SU1624063A1 - Устройство дл выращивани кристаллов тугоплавких веществ - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к технике выращивани  искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов за счет уменьшени  теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева. Устройство содержит герметичную камеру роста с нагревателем, контейнер дл  расплава , установленный внутри нагревател  с возможностью осевого перемещени . Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и система до- ,о, мительных экранов, выпопж ННРЯ в форме усеченных конусов с углом раскрыти  9-11°, установленных на вер ем горизонтальном экране раструбами Btiepx Получены кристаллы иттрий-алюминиевого граната и его модификации 1 ил (Л t

Description

Изобретение относитс  к кристаллографии и может быть использовано дл  выращивани  монокристаллов тугоплавких веществ направленной кристаллизацией расплава.

Цель изобретени  - повышение качества кристаллов за счет уменьшени  теплоот- вод при выходе контейнера из зоны нагрезэ

На чертеже изображен продольный разрез устройства

Устройство содержит герметичную камеру роста 1 нагреватель 2 с охлаждаемыми токоподводами 3 контейнер 4 дл  расплава, установленный внутри нагревате л  2 с возможностью осевого перемещени , систему горизонтальных экранов 5, выполненных в виде дисков и расположенных под нагревателем 2, и систему вертикальных экранов 6 выполненных в виде цилиндров Устроиство снаг1- 1 но системой дополнительных экранов, выполненной в форме коаксиально расположенных усеченных конусов 7 с углом раскрыти  9 - 11° установленных растворами вверх под нагревателем 2 на верхнем горизонтальном экране 5

Устройство работает следующим образом

Контейнер 4 с исходным материалом помещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2 8 камере роста 1 создают необходимые температурные услови  и давление Выращивание кристаллов осуществл ют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревател  2 Часть энергии излучаемой нагревателем 2, попадает на внутреннюю новоохносгь конусов 7 и направл етс  на контейнер 4 выход щий из нагревател  2, /меньша  температурный градиент на поверхности

О

го о о со

контейнера 4, вследствие чего уменьшаютс  внутренние напр жени  в объеме выращенного кристалла и его растрескивание. Часть тепловой энергии, проход ща  через полые конуса 7, отражаетс  горизонтальными экранами 5, установленными на вертикальных экранах 6, что способствует уменьшению теплоотвода из рабочей зоны камеры 1 и также ведет к уменьшению температурных градиентов на выходе контейнера 4 из нагревател  2,

В данном устройстве получены кристаллы иттрий-алюминиевого граната и его модификации .

Claims (1)

1. Формула изобретени  Устройство дл  выращивани  кристаллов тугоплавких веществ методом вертикальной направленной кристаллизации расплава, включающее герметичную камеру роста, контейнер дл  расплава, установленный внутри нее с возможностью осевого

   перемещени , нагреватель расположенный коаксизльно контейнеру, и систему горизонтальных экранов, установленных под нагревателем , отличающеес  тем, что, с целью повышени  качества кристаллов за

   счет, уменьшени  теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева, оно снабжено системой дополнительных экранов, выполненной в форме коаксиально расположенных усеченных конусов с углом раскрыти 

   9 - 11°, установленных под нагревателем раструбами вверх на верхнем горизонтальном экране.