SU1653129A1 - Composite transistor - Google Patents
Composite transistor Download PDFInfo
- Publication number
- SU1653129A1 SU1653129A1 SU884616514A SU4616514A SU1653129A1 SU 1653129 A1 SU1653129 A1 SU 1653129A1 SU 884616514 A SU884616514 A SU 884616514A SU 4616514 A SU4616514 A SU 4616514A SU 1653129 A1 SU1653129 A1 SU 1653129A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- current
- base
- composite
- transistors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к аналоговой технике и может оыть использовано в интегральных схемах, содержащих усилительные каскады. Цель изобретени - снижение тока потреолени , увеличение коэффициента по току и уменьшение входной емкости составного транзистора . Составной транзистор содержит первый и второй транзисторы первого типа проводимости и третий и четвертый транзисторы второго типа проводимости . Введение новых св зей позвол ет использовать первый транзистор в качестве усилител тока, ток базы первого транзистора компенсируетс током , формируемым преобразователем тока на втором транзисторе. Компенсирующий ток передаетс в базу первого транзистора посредством отражател тока, построенного на третьем и четвертом транзисторах. 1 ил. (ЛThe invention relates to analog technology and may be used in integrated circuits containing amplifier stages. The purpose of the invention is to reduce the current flow, increase the current coefficient and decrease the input capacitance of the composite transistor. The composite transistor includes first and second transistors of the first conductivity type and third and fourth transistors of the second conductivity type. The introduction of new connections allows the use of the first transistor as a current amplifier, the base current of the first transistor is compensated by the current generated by the current transducer on the second transistor. The compensating current is transmitted to the base of the first transistor by means of a current reflector built on the third and fourth transistors. 1 il. (L
Description
Изобретение относитс к аналоговой технике и может быть использовано в интегральных схемах, содержащих усилительные К1СКЭДЫ.The invention relates to an analog technique and can be used in integrated circuits containing amplifying K1SCEDA.
Цель изобретени - снижение тока потреблени , увеличение коэффициента усилени по току и уменьшение входной емкости составного транзистора.The purpose of the invention is to reduce the current consumption, increase the current gain and decrease the input capacitance of the composite transistor.
На чертеже приведена электрическа схема предлагаемого составного транзистора .The drawing shows the electrical circuit of the proposed composite transistor.
Составной транзистор содержит первый транзистор 1 первого типа проводимости , эмиттер которого вл етс эмиттером 2 составного транзистора, второй транзистор 3 первого типа проводимости 3, третий и четвертый транзисторы 4,5 второго типа проводимости , эмиттеры которых соединены и подключены к шине 6 опорного потенциала, база 7 четвертого транзистора 5 и база и коллектор третьего транзистора 4 .соединены и подключены к базе второго транзистора 3, эмиттер второго транзистора 3 подключен к коллектору первого транзистора 1, коллектор второго транзистора 3 вл етс коллектором составного транзистора, а база первого транзистора 1 и коллектор четвертого транзистора Ь соединены и вл ютс базой 8 составного транзистора.The composite transistor contains the first transistor 1 of the first conductivity type, the emitter of which is the emitter 2 of the composite transistor, the second transistor 3 of the first conductivity type 3, the third and fourth transistors 4.5 of the second conductivity type, the emitters of which are connected and connected to the reference potential bus 6, the base 7 of the fourth transistor 5 and the base and collector of the third transistor 4. Are connected and connected to the base of the second transistor 3, the emitter of the second transistor 3 is connected to the collector of the first transistor 1, the collector of the second t the razistor 3 is the collector of the composite transistor, and the base of the first transistor 1 and the collector of the fourth transistor b are connected and are the base 8 of the compound transistor.
Сущность изобретени заключаетс в компенсации тока базы первого транзистора 1, используемого в качестве усилител тока, током, формируемым преобразователем тока. В качестве преобразовател тока используетс второй транзистор 3, образующий совместно с первым транзистором 1 КЗСКОДНОРThe invention consists in compensating the base current of the first transistor 1 used as a current amplifier by the current generated by the current converter. The second transistor 3 is used as a current transducer, which together with the first transistor 1 forms
О5O5
елate
соwith
ЁYo
включение. Компенсирующий ток передаетс в базу первого транзистора 1 посредством отражател тока, построенного на третьем и четвертом транзисто- pax 4,5 оturning on. The compensating current is transmitted to the base of the first transistor 1 by means of a current reflector built on the third and fourth transistor 4.5 o.
Дл по снени существа изобретени рассмотрим работу предлагаемого составного транзистора в схеме включени с общим эмиттером, где эмиттер 2 подключен к шине нулевого потенциала , а коллектор подключен к положительной шине питани Un через резистор 9 нагрузки. Дл нормальной работы предлагаемого составного транзис- тора па соединенные эмиттеры 4 и 5 подаетс положительный опорный потении- ал Uon.In order to clarify the invention, let us consider the operation of the proposed composite transistor in the switching circuit with a common emitter, where the emitter 2 is connected to the zero potential bus, and the collector is connected to the positive power bus Un through the load resistor 9. For normal operation of the proposed composite transistor, pa-coupled emitters 4 and 5 are fed with a positive reference pot Uon.
.Величина опорного потенциала должна удовлетвор ть соотношению The magnitude of the reference potential must satisfy the relation
..
зиzi
Бэ Be
(t)(t)
где U БЭ - напр жение перехода база - эмиттер в пр мом смещении (U gy 0, ТВ) .25 дл того, чтобы обеспечить линейный режим работы транзистора 1, используемого в качестве усилител тока.where U BE is the base-emitter transition voltage in forward bias (U gy 0, TB) .25 in order to ensure the linear operation of the transistor 1 used as a current amplifier.
Как следует из чертежа, линейный режим работы,в котором составной тран-зд зистор осуществл ет усиление входного сигнала, обеспечиваетс величиной напр жени смещени базы 8,, равной величине пр мого падепи напр жени на -эмиттерном переходе транзистора. - При этом транзистор 1 работает как усилитель тока, в цепи базы которого протекает ток Ig,, в цепи коллектора - 1К1, причем Јм |i Npw I61, где И урн- коэффициент усилени тран- 40 зисторов 1,3. Ток 1К, протекает через транзистор 3, служащий в качестве преобразовател тока Ik4, в ток базы транзистора 3 16г-. При этом ток нагрузки составного транзистора равен то-д5 ку коллектора транзистора 3 причемAs follows from the drawing, the linear mode of operation, in which the composite transistor amplifies the input signal, is provided by the magnitude of the base-bias voltage 8, equal to the value of the direct voltage across the emitter junction of the transistor. - At the same time, the transistor 1 operates as a current amplifier, in the base circuit of which the current Ig flows, in the collector circuit - 1К1, and Nm | i Npw I61, where I urn is the transistor gain factor of 1.3. Current 1K, flows through the transistor 3, which serves as a current transducer Ik4, to the base current of the transistor 3 16g-. In this case, the load current of the composite transistor is equal to the current of the collector of the transistor 3 and
К2 KI K2 KI
БгВ свою очередь, ток базы транзис- 50 тора 3 1ег служит в качестве входного тока отражател тока, выходной ток которого I v компенсирует ток базы транзистора 1.BGV turn, the base current of the transistor 50 1g serves as the input current of the current reflector, the output current of which I v compensates the base current of transistor 1.
Таким образом, входной ток i & иг-i-- - ражаетс уравнениемThus, the input current i & ig-i-- is equal to
.t.t
а коэфсрициент усилени в равенand the gain coefficient is
3 .. 1 I6 le, Так как IKZ- IM - 162 ,3 .. 1 I6 le, Since IKZ-IM - 162,
Р.РН--Р-,R.RN - P-,
4t4t
а Ijc - 1$г - 6t (ПРИ Равных площад х эмиттерных переходов транзисторо 4 и 5) вследствие практической идентичности их режимов работы, то fi 0МРМБолее строгий анализ работы дает дл коэффициента усилени следующее выЧand Ijc - 1 $ g - 6t (with equal areas of emitter transitions of transistor 4 and 5) due to the practical identity of their operating modes, then fi 0МРМMore, a more rigorous analysis of the operation gives
PNPMPNPM
ражениеpassion
Р R
i j. a Np NPN 1 PMW K()+Ti j. a Np NPN 1 PMW K () + T
где (Ьрмр- коэффициент усилени транзистора 4, 5; К 85/84, a 8 и 84 - площади эмиттерных переходов транзисторов 4 и 5 соответственно. Необходимо отметить, что предлагаемый составной транзистор в отличие от пары Дарлингтона позвол ет, использу соответствующий коэффициент К, реализовать произвольно большой коэффициент /3 независимо от конкретных значений (iNpN, ft pup использованных ,транзисторов.where (Lrmp is the gain of transistor 4, 5; K 85/84, a 8 and 84 are the emitter junction areas of transistors 4 and 5, respectively. It should be noted that the proposed composite transistor, unlike the Darlington pair, allows using the corresponding coefficient K, realize an arbitrarily large coefficient / 3 regardless of specific values (iNpN, ft pup used, transistors.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884616514A SU1653129A1 (en) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Composite transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884616514A SU1653129A1 (en) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Composite transistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1653129A1 true SU1653129A1 (en) | 1991-05-30 |
Family
ID=21413500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884616514A SU1653129A1 (en) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Composite transistor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1653129A1 (en) |
-
1988
- 1988-12-05 SU SU884616514A patent/SU1653129A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Степлненко И.11. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980, с. 290, рис. 9.1(л). Патент CIilA № 4425э51 , кл. Н 03 F 3/45, 1984. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4462005A (en) | Current mirror circuit | |
KR850002710A (en) | Emitter-flow type single-ended push-pull circuit | |
KR850004674A (en) | Multiplication circuit | |
SU1653129A1 (en) | Composite transistor | |
KR930017290A (en) | Broadband amplifier | |
KR950005170B1 (en) | Amplifier | |
JPH0752815B2 (en) | Push-pull amplifier | |
EP0373853B1 (en) | Amplifier output stage | |
KR830001980B1 (en) | Power amplification circuit | |
JPS5853207A (en) | High-voltage operational amplifier | |
SU1474826A1 (en) | Push-pull power amplifier | |
SU1095354A1 (en) | Operational amplfier | |
SU1095353A1 (en) | Two-step amplifier | |
SU1524159A1 (en) | Amplifier | |
JPS6216021Y2 (en) | ||
SU1246339A1 (en) | Differential amplifier | |
SU1094132A1 (en) | Push-pull amplifier | |
JP2902277B2 (en) | Emitter follower output current limiting circuit | |
SU1497713A1 (en) | Push-pull power amplifier | |
JP2566941B2 (en) | DC offset voltage compensation circuit for integrated circuit | |
KR830001979B1 (en) | Power amplification circuit | |
JPH0411042B2 (en) | ||
SU1385254A2 (en) | Output push-pull stage | |
SU1283945A1 (en) | Two-step amplifier | |
SU1376231A1 (en) | Push-pull power amplifier |