SU1610571A1 - Semi-bridge transistor inverter - Google Patents

Semi-bridge transistor inverter Download PDF

Info

Publication number
SU1610571A1
SU1610571A1 SU874232958A SU4232958A SU1610571A1 SU 1610571 A1 SU1610571 A1 SU 1610571A1 SU 874232958 A SU874232958 A SU 874232958A SU 4232958 A SU4232958 A SU 4232958A SU 1610571 A1 SU1610571 A1 SU 1610571A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
inverter
transistor
diodes
resistor
Prior art date
Application number
SU874232958A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Март Карлович Рохтла
Майду Энделевич Раудсепп
Калле Яанович Линдвере
Original Assignee
Институт Кибернетики Ан Эсср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Кибернетики Ан Эсср filed Critical Институт Кибернетики Ан Эсср
Priority to SU874232958A priority Critical patent/SU1610571A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1610571A1 publication Critical patent/SU1610571A1/en

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани  и автоматики. Цель изобретени  - повышение надежности путем уменьшени  динамических потерь при переключении транзисторов. Полумостовой инвертор содержит два транзистора 1 и 2 разного типа проводимости. Транзисторы 1 и 2 управл ютс  от генератора управл ющих импульсов 19 через управл ющий трансформатор 15. В контур тока базы транзисторов 1 и 2 входит первый резистор 12, шунтированный первыми диодами 10,11. Благодар  этому на этапе рассасывани  избыточных носителей в одном из запирающихс  транзисторов 1(2) падение напр жени  на резисторе 12 преп тствует отпиранию другого транзистора 2(1). 1 ил.The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply and automation systems. The purpose of the invention is to increase reliability by reducing dynamic losses when switching transistors. Half-bridge inverter contains two transistors 1 and 2 of different conductivity type. Transistors 1 and 2 are controlled by a control pulse generator 19 through a control transformer 15. The base current of transistors 1 and 2 includes the first resistor 12, shunted by the first diodes 10, 11. Due to this, during the dissolution of excess carriers in one of the locking transistors 1 (2), the voltage drop across the resistor 12 prevents the other transistor 2 (1) from unlocking. 1 il.

Description

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани  и автоматикиThis invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply and automation systems.

Цель изобретени  - повьшение надежности путем уменьшени  динамических потерь при переключении транзисторов .The purpose of the invention is to increase reliability by reducing dynamic losses when switching transistors.

На чертеже схематически изображен полумостовой транзисторный инвертор.The drawing schematically shows a half-bridge transistor inverter.

Инвертор содержит транзисторы 1 и 2 разного типа проводимости и два конденсатора 3 и 4, образующие полумостовую схему. В выходную диагональ включен силовой трансформатор 5, содержащий первичную 6 и вторичную 7 обмотки. Вторые диоды 8 и 9 образуют цепь возврата силового инверто .ра тока нагрузки в источник питани . Между эмиттерами транзисторов 1, 2 последовательно в пр мом направлении включены первые диоды 10, 11, которые шунтируют включенный между эмиттерами транзисторов первый резистор ,12. Базы транзисторов 1, 2 соединены с одинаковыми концами вторичных обмоткой 13, 14 управл ющего транс-, форматора 15 через вторые резисторы 16 и 17. К первичной обмотке 18 трансформатора 15 подключен генератор 19 управл ющих пр моугольных импульсов.The inverter contains transistors 1 and 2 of different types of conductivity and two capacitors 3 and 4, forming a half-bridge circuit. The output diagonal includes a power transformer 5 containing the primary 6 and the secondary 7 windings. The second diodes 8 and 9 form the return circuit of the power inverter of the load current to the power source. Between the emitters of the transistors 1, 2, the first diodes 10, 11 are connected in series in the forward direction, which shunt the first resistor connected between the emitters of the transistors, 12. The bases of the transistors 1, 2 are connected to the same ends of the secondary windings 13, 14 of the control transformer, formatter 15 via the second resistors 16 and 17. A generator of control rectangular pulses is connected to the primary winding 18 of the transformer 15.

Инвертор работает следующим образом .The inverter works as follows.

При подаче посто нного напр жени  питани  происходит зар д конденсаторов 3 и 4 и распределение напр сл |When a constant voltage supply is applied, the capacitors 3 and 4 are charged and the voltage distribution is |

жени  на обратных сопротивлени х диодов 8-11 и коллекторно-эмиттерных переходах транзисторов 1, 2. При равенстве обратных сопротивлений диодов 8-11 и емкостей конденсаторов 3, 4 на обоих концах-первичной обмотки 6 силового трансформатора 5 устанавливаетс  одинаковое напр же1ше ,on the reverse resistance of the diodes 8-11 and the collector-emitter junction of transistors 1, 2. With the equal resistance of the diodes 8-11 and capacitors 3, 4 capacitances, both ends of the primary winding 6 of the power transformer 5 are set to the same voltage,

равное половине входного напр жени . Приложенное к коллекторно- эмиттерным переходам транзисторов 1, 2 напр жение вызывает ток, создающий падение напр жени  на пр мом сопротивлении диодов 10, 11 и резис- торе 12, запирающее транзисторы 1 и .2.equal to half the input voltage. The voltage applied to the collector-emitter junction of the transistors 1, 2 causes a current to create a voltage drop across the forward resistance of the diodes 10, 11 and the resistor 12, blocking the transistors 1 and .2.

При поступлении отпирающего .управл ющего импульса на вход транзистора 1 аналогичньй запирающей импульс прилагаетс  к базе транзистора 2„Upon receipt of the unlocking. Control pulse to the input of transistor 1, a similar locking pulse is applied to the base of transistor 2 "

Отпирание транзистора 1 подключает отрицательный входной вывод к началу первичной обмотки 6 силового трансформатора 5,,Unlocking the transistor 1 connects the negative input terminal to the beginning of the primary winding 6 of the power transformer 5 ,,

При изменении пол рности управл ющего импульса происходит запира ние транзистора 1 и отпирание транзистора 2 о Так как рассасьшание носителей задерживаетс  в транзисторе 1, то существует период одновременно проводимости обоих транзисторов. Возникающее под.действием сквозного тока падение напр жени  на диодах 10, 11 создает отрицательную св зь и Смещение рабочих точек транзисторов 1, 2, Вследствие этого сквозной ток, ограничиваетс  и потери мощности в транзисторах уменьшаютс . Переходный процесс заканчиваетс  после пол- ного рассасьшани  носителей в транзисторе 1 и его надежного запирани .When the polarity of the control pulse changes, the transistor 1 locks up and the transistor 2 turns on unlocked. Since carrier dissipation is delayed in transistor 1, there is a period of conductivity of both transistors at the same time. The voltage drop across the diodes 10, 11 arising from the through-current action creates a negative connection and the offset of the operating points of the transistors 1, 2. As a result, the through-current is limited and the power loss in the transistors decreases. The transient process ends after a complete dissolution of the carriers in the transistor 1 and its reliable locking.

5five

10ten

J5 J5

20 20

2525

зо .-« so .- "

3535

Во врем  процесса рассасывани  транзистор 2 находитс  в линейном режиме Падение напр жени  на резисторе 12 вычитаетс  из напр жени  управлени During the resorption process, transistor 2 is in linear mode. The voltage drop across resistor 12 is subtracted from the control voltage.

, транзисторов 2 и снижает ток его базыtransistors 2 and reduces the current of its base

Claims (1)

Формула изобретени  Полумостовой транзисторный инвертор , содержащий два подключенных к входным вьгеодам инвертора согласно- последовательно соединенных конденсатора , точка соединени  которых образует первый выходной вывод инвертора , два транзистора разного типа проводимости, подключенных коллекторами к входным выводам инвертора, и управл ющий трансформатор с первичной обмоткой, подключенной к генератору управл ющих импульсов, и вторичными обмотками, св занными с базовой цепью транзисторов, отличающийс  тем, что, с целью повьппени  надежности путем уменьшени  динамических потерь при переключении транзисторов, между эмиттерами транзисторов включен введенный первый резистор, шунтированный введенной цепочкой из двух согласно- последовательно соединенных первых диодов, включенных согласно с направлением проводимости транзисторов, причем точка соединени  первых диодов подключена к второму выходному выводу через введенные вторые диоды, включенные встречно первым диодом, - к каждому из входных выводов инвертора , а указанна  св зь вторичных обмоток выполнена так, что кажда  из них через введенный второй резистор включена между базой одного транзистора и эмиттером другого транзистораClaims of the invention A half-bridge transistor inverter comprising two inverters connected to the input voltages of the inverter according to a series-connected capacitor, the junction point of which forms the first output terminal of the inverter, two transistors of different conductivity type, connected by collectors to the input terminals of the inverter, and a control transformer with a primary winding connected to the control pulse generator, and secondary windings associated with the base transistor circuit, characterized in that, in order to reliability penalties by reducing dynamic losses when switching transistors, between the emitters of the transistors included is the first resistor inserted, shunted by the inserted chain of two respectively-connected first diodes connected according to the direction of conduction of the transistors, and the connection point of the first diodes is connected to the second output terminal through the entered second the diodes connected in opposite to the first diode, to each of the input terminals of the inverter, and the specified connection of the secondary windings is performed and so that each of them inserted through a second resistor connected between the base of one transistor and the emitter of the other transistor ww
SU874232958A 1987-04-22 1987-04-22 Semi-bridge transistor inverter SU1610571A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874232958A SU1610571A1 (en) 1987-04-22 1987-04-22 Semi-bridge transistor inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874232958A SU1610571A1 (en) 1987-04-22 1987-04-22 Semi-bridge transistor inverter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1610571A1 true SU1610571A1 (en) 1990-11-30

Family

ID=21299529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874232958A SU1610571A1 (en) 1987-04-22 1987-04-22 Semi-bridge transistor inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1610571A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US № 4051426, кло Н 02 М 7/537, 1977 Патент US № 2783384, кЛо 331-113, 1957, (фиг. 8)„ *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1610571A1 (en) Semi-bridge transistor inverter
US3328668A (en) Electric current inverters
SU1451824A1 (en) Semibridge transistor inverter
RU1829099C (en) Two-cycle d c/d c converter
RU2009609C1 (en) Two-step inverter
SU1713061A1 (en) Converter
SU771830A1 (en) Two-cycle transistorized inverter
SU1636974A1 (en) Push-pull converter
SU1582306A1 (en) Two-ended inverter
SU782082A1 (en) Transistorized converter with current feedback
SU1372561A1 (en) Transistorized converter
SU993416A1 (en) Inverter
SU1596425A1 (en) Transistor inverter
SU1713049A1 (en) Stabilized converter
SU1582298A1 (en) Stabilized converter
SU985774A1 (en) Stabilized rectifier
SU1637019A1 (en) Power transistor switch with emitter circuit commutation
SU954991A1 (en) Dc voltage power supply source
SU1589385A1 (en) Pulse generator
SU1293810A1 (en) Controlled inverter
SU1686670A1 (en) Two-contact inverter
SU1418875A1 (en) Inverter
SU845251A1 (en) Inverter
SU995236A1 (en) Two-cyclic voltage converter
SU1206934A1 (en) Inverter with self-excitation