SU1651245A1

SU1651245A1 - Способ измерени потенциала поверхности зар женного диэлектрика

Info

Publication number: SU1651245A1
Application number: SU884601924A
Authority: SU
Inventors: Георгий Владимирович Рябченко; Владимир Петрович Гончаренко; Даниил Макарович Колотило; Николай Сергеевич Бром
Original assignee: Киевский Институт Народного Хозяйства Им.Д.С.Коротченко
Priority date: 1988-11-02
Filing date: 1988-11-02
Publication date: 1991-05-23

Abstract

Изобретение относитс к электроизмерени м и может быть использовано дл контрол потенциала поверхности электретов. Цель изобретени - повышение точности измерени . Внутрь динамического конденсатора на его неподвижную пластину помещают образец зар женного диэлектрика. Заземленна подвижна пластина конденсатора совершает гармонические механические колебани , в результате чего на неподвижной пластине индуцируетс переменное напр жение U, которое измер ют. Затем вместо зар женного образца в конденсатор помещают идентичный ему незар женный образец , на неподвижную пластину подают напр жение смещени , величину которого устанавливают такой, что переменна составл юща напр жени на неподвижной пластине становитс такой же, что и в случае зар женного образца. Измер ют напр жение смещени , величина которого равна измер емому потенциалу поверхности зар женного образца. Благодар тому, что в процессе измерени исследуемый образец не подвергаетс воздействию электрического пол , величина его зар да не искажаетс , что повышает точность измерени . (Л с

Description

Изобретение относитс к электроизмерени м и может быть использовано дл контрол потенциала поверхности электретов.

Целью изобретени вл етс повышение точности измерени .

Способ измерени потенциала поверхности зар женного диэлектрика заключаетс в следующем. Внутрь динамического конденсатора на его неподвижную пластину помещаетс образец зар женного диэлектрика. Подвижна пластина конденсатора заземлена и совершает гармонические механические колебани , в результате чего на неподвижной пластине конденсатора индуцируетс переменное напр жение пропорциональное поверхностной плотности зар да диэлектрика и, соответственно , потенциалу его внутренней поверхности. При подаче на неподвижную пластину посто нного напр жени смещени от источника с большим внутренним сопротивлением потенциал поверхности диэлектрика увеличиваетс или уменьшаетс в зависимости от знака напр жени смещени . Соответственно увеличиваетс или уменьшаетс

05 СП

ю

Јь СЛ

и переменна составл юща напр жени на неподвижной пластине.

Можно подобрать такую величину напр жени смещени ийм, при которой напр женность пол внутри конденсатора станет равной нулю, также станет равным нулю и U. При выполнении услови 1 / в L йЈ 1, где 1 - толщина диэлектрика , L - рассто ние между пластинами, 6- диэлектрическа проницаемость диэлектрика, напр жение смещени в этом случае равно Измер емому потенциалу внутренней поверхности зар женного диэлектрика. Одна- ко сильное электрическое поле, возникающее при подаче напр жени сме- щени ,, приводит к нарушению величины зар да диэлектрика, что в свою очередь приводит к большим ошибкам из- мерени .

Измер ют переменное напр жение на неподвижном электроде при отсутствии смещающего напр жени (UCM а тем вместо зар женного исследуемого образца в конденсатор помещают идентичный ему незар женный образец и подают напр жение смещени , увеличива его до тех пор, пока переменно напр жение на неподвижной пластине не достигнет прежнего значени U v. В этом случае напр жение смещени создает на внутренней поверхности диэлектрика потенциал, равный потенциалу зар женного образца. Следовательно , при выполнении прежнего услови 1/SL С 1 напр жение смещени равно потенциалу поверхности исследуемого образца. Благодар тому, что в процессе изменени исследуемый образец не подвергаетс воздействию электрического пол , величина зар да диэлектрика не искажаетс , что повы- шает точность измерени .

Claims

Формула изобретени

Способ измерени потенциала поверхности зар женного диэлектрика, заключающийс в том, что исследуемый образец зар женного диэлектрика мещают внутри динамического конденсатора на его неподвижной обкладке, подвижна заземленна обкладка которого совершает гармонические механические колебани , измер ют наведенное на неподвижной обкладке переменное напр жение, подают на неподвижную обкладку регулируемое посто нное напр жение смещени , отличающийс тем, что, с целью повышени точности, в динамический конденсатор вместо исследуемого зар женного образца помещают идентичный ему незар женный образец и измер ют напр жение смещени , при котором величина наведенного на неподвижной обкладке конденсатора переменного напр жени равна ранее измеренному.