SU1659913A1 - Датчик интенсивности электромагнитного пол - Google Patents
Датчик интенсивности электромагнитного пол Download PDFInfo
- Publication number
- SU1659913A1 SU1659913A1 SU894707546A SU4707546A SU1659913A1 SU 1659913 A1 SU1659913 A1 SU 1659913A1 SU 894707546 A SU894707546 A SU 894707546A SU 4707546 A SU4707546 A SU 4707546A SU 1659913 A1 SU1659913 A1 SU 1659913A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- plate
- sensor
- electromagnetic field
- wavelength
- thickness
- Prior art date
Links
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технике измерений параметров полей и может быть использовано лд измерени интенсивности электромагнитного пол . Цель изобретени - повышение технологичности изготовлени датчика. Указанна цель достигаетс тем, что датчик интенсивности электромагнитного пол выполнен из пластины 1 электропровод щего полиэтилена, на которую нанесен слой 2 холестерических жидких кристаллов, и защитного сло 3. Толщина пластины 1 равна 0,05 -где Л - длина волны в свободном пространстве; tgd - тангенс угла потерь материала пластины 1; е - диэлектрическа проницаемость пластины 1. Выполнение пластины 1 из полимерных материалов указанной толщины позвол ет упростить изготовление датчика при сохранении его чувствительности. 1 ил. ё О ел ю Ч) со
Description
Изобретение относитс к измерени м параметров полей и может быть использовано дл измерени интенсивности электромагнитного пол (ЭМП).
Цель изобретени - повышение технологичности изготовлени датчика.
На чертеже приведена конструкци датчика интенсивности ЭМП.
Датчик включает пластину 1, выполненную из электропровод щего полиэтилена, на-которую нанесен слой 2 материала, обладающего свойством зависимости длины волны рассе нного света от температуры , например холестерический жидкий кристалл (ХЖК). Слой 2 закрыт защитным слоем 3.
Датчик интенсивности ЭМП работает следующим образом.
При внесении датчика в электромагнитное поле пластина 1, выполненна из электропровод щего полиэтилена, поглощает часть мощности падающего на нее пол , преобразу ее в тепло. Под действием этого тепла происходит нагрев пластины 1 и расположенного на ней сло 2 ХЖК. Последний , облада свойством зависимости длины волны рассе нного света от температуры, измен ет свой цвет, и по нему определ ют интенсивность пол .
Дол мощности, соответствующа тепловым потер м, зависит от длины волны измер емого пол , диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь материала пластины, ее толщины и поперечных размеров . При нормальном падении волны на пластину из поглощающего материала относительна дол мощности потерь на единицу ее поверхности составл ет
pW-d-r l-e - /O-r2 ), где г- коэффициент отражени от материала пластины;
о. - коэффициент затухани ;
d - толщина пластины.
Значени г и а определ ютс длиной волны пол в пластине 1 и слое 2, диэлектрической проницаемостью материала е и тангенсом угла потерь материала пластины:
а Yi/2 (V1 +tg2(5-1) :
-.
wi
i
1 е V 1 + tg2 6
где г (Zc - Z0)(Zc + Z0);
где Zc - характеристическое сопротивление
волны в материале пластины;
5
Zo - характеристическое сопротивление волны в воздухе.
Температура нагреваемого тела в установившемс режиме пропорциональна мощности источника тепла, т.е. величине Р и обратно пропорциональна массе пластины с нанесенными на нее слоем ХЖК и защитным слоем. Поскольку толщина незначительна и может составл ть доли миллиметра , а толщина пластины, исход из условий механической жесткости выбираетс равной 1-2 мм, температура пластины обратно пропорциональна ее толщине
(s)/d.
Таким образом, чувствительность датчика тем выше, чем больше величина
0
5
5(s)
1 -е
- гол
- 20И
d
(1)
u i-A,
Дл каждого значени тангенса угла потерь и длины волны измер емого пол существует единственное значение толщины пластины, при которой достигаетс максимум отношени поглощенной мощности к толщине пластины, соответствующее максимуму чувствительности датp (S)
чика (--т- )тах. Эта зависимость при малых
о (доли длины волны)толщинах пластин хорошо аппроксимируетс эмпирической зависимостью
dЈ0.05A/tgd,(2)
где Я - длина волны в диэлектрике;
tg б - тангенс угла потерь материала пластины.
При указанном выполнении датчика его чувствительность определ етс толщиной пластины и относительной долей мощности электромагнитного пол , поглощенного пластиной.. Последн составл ет дл значени толщин d/A 0,005 - 0,05 величину 10,3 - 31,8%, что соответствует доле мощности , поглощенной в известных конструкци х датчиков. Таким образом, предлагаемый датчик по чувствительности не уступает известным и прототипу.
В качестве термоиндикаторного сло используетс слой из холестерических жидких кристаллов, который равномерно наноситс на полиэтиленовую пластину (толщина сло 10-15 мкм). Защитный слой выполн етс из лавсановой или триацетатной пленки толщиной 0,05 - 0,1 мм. Размеры датчика дл длины волны 20,- 30 см составл ют А х В 37,5 х 4,7 мм, толщина пластины равна 1,5 мм. В качестве материала пластины могут быть использованы материалы 107.31107.42, отличающиес процентным содержанием вход щего в их состав
5
0
5
10
поглощающего материала, например ацетиленовой сажи, и, следовательно, значением tgd . Выбор конкретного материала производитс в зависимости от длины волны измер емого пол .
Предлагаемый датчик характеризуетс более высокой технологичностью по сравнению с известными датчиками. Дл изготовлени последних требуютс следующие операции: изготовление пластины подложки вырезанием из листового материала при помощи алмазных фрез и обработка поверхности (подготовка дл вакуумного осаждени ), а также собственно вакуумное распыление. При изготовлении предлагаемого датчика эти операции замен ютс вырезанием (вырубанием) пластин из листо0
5
Claims (1)
- вого материала, механическа обработка которого не представл ет трудностей. Формула изобретени Датчик интенсивности электромагнитного пол , включающий подложку с нанесенным на нее слоем материала, обладающего свойством зависимости длины волны рассе нного света от температуры , и защитный слой, отличающийс тем, что, с целью повышени технологичности изготовлени датчика, подложка выполнена в виде пластины из электропровод щего полиэтилена, толщиной 0,05 з гДе о - длина волны измер емого электромагнитного пол ; Ј - диэлектрическа проницаемость материала пластины; д-угол диэлектрических потерь материала пластины.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894707546A SU1659913A1 (ru) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | Датчик интенсивности электромагнитного пол |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894707546A SU1659913A1 (ru) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | Датчик интенсивности электромагнитного пол |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1659913A1 true SU1659913A1 (ru) | 1991-06-30 |
Family
ID=21455291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894707546A SU1659913A1 (ru) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | Датчик интенсивности электромагнитного пол |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1659913A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2238130A1 (es) * | 2003-02-26 | 2005-08-16 | Jacinto Parga Fernandez | Dispositivo de medicion de las variables que definen las restricciones basicas de exposicion a los campos electromagneticos que abarcan la gama de frecuencias de 0 a 300 ghz. |
CN102171544A (zh) * | 2008-10-02 | 2011-08-31 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包含胆甾型液晶混合物的光谱检测器 |
-
1989
- 1989-06-19 SU SU894707546A patent/SU1659913A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US М: 3931573, кл, G 01 R 29/08, 1976. Максимов В.Н., Буханцев Н.И. Жидкокристаллические визуализаторы невидимых полей. - Зарубежна радиоэлектроника, 1979, №12, с. 3. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2238130A1 (es) * | 2003-02-26 | 2005-08-16 | Jacinto Parga Fernandez | Dispositivo de medicion de las variables que definen las restricciones basicas de exposicion a los campos electromagneticos que abarcan la gama de frecuencias de 0 a 300 ghz. |
CN102171544A (zh) * | 2008-10-02 | 2011-08-31 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包含胆甾型液晶混合物的光谱检测器 |
CN102171544B (zh) * | 2008-10-02 | 2014-08-27 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包含胆甾型液晶混合物的光谱检测器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU612726B2 (en) | Improvements in microwave heating | |
US5119232A (en) | Infrared-transmissive optical window | |
EP0356087A3 (en) | Positive temperature coefficient heater | |
ES274583Y (es) | Un dispositivo de placa de cocina | |
EP0318510A1 (en) | STRIP MATERIAL FOR THE CAMOUFLAGE OF OBJECTS WHICH CAN BE DETECTED BY ELECTROMAGNETIC RADIATION. | |
EP0343813A3 (en) | Radar transparent materials | |
EP0257955A3 (en) | Chemical sensor | |
CA1123976A (en) | Radiation detection device | |
SU1659913A1 (ru) | Датчик интенсивности электромагнитного пол | |
GB2173038A (en) | Thermal radiation detector | |
JPH083443B2 (ja) | 熱放射検出器 | |
JPS53125865A (en) | Inspection of alumite substrate | |
CN2290040Y (zh) | 陶瓷衰减型激光能量计 | |
EP0320469A3 (en) | An instrument for the measurement of the "ohms per square" of metalized films | |
FR2646309B1 (fr) | Procede de fabrication d'un capteur acoustique et capteur acoustique ainsi obtenu, a couche de protection indecollable | |
SU750292A1 (ru) | Приемник излучени | |
JPS5749916A (en) | Image converting element | |
SU1185268A1 (ru) | Способ измерени параметров электропровод щих пленок | |
JPS5748276A (en) | Image sensor | |
CA1057045A (en) | Method for monitoring the surface resistivity of metallized film | |
JPH0296639A (ja) | 赤外吸収スペクトル測定法及び測定用治具 | |
SU446926A1 (ru) | Устройство дл регистрации оптического изображени | |
Guclielmacci et al. | An Auger Spectrometer Study of the Silver Surface Layer on Palladium in the Temperature Range 200 to 600 deg C | |
JPS57166505A (en) | Method for measuring distortion of material plate for laminated glass | |
SU1272279A1 (ru) | Свч-датчик дл измерени малых значений диэлектрической проницаемости листовых материалов |