SU1640815A1 - Матричный коммутатор - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к области автоматики и вычислительной технике, в частности, к устройствам дл  систем электронной коммутации цифровых сигналов , и может быть использовано в качестве межпроцессорного коммутатора с сохранением маршрута коммутации при отключении питани  мультипроцессорных вычислительных систем. Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости , что достигаетс  путем уменьшени  перекрестных помех. Это позвол ет расширить область применени  матричного коммутатора, снизить требовани  к электронному обрамлению , т.е. создать возможность дл  широкого использовани  матричного коммутатора в микропроцессорных системах в качестве межпроцессорного коммутатора высокой надежности, а также в специализированных матричных опера- о ционных устройствах свертки цифровых ® сигналов. 1 ил. (/)

Description

Изобретение относитс  к автоматике и вычислительной технике, а именно к устройствам, предназначенным дл  систем электронной коммутации цифровых сигналов, и может быть использовано в качестве межпроцессорного коммутатора с сохранением маршрута коммутации при отключении питани  в мультипроцессорных вычислительных системах.

Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости за счет уменьшени  перекрестных помех,

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема предложенного устройства.

Матричный коммутатор содержит п формирователей 1«-1п импульсов тока записи X, п строк из m обмоток 2 записи X, п формирователей 3 -3п импульсов тока стирани , п строк основных 4 и дополнительных 5 обмоток стирани  т формирователей 6 -6m импульсов тока записи У, m столбцов из п обмоток 7 записи Y, m усилителей 8, считывани ,п строк из m основных обмоток

9считывани  и m дополнительных обмоток

10считывани , п формирователей 11 11У . импульсов тока коммутации, п строк из m основных запоминающих носителей 12 и m дополнительных запоминающих носителей 13, п строк из 2и коммутационных дискретных носителей 14 и 2т компенсирующих дискретных носителей 15, п строк из двух коммутационных шин 16, общую шину 17,

п управл ющих входов 18 -18п X, m управл ющих входов 19 i -19 m Y. ti информационных входов 20 -20п , п

о

Ј

00 СЛ

входов 2f| 21,п стирани , m выходов 22, -22m .

Вход каждого из формирователей 1 -1 импульсов тока записи X соединен с соответствующим управл ющим входом 18 { -18 и X коммутатора, а выход - с первым выводом соответствующей строки из m последовательно согласно соединенных обмоток 2 записи X, второй вывод каждой строки соединен с общей шиной 17. Вход каждого из формирователей 3 -3 и импульсов тока стирани  соединен с соответствующим входом 2.1 21п стирани  ком- мутатора, а выход - с первым выводом соответствующей строки из m последовательно согласно соединенных групп обмоток стирани , а кажда  группа состоит из последовательно согласно соединенных основной обмотки 4 стирани  и дополнительной обмотки 5 стирани , причем вторые выводы строк соединены с общей шиной 17„ Вход каждого из формирователей 6 -

W

импульсов тока записи У соединен

с соответствующим управл ющим входом Т9 -19т Y коммутатора, а выход соединен с первым выводом соответствующего столбца из п последовательно согласно соединенных обмоток 7 записи Y, a вторые выводы столбцов соединены с общей шиной 17. Входы каждого из усилителей 8 ц -8 т считывани  соединены с обоими входами соответ

ствующих столбцов из п последователь- но включенных групп обмоток считывани  причем кажда  группа состоит ,из последовательно встречно включенных основной обмотки 9 считывани  и дополнительной обмотки 10 считывани , а выход каждого из усилителей 8( - 8 m считывани  соединен с соответствующим выходом 22 -22, коммутатора Вход каждого из формирователей 11t - tln импульсов тока коммутации соединен с соответствующим информационным входом 20 -20 у, коммутатора, а выход - с соответствующей строкой из двух параллельно соединенных шин fb коммутации, вторые выводы которых соединены с общей шиной 17, Основные запоминающие носители 12 расположены в местах пересечени  соответствующих обмоток 2 записи )t, обмоток 7 записи Y, основных обмоток 4 стирани , основных обмоток 9 считывани , и шин 16 коммутации и магнитосв заны с ними , а также с двум  соответствующими

Q - „ 5

0

0

коммутационными носител ми 14. Дополнительные запоминающие носители 13 расположены в местах пересечени  соответствующих дополнительных обмоток 5 стирани , дополнительных обмоток tO считывани  и шин 16 коммутации и магнитосв заны с ними . и с двумд соответствующими компенсирующими носител ми 15,

Матричный коммутатор работает в двух режимах: в режиме записи маршрута коммутации и режиме передачи коммутируемых сигналов.

Перед началом записи с входа 21 стирани  коммутатора поступает импульс на формирователь 11J импульсов тока стирани . При этом все основные и дополнительные запоминающие носители 9 и 10 намагничиваютс  до насыщени  и после окончани  переход т в состо ние, например, - Brmc))r. Это переводит все  чейки коммутатора на данной строке в состо ние О, т.ес закрывает их дл  передачи коммутируемых сигналов.

Дл  записи единицы в запоминающий носитель  чейки (открывание  чейки коммутации) одновременно соответствующих входов 18 и 19, коммутатора на формирователи 3 , и & токов записи подаютс  управл ющие импульсы . Амплитуды импульсов тока в записывающих обмотках 2 и 7 таковы, что только суммарное поле (пол  записи обмоток записи X и Y совпадают по направлению в основном запоминающем носителе 12) перемагничивает запоминающий магнитный носитель 12 из

0

5

0

состо ни  -Вг

max

в состо ние +Brrnqx.

При этом поле, создаваемое одной обмоткой (2 или 7) записи не перемагничивает запоминающий магнитный носитель 12.

При записи единиц в основные запоминающие носители 12 состо ние дополнительных запоминающих носителей 13 не измен етс ,

Коммутационные-носители 14 и компенсирующие носители 15 выполнены из магнитного материала, имеющего коэрцитивную силу Н , в 3-4 раза меньшую, чем основные и дополнительные запоминающие носителие Под действием пол  смещени , создаваемого запоминающими носител ми, коммутационные и компенсирующие магнитные носители 14 и 15 устанавливаютс  в состо ние насыщени , причем их векторы намагни

51

ченности устанавливаютс  антипараллельно векторам намагниченности соответствующих запоминающих носителей В режиме коммутации на входы 20, 20п формирователей 11 -11П им- пульсов токов коммутации одновременно подаютс  информационные сигналы Импульсы тока с выходов формирователей 11 4 -11г подаютс  в шины 16 коммутации и создают импульсное магнитное поле в направлении, перпендикул рном основным и дополнительным запоминающим носител м 12 и 13 ь Под действием этого пол  векторы магнитной индукции коммутационных носителей 14 и компенсирующих носителей 15 поворачиваютс  на угол об и, следовательно, наводитс  ЭДС в основных и дополнительных обмотках 9 и 10 считывани  „ После окончани  импульса коммутации под действием полей смещени  основных и дополнительных запоминающих носителей 12 и 13, векторы намагниченности коммутационных и компенсирующих магнитных носителей 14 и 15 возвращаютс  в исходное состо ние. В результате на входах усилителей 8 -8W считывани  и соответственно на выходах 22 -22 т матричного коммутатора по вл ютс  сигналы, определ емые поворотом векторов намагниченности двух коммутационных носителей 14 и двух компенсирующих носителей 15,

-При записи 1 сигнал на входе усилител  считывани  пропорционален учетверенному изменению индукции коммутационного носител , а при записи О равен нулю за счет взаимной ком- пенсации ЭДС, создаваемой в обмотках считывани  при изменении индукции коммутационных носителей.

Конструктивное расположение шин коммутации между записывающими носи- тел ми и соответствующими коммутационными и компенсирующими носител ми , а также параллельное соединение этих пин приводит к тому, что создаваемые ими пол  Н| в зоне располо- жени  запоминающих носителей направлены встречно и компенсируютс , а в зоне расположени  коммутационных и компенсирующих носителей удваиваютс  и достигают величины Н«та 2НК„ Это также позвол ет снизить уровень межканальных помех.

Таким образом, повышение помеха- устойчивости матричного коммутатора

5

8

« 0 5 д

0

, л

156

за счет снижени , уровн  перекрестных помех позвол ет расширить область его применени , снизить требовани  к электронному обрамлению, т.е., создать возможность дл  широкого использовани  матричного коммутатора в микропроцессорных системах в качестве межпроцессорного коммутатора высокой надежности, а также в специализированных матричных операционных устройствах свертки цифровых сигналов

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Матричный коммутатор, содержащий п строк из m обмоток записи X, соединенных в строке последовательно согласно , один вывод каждой строки обмоток записи X соединен с выходом соответствующего формировател  импульсов тока записи X, другой вывод соединен с общей шиной, п строк из m групп обмоток стирани , кажда  из которых содержит соединенные последовательно согласно основную и дополнительную обмотки стирани , группы в строке соединены последовательно согласно, один вывод каждой строки обмоток стирани  соединен с выходом соответствующего формировател  импульсов тока стирани , другой вывод соединен с общей шиной, m столбцов из п обмоток записи Y, соединенных в столбце последовательно согласно, один вывод каждого столбца обмоток записи Y соединен с выходом соответствующего формировател  импульсов тока записи Y, другой вывод соединен с общей шиной, m усилителей считывани , m столбцов из п групп обмоток считывани , кажда  группа содержит основную и дополнительную обмотки считывани , соединенные последовательно встречно, все группы соединены в столбце последовательно встречно, выводы каждого столбца обмоток считывани  соединены с входами соответствующего усилител  считывани , п формирователей импульсов тока коммутации, п строк из m групп дискретных запоминающих носителей из магнитного материала, кажда  из которых состоит из основного и дополнительного запоминающих носителей, каждый основной запоминающий носитель расположен в местах пересечени  соответствующих обмоток записи X и У, и магнитосв зан с ними, с соответствующей основной обмоткой

   стирани  и, основной обмоткой считывани , каждый дополнительный запоминающий носитель магнитосв зан с соотi

   ретствующими дополнительными обмотками стирани  и считывани , коммутационные носители из магнитного материала , магнитосв занные с основными запоминающими носител ми, о т л и - , тем, что, с целью повышени  помехоустойчивости за счет уменьшени  перекрестных помех, в каждую- строку введены 2т компенсирующих носителей дискретного типа из магнит

   5

   ного материала, две шины коммутации, а коммутационные носители-выполнены дискретными, причем каждый основной запоминающий носитель магнитосв зан с двум  коммутационными носител ми и обеими шинами коммутации, одни выводы которых соединены с выходом соответствующего формировател  импульсов тока коммутации, другие выводы подключены к общей шине, а каждый дополнительный запоминающий носитель магнитосв зан с двум  компенсирующими носител ми и с обеими шинами коммутации .

   «Л-«

   -СИ,

   -ов,