SU1622800A2

SU1622800A2 - Способ определени устойчивости магнитных коллоидов

Info

Publication number: SU1622800A2
Application number: SU884498617A
Authority: SU
Inventors: Александр Павлович Сизов; Анатолий Борисович Потапов; Юрий Олегович Михалев
Priority date: 1988-08-09
Filing date: 1988-08-09
Publication date: 1991-01-23

Abstract

Изобретение относитс к коллоидной химии, а именно к способам оценки устойчивости магнитных коллоидов. Цель изобретени - повышение достоверности определени устойчивости магнитных коллоидов - достигаетс тем, что критический перепад давлений определ ют дважды: вначале с неразрушенной, а затем с разрушенной пространственной сеткой, образованной магнитными частицами в коллоиде , а устойчивость магнитного коллоида определ етс по формуле, приведенной в описании изобретени . 2 ил., 1 табл.

Description

Изобретение относитс к коллоидной химии, может быть применено при оценке устойчивости коллоидов, содержащих в качестве дисперсной фазы магнитные частицы , например железо, кобальт, ферриты и др., и вл етс усовершенствованием изобретени по авт.св. № 922586.

Целью изобретени вл етс повышение достоверности определени устойчивости магнитных коллоидов.

Поставленна цель достигаетс тем, что магнитный коллоид помещают в неоднородное магнитное поле, измер ют критический перепад давлени ДРь не разруша св зей между магнитными частицами, затем разрушают св зи между магнитными частицами, например, путем наложени ультразвуковых колебаний и повторно определ ют кри- тический перепад давлений ДР2, а устойчивость магнитного коллоида ДС2 определ ют по формуле

где Л PI - критический перепад давлений до разрушени пространственной структурной сетки;

ДРг - критический перепад давлений после разрушени пространственной структурной сетки;

MS - намагниченность насыщени магнитного коллоида, измеренна в однородном магнитном поле;

К - посто нна прибора.

На фиг.1 изображено расположение магнитного коллоида между полюсами магнита; на фиг.2 - распределение напр женности магнитного пол .

Способ определени устойчивости магнитных коллоидов осуществл етс следующим образом.

Небольшой объем магнитного коллоида 1 (магнитна пробка) помещен в трубке ( не показана) между полюсами 2 и 3 магнита. В неоднородном магнитном поле на частицу магнитного коллоида действует сила

Fm //0-m- grad H,(2)

сл

с

о го

Ю 00

о о

го

рде Fm - магнитна сила;

m - магнитный момент частицы:

Н - напр женность магнитного пол ;

fi0 - магнитна посто нна .

Вследствие этого магнитна пробка удерживает определенный перепад давлений в трубке. Повыша давление с одной стороны трубчи, определ ют критический перепад давлений, при котором наступает разгерметизаци трубки. Значение крити- ческого перепада давлений, в свою очередь, зависит от наличи или отсутстви пространственной структурной сетки, которую образуют магнитные частицы в коллоиде.

При определении устойчивости магнит- ных коллоидов по предлагаемому способу критический перепад давлений измер ют дважды - сначала до разрушени пространственной структурной сетки, а затем после разрушени пространственной структур- ной сетки, например, воздействием ультразвуковых колебаний.

Пример. Данные определени устойчивости магнитных коллоидов по известно- му и предлагаемому способам приведены в таблице. Магнитные коллоиды по известному способу обладают практически одинаковой устойчивости ДСт. По предлагаемому способу их устойчивостью ДС2 существенно отличаетс . Испытани магнитных коллоидов на работоспособность в магнитожидкостных уплотнени х (МЖУ) показали, что чем больше параметр Д С2, тем меньше ресурс работы МЖУ.

Таким образом, применение предлагаемого способа позвол ет повысить достоверность определени устойчивости магнитных коллоидов и их эксплуатационных характеристик в МЖУ.

Claims

Формула изобретени Способ определени устойчивости магнитных коллоидов по авт.CD. Ms 922586, о т- личающийс тем, что, с целью повышени достоверности, разрушают пространственную структурную сетку, образованную магнитными частицами коллоида , повторно создают и измер ют критический перепад давлений и рассчитывают устойчивость ДС2 магнитного коллоида по следующей формуле:

A APt-AP2

дим7к

где Д Pi - критический перепад давлений до разрушени пространственной структурной сетки;

ДР - критический перепад давлений после разрушени пространственной структурной сетки;

MS - намагниченность насыщени магнитного коллоида, измеренна в однородном магнитном поле;

К - посто нна прибора.

Примечание: Посто нна прибора ,0 Тл.

ДР 0

2

Фиг. 1

йР О

(Риг. 2