988-12-27 1988-12-27 Flip-flop SU1661972A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884626828A SU1661972A1 (en) 1988-12-27 1988-12-27 Flip-flop

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884626828A SU1661972A1 (en) 1988-12-27 1988-12-27 Flip-flop

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1661972A1 true SU1661972A1 (en) 1991-07-07

Family

ID=21418091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884626828A SU1661972A1 (en) 1988-12-27 1988-12-27 Flip-flop

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1661972A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. - М.: Высша школа, 1982, с. 434. Патент US №3816767, кл. Н 03 К 3/286, 1974. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4885486A (en) Darlington amplifier with high speed turnoff
US4954917A (en) Power transistor drive circuit with improved short circuit protection
GB753014A (en) Semiconductor electric signal translating devices
KR0171713B1 (en) Overcurrent protection circuit of a power semiconductor transistor
KR840004280A (en) Display drive
GB2163614A (en) Battery economising circuit
USRE34107E (en) Power transistor drive circuit with improved short circuit protection
SU1661972A1 (en) Flip-flop
US4236089A (en) Floating power switch
US3996475A (en) Photoelectric controlling
EP0432472A2 (en) Signal output circuit having bipolar transistor in output stage and arranged in CMOS semiconductor integrated circuit
KR0177175B1 (en) Comparator circuit for an integrator
KR0135732B1 (en) Direct current supporting circuit and method
US5235215A (en) Memory device for use in power control circuits
GB2148622A (en) Electronic control circuit
SU1637003A1 (en) Pulse driver
US5616971A (en) Power switching circuit
DE69227106T2 (en) Structure to prevent the switching through of a parasitic diode located in an epitaxial well of integrated circuits
KR890016771A (en) Logic buffer circuit
SU508933A1 (en) Key management device
SU1720106A1 (en) Arrangement for actuating relay at low feeding voltage
SU1539988A2 (en) Contactless track switch
RU1810999C (en) Transistorized switch
SU1290512A1 (en) Level converter
SU1665473A1 (en) Device for control over transistor key