SU1659913A1 - Датчик интенсивности электромагнитного пол - Google Patents

Датчик интенсивности электромагнитного пол Download PDF

Info

Publication number
SU1659913A1
SU1659913A1 SU894707546A SU4707546A SU1659913A1 SU 1659913 A1 SU1659913 A1 SU 1659913A1 SU 894707546 A SU894707546 A SU 894707546A SU 4707546 A SU4707546 A SU 4707546A SU 1659913 A1 SU1659913 A1 SU 1659913A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
plate
sensor
electromagnetic field
wavelength
thickness
Prior art date
Application number
SU894707546A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Евгеньевич Седельников
Владимир Никифорович Лаврушев
Александр Иванович Мишин
Original Assignee
Казанский Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Казанский Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева filed Critical Казанский Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева
Priority to SU894707546A priority Critical patent/SU1659913A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1659913A1 publication Critical patent/SU1659913A1/ru

Links

Landscapes

  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технике измерений параметров полей и может быть использовано лд  измерени  интенсивности электромагнитного пол . Цель изобретени  - повышение технологичности изготовлени  датчика. Указанна  цель достигаетс  тем, что датчик интенсивности электромагнитного пол  выполнен из пластины 1 электропровод щего полиэтилена, на которую нанесен слой 2 холестерических жидких кристаллов, и защитного сло  3. Толщина пластины 1 равна 0,05 -где Л - длина волны в свободном пространстве; tgd - тангенс угла потерь материала пластины 1; е - диэлектрическа  проницаемость пластины 1. Выполнение пластины 1 из полимерных материалов указанной толщины позвол ет упростить изготовление датчика при сохранении его чувствительности. 1 ил. ё О ел ю Ч) со

Description

Изобретение относитс  к измерени м параметров полей и может быть использовано дл  измерени  интенсивности электромагнитного пол  (ЭМП).
Цель изобретени  - повышение технологичности изготовлени  датчика.
На чертеже приведена конструкци  датчика интенсивности ЭМП.
Датчик включает пластину 1, выполненную из электропровод щего полиэтилена, на-которую нанесен слой 2 материала, обладающего свойством зависимости длины волны рассе нного света от температуры , например холестерический жидкий кристалл (ХЖК). Слой 2 закрыт защитным слоем 3.
Датчик интенсивности ЭМП работает следующим образом.
При внесении датчика в электромагнитное поле пластина 1, выполненна  из электропровод щего полиэтилена, поглощает часть мощности падающего на нее пол , преобразу  ее в тепло. Под действием этого тепла происходит нагрев пластины 1 и расположенного на ней сло  2 ХЖК. Последний , облада  свойством зависимости длины волны рассе нного света от температуры, измен ет свой цвет, и по нему определ ют интенсивность пол .
Дол  мощности, соответствующа  тепловым потер м, зависит от длины волны измер емого пол , диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь материала пластины, ее толщины и поперечных размеров . При нормальном падении волны на пластину из поглощающего материала относительна  дол  мощности потерь на единицу ее поверхности составл ет
pW-d-r l-e - /O-r2 ), где г- коэффициент отражени  от материала пластины;
о. - коэффициент затухани ;
d - толщина пластины.
Значени  г и а определ ютс  длиной волны пол  в пластине 1 и слое 2, диэлектрической проницаемостью материала е и тангенсом угла потерь материала пластины:
а Yi/2 (V1 +tg2(5-1) :
-.
wi
i
1 е V 1 + tg2 6
где г (Zc - Z0)(Zc + Z0);
где Zc - характеристическое сопротивление
волны в материале пластины;
5
Zo - характеристическое сопротивление волны в воздухе.
Температура нагреваемого тела в установившемс  режиме пропорциональна мощности источника тепла, т.е. величине Р и обратно пропорциональна массе пластины с нанесенными на нее слоем ХЖК и защитным слоем. Поскольку толщина незначительна и может составл ть доли миллиметра , а толщина пластины, исход  из условий механической жесткости выбираетс  равной 1-2 мм, температура пластины обратно пропорциональна ее толщине
(s)/d.
Таким образом, чувствительность датчика тем выше, чем больше величина
0
5
5(s)
1 -е
- гол
- 20И
d
(1)
u i-A,
Дл  каждого значени  тангенса угла потерь и длины волны измер емого пол  существует единственное значение толщины пластины, при которой достигаетс  максимум отношени  поглощенной мощности к толщине пластины, соответствующее максимуму чувствительности датp (S)
чика (--т- )тах. Эта зависимость при малых
о (доли длины волны)толщинах пластин хорошо аппроксимируетс  эмпирической зависимостью
dЈ0.05A/tgd,(2)
где Я - длина волны в диэлектрике;
tg б - тангенс угла потерь материала пластины.
При указанном выполнении датчика его чувствительность определ етс  толщиной пластины и относительной долей мощности электромагнитного пол , поглощенного пластиной.. Последн   составл ет дл  значени  толщин d/A 0,005 - 0,05 величину 10,3 - 31,8%, что соответствует доле мощности , поглощенной в известных конструкци х датчиков. Таким образом, предлагаемый датчик по чувствительности не уступает известным и прототипу.
В качестве термоиндикаторного сло  используетс  слой из холестерических жидких кристаллов, который равномерно наноситс  на полиэтиленовую пластину (толщина сло  10-15 мкм). Защитный слой выполн етс  из лавсановой или триацетатной пленки толщиной 0,05 - 0,1 мм. Размеры датчика дл  длины волны 20,- 30 см составл ют А х В 37,5 х 4,7 мм, толщина пластины равна 1,5 мм. В качестве материала пластины могут быть использованы материалы 107.31107.42, отличающиес  процентным содержанием вход щего в их состав
5
0
5
10
поглощающего материала, например ацетиленовой сажи, и, следовательно, значением tgd . Выбор конкретного материала производитс  в зависимости от длины волны измер емого пол .
Предлагаемый датчик характеризуетс  более высокой технологичностью по сравнению с известными датчиками. Дл  изготовлени  последних требуютс  следующие операции: изготовление пластины подложки вырезанием из листового материала при помощи алмазных фрез и обработка поверхности (подготовка дл  вакуумного осаждени ), а также собственно вакуумное распыление. При изготовлении предлагаемого датчика эти операции замен ютс  вырезанием (вырубанием) пластин из листо0
5

Claims (1)

  1. вого материала, механическа  обработка которого не представл ет трудностей. Формула изобретени  Датчик интенсивности электромагнитного пол , включающий подложку с нанесенным на нее слоем материала, обладающего свойством зависимости длины волны рассе нного света от температуры , и защитный слой, отличающийс  тем, что, с целью повышени  технологичности изготовлени  датчика, подложка выполнена в виде пластины из электропровод щего полиэтилена, толщиной 0,05 з гДе о - длина волны измер емого электромагнитного пол ; Ј - диэлектрическа  проницаемость материала пластины; д-угол диэлектрических потерь материала пластины.
SU894707546A 1989-06-19 1989-06-19 Датчик интенсивности электромагнитного пол SU1659913A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894707546A SU1659913A1 (ru) 1989-06-19 1989-06-19 Датчик интенсивности электромагнитного пол

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894707546A SU1659913A1 (ru) 1989-06-19 1989-06-19 Датчик интенсивности электромагнитного пол

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1659913A1 true SU1659913A1 (ru) 1991-06-30

Family

ID=21455291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894707546A SU1659913A1 (ru) 1989-06-19 1989-06-19 Датчик интенсивности электромагнитного пол

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1659913A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2238130A1 (es) * 2003-02-26 2005-08-16 Jacinto Parga Fernandez Dispositivo de medicion de las variables que definen las restricciones basicas de exposicion a los campos electromagneticos que abarcan la gama de frecuencias de 0 a 300 ghz.
CN102171544A (zh) * 2008-10-02 2011-08-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含胆甾型液晶混合物的光谱检测器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US М: 3931573, кл, G 01 R 29/08, 1976. Максимов В.Н., Буханцев Н.И. Жидкокристаллические визуализаторы невидимых полей. - Зарубежна радиоэлектроника, 1979, №12, с. 3. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2238130A1 (es) * 2003-02-26 2005-08-16 Jacinto Parga Fernandez Dispositivo de medicion de las variables que definen las restricciones basicas de exposicion a los campos electromagneticos que abarcan la gama de frecuencias de 0 a 300 ghz.
CN102171544A (zh) * 2008-10-02 2011-08-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含胆甾型液晶混合物的光谱检测器
CN102171544B (zh) * 2008-10-02 2014-08-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含胆甾型液晶混合物的光谱检测器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU612726B2 (en) Improvements in microwave heating
US5119232A (en) Infrared-transmissive optical window
EP0356087A3 (en) Positive temperature coefficient heater
ES274583Y (es) Un dispositivo de placa de cocina
EP0318510A1 (en) STRIP MATERIAL FOR THE CAMOUFLAGE OF OBJECTS WHICH CAN BE DETECTED BY ELECTROMAGNETIC RADIATION.
EP0343813A3 (en) Radar transparent materials
EP0257955A3 (en) Chemical sensor
CA1123976A (en) Radiation detection device
SU1659913A1 (ru) Датчик интенсивности электромагнитного пол
GB2173038A (en) Thermal radiation detector
JPH083443B2 (ja) 熱放射検出器
JPS53125865A (en) Inspection of alumite substrate
CN2290040Y (zh) 陶瓷衰减型激光能量计
EP0320469A3 (en) An instrument for the measurement of the "ohms per square" of metalized films
FR2646309B1 (fr) Procede de fabrication d'un capteur acoustique et capteur acoustique ainsi obtenu, a couche de protection indecollable
SU750292A1 (ru) Приемник излучени
JPS5749916A (en) Image converting element
SU1185268A1 (ru) Способ измерени параметров электропровод щих пленок
JPS5748276A (en) Image sensor
CA1057045A (en) Method for monitoring the surface resistivity of metallized film
JPH0296639A (ja) 赤外吸収スペクトル測定法及び測定用治具
SU446926A1 (ru) Устройство дл регистрации оптического изображени
Guclielmacci et al. An Auger Spectrometer Study of the Silver Surface Layer on Palladium in the Temperature Range 200 to 600 deg C
JPS57166505A (en) Method for measuring distortion of material plate for laminated glass
SU1272279A1 (ru) Свч-датчик дл измерени малых значений диэлектрической проницаемости листовых материалов