SU1653129A1 - Composite transistor - Google Patents

Composite transistor Download PDF

Info

Publication number
SU1653129A1
SU1653129A1 SU884616514A SU4616514A SU1653129A1 SU 1653129 A1 SU1653129 A1 SU 1653129A1 SU 884616514 A SU884616514 A SU 884616514A SU 4616514 A SU4616514 A SU 4616514A SU 1653129 A1 SU1653129 A1 SU 1653129A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
current
base
composite
transistors
Prior art date
Application number
SU884616514A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Михайлович Ткачук
Сергей Сергеевич Богуш
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2690
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2690 filed Critical Предприятие П/Я В-2690
Priority to SU884616514A priority Critical patent/SU1653129A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1653129A1 publication Critical patent/SU1653129A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к аналоговой технике и может оыть использовано в интегральных схемах, содержащих усилительные каскады. Цель изобретени  - снижение тока потреолени , увеличение коэффициента по току и уменьшение входной емкости составного транзистора . Составной транзистор содержит первый и второй транзисторы первого типа проводимости и третий и четвертый транзисторы второго типа проводимости . Введение новых св зей позвол ет использовать первый транзистор в качестве усилител  тока, ток базы первого транзистора компенсируетс  током , формируемым преобразователем тока на втором транзисторе. Компенсирующий ток передаетс  в базу первого транзистора посредством отражател  тока, построенного на третьем и четвертом транзисторах. 1 ил. (ЛThe invention relates to analog technology and may be used in integrated circuits containing amplifier stages. The purpose of the invention is to reduce the current flow, increase the current coefficient and decrease the input capacitance of the composite transistor. The composite transistor includes first and second transistors of the first conductivity type and third and fourth transistors of the second conductivity type. The introduction of new connections allows the use of the first transistor as a current amplifier, the base current of the first transistor is compensated by the current generated by the current transducer on the second transistor. The compensating current is transmitted to the base of the first transistor by means of a current reflector built on the third and fourth transistors. 1 il. (L

Description

Изобретение относитс  к аналоговой технике и может быть использовано в интегральных схемах, содержащих усилительные К1СКЭДЫ.The invention relates to an analog technique and can be used in integrated circuits containing amplifying K1SCEDA.

Цель изобретени  - снижение тока потреблени , увеличение коэффициента усилени  по току и уменьшение входной емкости составного транзистора.The purpose of the invention is to reduce the current consumption, increase the current gain and decrease the input capacitance of the composite transistor.

На чертеже приведена электрическа  схема предлагаемого составного транзистора .The drawing shows the electrical circuit of the proposed composite transistor.

Составной транзистор содержит первый транзистор 1 первого типа проводимости , эмиттер которого  вл етс  эмиттером 2 составного транзистора, второй транзистор 3 первого типа проводимости 3, третий и четвертый транзисторы 4,5 второго типа проводимости , эмиттеры которых соединены и подключены к шине 6 опорного потенциала, база 7 четвертого транзистора 5 и база и коллектор третьего транзистора 4 .соединены и подключены к базе второго транзистора 3, эмиттер второго транзистора 3 подключен к коллектору первого транзистора 1, коллектор второго транзистора 3  вл етс  коллектором составного транзистора, а база первого транзистора 1 и коллектор четвертого транзистора Ь соединены и  вл ютс  базой 8 составного транзистора.The composite transistor contains the first transistor 1 of the first conductivity type, the emitter of which is the emitter 2 of the composite transistor, the second transistor 3 of the first conductivity type 3, the third and fourth transistors 4.5 of the second conductivity type, the emitters of which are connected and connected to the reference potential bus 6, the base 7 of the fourth transistor 5 and the base and collector of the third transistor 4. Are connected and connected to the base of the second transistor 3, the emitter of the second transistor 3 is connected to the collector of the first transistor 1, the collector of the second t the razistor 3 is the collector of the composite transistor, and the base of the first transistor 1 and the collector of the fourth transistor b are connected and are the base 8 of the compound transistor.

Сущность изобретени  заключаетс  в компенсации тока базы первого транзистора 1, используемого в качестве усилител  тока, током, формируемым преобразователем тока. В качестве преобразовател  тока используетс  второй транзистор 3, образующий совместно с первым транзистором 1 КЗСКОДНОРThe invention consists in compensating the base current of the first transistor 1 used as a current amplifier by the current generated by the current converter. The second transistor 3 is used as a current transducer, which together with the first transistor 1 forms

О5O5

елate

соwith

ЁYo

включение. Компенсирующий ток передаетс  в базу первого транзистора 1 посредством отражател  тока, построенного на третьем и четвертом транзисто- pax 4,5 оturning on. The compensating current is transmitted to the base of the first transistor 1 by means of a current reflector built on the third and fourth transistor 4.5 o.

Дл  по снени  существа изобретени  рассмотрим работу предлагаемого составного транзистора в схеме включени  с общим эмиттером, где эмиттер 2 подключен к шине нулевого потенциала , а коллектор подключен к положительной шине питани  Un через резистор 9 нагрузки. Дл  нормальной работы предлагаемого составного транзис- тора па соединенные эмиттеры 4 и 5 подаетс  положительный опорный потении- ал Uon.In order to clarify the invention, let us consider the operation of the proposed composite transistor in the switching circuit with a common emitter, where the emitter 2 is connected to the zero potential bus, and the collector is connected to the positive power bus Un through the load resistor 9. For normal operation of the proposed composite transistor, pa-coupled emitters 4 and 5 are fed with a positive reference pot Uon.

.Величина опорного потенциала должна удовлетвор ть соотношению The magnitude of the reference potential must satisfy the relation

..

зиzi

Бэ Be

(t)(t)

где U БЭ - напр жение перехода база - эмиттер в пр мом смещении (U gy 0, ТВ) .25 дл  того, чтобы обеспечить линейный режим работы транзистора 1, используемого в качестве усилител  тока.where U BE is the base-emitter transition voltage in forward bias (U gy 0, TB) .25 in order to ensure the linear operation of the transistor 1 used as a current amplifier.

Как следует из чертежа, линейный режим работы,в котором составной тран-зд зистор осуществл ет усиление входного сигнала, обеспечиваетс  величиной напр жени  смещени  базы 8,, равной величине пр мого падепи  напр жени  на -эмиттерном переходе транзистора. - При этом транзистор 1 работает как усилитель тока, в цепи базы которого протекает ток Ig,, в цепи коллектора - 1К1, причем Јм |i Npw I61, где И урн- коэффициент усилени  тран- 40 зисторов 1,3. Ток 1К, протекает через транзистор 3, служащий в качестве преобразовател  тока Ik4, в ток базы транзистора 3 16г-. При этом ток нагрузки составного транзистора равен то-д5 ку коллектора транзистора 3 причемAs follows from the drawing, the linear mode of operation, in which the composite transistor amplifies the input signal, is provided by the magnitude of the base-bias voltage 8, equal to the value of the direct voltage across the emitter junction of the transistor. - At the same time, the transistor 1 operates as a current amplifier, in the base circuit of which the current Ig flows, in the collector circuit - 1К1, and Nm | i Npw I61, where I urn is the transistor gain factor of 1.3. Current 1K, flows through the transistor 3, which serves as a current transducer Ik4, to the base current of the transistor 3 16g-. In this case, the load current of the composite transistor is equal to the current of the collector of the transistor 3 and

К2 KI K2 KI

БгВ свою очередь, ток базы транзис- 50 тора 3 1ег служит в качестве входного тока отражател  тока, выходной ток которого I v компенсирует ток базы транзистора 1.BGV turn, the base current of the transistor 50 1g serves as the input current of the current reflector, the output current of which I v compensates the base current of transistor 1.

Таким образом, входной ток i & иг-i-- - ражаетс  уравнениемThus, the input current i & ig-i-- is equal to

.t.t

а коэфсрициент усилени  в равенand the gain coefficient is

3 .. 1 I6 le, Так как IKZ- IM - 162 ,3 .. 1 I6 le, Since IKZ-IM - 162,

Р.РН--Р-,R.RN - P-,

4t4t

а Ijc - 1$г - 6t (ПРИ Равных площад х эмиттерных переходов транзисторо 4 и 5) вследствие практической идентичности их режимов работы, то fi 0МРМБолее строгий анализ работы дает дл  коэффициента усилени  следующее выЧand Ijc - 1 $ g - 6t (with equal areas of emitter transitions of transistor 4 and 5) due to the practical identity of their operating modes, then fi 0МРМMore, a more rigorous analysis of the operation gives

PNPMPNPM

ражениеpassion

Р R

i j. a Np NPN 1 PMW K()+Ti j. a Np NPN 1 PMW K () + T

где (Ьрмр- коэффициент усилени  транзистора 4, 5; К 85/84, a 8 и 84 - площади эмиттерных переходов транзисторов 4 и 5 соответственно. Необходимо отметить, что предлагаемый составной транзистор в отличие от пары Дарлингтона позвол ет, использу  соответствующий коэффициент К, реализовать произвольно большой коэффициент /3 независимо от конкретных значений (iNpN, ft pup использованных ,транзисторов.where (Lrmp is the gain of transistor 4, 5; K 85/84, a 8 and 84 are the emitter junction areas of transistors 4 and 5, respectively. It should be noted that the proposed composite transistor, unlike the Darlington pair, allows using the corresponding coefficient K, realize an arbitrarily large coefficient / 3 regardless of specific values (iNpN, ft pup used, transistors.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Составной транзистор, содержащий первый транзистор первого типа проводимости , эмиттер которого  вл етс  эмиттером составного транзистора,вто- рой транзистор первого типа проводимости , эмиттер которого подключен к коллектору первого транзистора, а коллектор  вл етс  коллектором составного транзистора, третий транзистор второго типа проводимости, база которого подключена к базе второго транзистора и четвертый транзистор второго типа проводимости, отличающийс  т.ем, что, с целью снижени  тока потреблени  , увеличени  коэффициента усилени  по току и уменьшени  входной емкости составного транзистора, база четвертого и коллектор третьего транзисторов подключены к базе третьего, эмиттеры третьего и четвертого транзисторов непосредственно или,черезThe composite transistor contains the first transistor of the first conductivity type, the emitter of which is the emitter of the composite transistor, the second transistor of the first conductivity type, the emitter of which is connected to the collector of the first transistor, the third transistor of the second conductivity type, whose base connected to the base of the second transistor and the fourth transistor of the second conductivity type, which differs by that, in order to reduce the current consumption, to increase the coefficient y ylene-current and reduce the input capacitance of the composite transistor, the fourth base and the collector of the third transistor connected to the third base, the emitters of the third and fourth transistors, either directly or through 5165312951653129 резисторы подключены к шине опорного  вл ютс  базом составного транзисто- потенциала, база первого и коллектор ра. четвертого транзисторов объединены иThe resistors connected to the reference bus are the base of the composite transistor potential, the base of the first and the collector. fourth transistors are combined and X
SU884616514A 1988-12-05 1988-12-05 Composite transistor SU1653129A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884616514A SU1653129A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Composite transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884616514A SU1653129A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Composite transistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1653129A1 true SU1653129A1 (en) 1991-05-30

Family

ID=21413500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884616514A SU1653129A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Composite transistor

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1653129A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Степлненко И.11. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980, с. 290, рис. 9.1(л). Патент CIilA № 4425э51 , кл. Н 03 F 3/45, 1984. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4462005A (en) Current mirror circuit
KR850002710A (en) Emitter-flow type single-ended push-pull circuit
KR850004674A (en) Multiplication circuit
SU1653129A1 (en) Composite transistor
KR930017290A (en) Broadband amplifier
KR950005170B1 (en) Amplifier
JPH0752815B2 (en) Push-pull amplifier
EP0373853B1 (en) Amplifier output stage
KR830001980B1 (en) Power amplification circuit
JPS5853207A (en) High-voltage operational amplifier
SU1474826A1 (en) Push-pull power amplifier
SU1095354A1 (en) Operational amplfier
SU1095353A1 (en) Two-step amplifier
SU1524159A1 (en) Amplifier
JPS6216021Y2 (en)
SU1246339A1 (en) Differential amplifier
SU1094132A1 (en) Push-pull amplifier
JP2902277B2 (en) Emitter follower output current limiting circuit
SU1497713A1 (en) Push-pull power amplifier
JP2566941B2 (en) DC offset voltage compensation circuit for integrated circuit
KR830001979B1 (en) Power amplification circuit
JPH0411042B2 (en)
SU1385254A2 (en) Output push-pull stage
SU1283945A1 (en) Two-step amplifier
SU1376231A1 (en) Push-pull power amplifier