SU1596425A1 - Transistor inverter - Google Patents

Transistor inverter Download PDF

Info

Publication number
SU1596425A1
SU1596425A1 SU874277139A SU4277139A SU1596425A1 SU 1596425 A1 SU1596425 A1 SU 1596425A1 SU 874277139 A SU874277139 A SU 874277139A SU 4277139 A SU4277139 A SU 4277139A SU 1596425 A1 SU1596425 A1 SU 1596425A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
power transistor
windings
transformer
diode
additional
Prior art date
Application number
SU874277139A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Владимирович Буденный
Сергей Михайлович Фоменко
Николай Александрович Титов
Зоя Ивановна Абакумова
Original Assignee
Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции filed Critical Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority to SU874277139A priority Critical patent/SU1596425A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1596425A1 publication Critical patent/SU1596425A1/en

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани  и электропривода. Цель изобретени  - повышение надежности путем повышени  быстродействи  защиты от сквозных токов. Транзисторный инвертор содержит два силовых транзистора 1 и 2, соединенных по полумостовой схеме и управл емых в противофазе напр жени ми на вторичных обмотках 5,6 управл ющего трансформатора 7. Дл  защиты от сквозных токов при переключении силовых транзисторов введен дополнительный трансформатор 11, перва  пара обмоток 9 и 10 которого через диоды 12 и 13 подключена в запирающей пол рности к входам силовых транзисторов 1, 2, а втора  пара обмоток 18, 19 подключена к силовым электродам транзисторов 1, 2 через диоды 20, 21 и конденсаторы 22, 23, которые зар жены до напр жени  на дополнительных обмотках 14, 15 управл ющего трансформатора 7 с помощью выпр мительных диодов 16, 17. Благодар  блокировочному действию напр жени  на обмотках 9, 10 отпирание одного из силовых транзисторов произойдет только после запирани  другого силового транзистора. Конденсаторы 22, 23 обеспечивают быстродействие этой блокировки. 2 ил.The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply and electric drive systems. The purpose of the invention is to increase reliability by increasing the speed of protection against through currents. The transistor inverter contains two power transistors 1 and 2 connected in a half-bridge circuit and controlled in antiphase by the voltages on the secondary windings 5,6 of the control transformer 7. An additional transformer 11 is introduced for protection against through currents when switching power transistors 9 and 10 through diodes 12 and 13 are connected in locking polarity to the inputs of power transistors 1, 2, and the second pair of windings 18, 19 is connected to power electrodes of transistors 1, 2 through diodes 20, 21 and capacitors 22, 23 that charge wife to a voltage on the additional windings 14, 15 of the control transformer 7 through rectifying diodes 16, 17. By the locking action of the voltage on the windings 9, 10 unlocking one of the power transistors will occur only after locking of another power transistor. Capacitors 22, 23 provide the performance of this interlock. 2 Il.

Description

FDFd

сл юthe next

оabout

j: ч слj: h cl

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани  и электропривода .The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply and electric drive systems.

Цель изобретени  - повышение надежности путем повышени  быстродействи  защиты от сквозных токов.The purpose of the invention is to increase reliability by increasing the speed of protection against through currents.

На фиг.1 показана принципиальна  схема полумоста транзисторного инвертора; на фиг.2 -диаграммы напр жений.Figure 1 shows a schematic diagram of the half bridge of a transistor inverter; Fig. 2 stress diagrams.

Транзисторный инвертор содержит два силовых транзистора 1 и 2, которые управл ютс  противофазно по базовым цеп м через токоограничительные резисторы 3 и 4 напр жением вторичных обмоток 5 и 6 управл ющего трансформатора 7, вход щего в блок управлени  8. Одна из обмоток 9 (10) дополнительного трансформатора 11 с последовательно включенным в пр мом направлении блокирующим диодом 12 (13) шунтирует эмиттерный переход соответствующего силового транзистора 1 (2). Дополнительна  обмотка 14 (15) трансформатора 7 включена синфазно с обмоткой управлени  5 (6) и соединена одним выводом с эмиттером Силовогр транзистора 1 (2). Выпр мительный диод 16 (17) подключен анодом ко второму выводу дополнительной обмотки 14 (15) трансформатора 7. Обмотка 18 (19) дополнительного трансформатора 11 одним выводом подключена к катоду выпр мительного диода 16(17). Анод блокирующего диода 20 (21) соединен со вторым выводом обмотки 18 (19) дополнительного трансформатора 11, а катод - с коллектором силового транзистора 1 (2). Конденсатор 22 (23) включен между точкой соединени  выпр мительного диода 16 (17) с. обмоткой 18 (19) трансформатора 11 и эмиттером силового транзистора 1 (2).The transistor inverter contains two power transistors 1 and 2, which are controlled anti-phase along the base circuits through current-limiting resistors 3 and 4 of the voltage of the secondary windings 5 and 6 of the control transformer 7 entering the control unit 8. One of the windings 9 (10) Additional transformer 11 with a series-connected in the forward direction blocking diode 12 (13) shunts the emitter junction of the corresponding power transistor 1 (2). The additional winding 14 (15) of the transformer 7 is turned on in phase with the control winding 5 (6) and is connected by one output to the emitter of the power transistor 1 (2). The rectifying diode 16 (17) is connected by the anode to the second output of the additional winding 14 (15) of the transformer 7. The winding 18 (19) of the additional transformer 11 is connected to the cathode of the rectifying diode 16 (17). The anode of the blocking diode 20 (21) is connected to the second output of the winding 18 (19) of the additional transformer 11, and the cathode is connected to the collector of the power transistor 1 (2). A capacitor 22 (23) is connected between the junction point of the rectifier diode 16 (17) s. winding 18 (19) of the transformer 11 and the emitter of the power transistor 1 (2).

Транзисторный инвертор работает следующим образом.Transistor inverter operates as follows.

Предположим, что в начальный момент времени силовой транзистор 1 открыт, а транзистор 2 заперт. На обмотках управл ющего трансформатора 7 действует напр жение с пол рностью, указанной без скобок. Напр жение с обмотки 14 (15) выпр мл етс  диодом 16 (17) и фильтруетс  конденсатором 22 (23). К обмотке 18 трансформатора 11 через пр мосмещенный диод 20 и открытый силовой транзистор 1 приложено напр жение Die (фиг.2) конденсатора 22. На остальных обмотках трансформатора 11 действуют напр жени  с пол рностью, указанной без скобок (фиг.1).Suppose that at the initial moment of time the power transistor 1 is open and the transistor 2 is locked. On the windings of the control transformer 7, a voltage is applied with a polarity indicated without brackets. The voltage from winding 14 (15) is rectified by diode 16 (17) and filtered by capacitor 22 (23). A voltage Die (Fig. 2) of the capacitor 22 is applied to the winding 18 of the transformer 11 through a straight-shifted diode 20 and an open power transistor 1. On the other windings of the transformer 11, voltages are applied with the polarity indicated without brackets (Fig. 1).

После реверса напр жени  Us, Ue (фиг.2) на обмотках управл ющего трансформатора (пол рность указана на фиг.1 вAfter reversing the voltage Us, Ue (Fig.2) on the windings of the control transformer (the polarity is indicated in Fig.1

скобках) силовой транзистор 1 начинает закрыватьс . Но в течение времени рассасывани  неосновных носителей в области базы tpi (фиг.2) пол рность напр жени  наbrackets), power transistor 1 begins to close. But during the resorption time of minority carriers in the area of the base tpi (Fig. 2), the polarity of the voltage

обмотках вспомогательного трансформатора 11 сохран етс . При этом, к эмиттер-базовому переходу силового транзистора 2 через пр мосмещенный диод 13 приложено запирающее напр жение (фиг.2) с обмотки 10 трансформатора 11, По мере выхода силового транзистора 1 из насыщени , напр жение на его коллекторе увеличиваетс . Когда оно достигнет величины напр жени  на конденсаторе 22, диод 20 закроетс the windings of the auxiliary transformer 11 is maintained. At the same time, to the emitter-base junction of the power transistor 2, through the shifted diode 13, a blocking voltage is applied (Fig. 2) from the winding 10 of the transformer 11. As the power transistor 1 goes out of saturation, the voltage on its collector increases. When it reaches the voltage across capacitor 22, diode 20 will close.

и напр жение на обмотке 18 трансформатора 11 станет равным нулю. При этом исчезнет запирающее напр жение на обмотке 10 и на базу силового транзистора 2 поступит отпирающее напр жение иб(фиг.2)с обмотки 6 трансформатора 7.and the voltage across the winding 18 of the transformer 11 becomes zero. In this case, the locking voltage on the winding 10 will disappear and the unlocking voltage IB (Fig. 2) from the winding 6 of the transformer 7 will come to the base of the power transistor 2.

После отпирани  силового транзистора 2, откроетс  диод 21 и к обмотке 19 трансформатора 11 будет приложено напр жение Ui9 (фиг.2) с конденсатора 23. На обмотки 9,After unlocking the power transistor 2, a diode 21 will open and the voltage Ui9 (Fig. 2) from the capacitor 23 will be applied to the winding 19 of the transformer 11. On the winding 9,

10, 18 трансформатора 11 трансформируетс  напр жение с пол рностью, указанной в скобках (фиг.1). Схема переходит во второе квазистатическое состо ние, противоположное исходному.10, 18, the transformer 11 is transformed with the voltage indicated in brackets (Fig. 1). The circuit changes to the second quasistatic state opposite to the initial one.

, Таким образом, в схеме осуществл етс  автоматическа  задержка отпирани  силового транзистора на врем  рассасывани  неосновных носителей в области базы запирающегос  силового транзистора.Thus, in the circuit, the unlocking of the power transistor is automatically delayed by the absorption time of the minority carriers in the area of the base of the locking power transistor.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Транзисторный инвертор, содержащий два силовых транзистора, соединенных по полумостовой схеме, управл ющий трансформатор с двум  вторичными, обмотками,A transistor inverter containing two power transistors connected in a half bridge circuit, a control transformer with two secondary windings, один вывод каждой из которой соединен с эмиттером силового транзистора, а другой вывод через токоограничительный резистор - с базой данного силового транзистора, и дополнительный трансформатор с двум  парами обмоток, последовательно с каждой из которых включен блокирующий диод, причем кажда  из обмоток первой пары через первый блокирующий диод подключена к база-эмиттерному переходу силового транзистора , так что направление проводимости этого диода соответствует направлению тока , запирающего силовой транзистор, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности путем повышени  быстродействи  защиты от сквозных токов, введены два выпр мительных диода, два конденсатора и две дополнительные обмотки на управл ющем трансформаторе, кажда  из которых одним выводом соединена с эмиттером силового транзистора, а другим выводом через выпр мительный диод- с первым выводом конденсатора и через соответствующую обмотку второй пары дополнительного трансформатора и второй блокирующий диод - с коллектором данного силового транзистора, так что направление проводимости этого диода совпадает с направлением проводимости силового транзистора, второй вывод конденсатора соединен с эмиттером данного силового транзистора, а соединенные между собой выводы вторичной и дополнительной обмоток управл ющего трансформатора разноименны.one output of each of which is connected to the emitter of the power transistor, and the other output through the current-limiting resistor to the base of this power transistor, and an additional transformer with two pairs of windings, each with a blocking diode in series, each of the windings of the first pair through the first blocking the diode is connected to the base-emitter junction of the power transistor, so that the direction of conduction of this diode corresponds to the direction of the current blocking the power transistor, characterized in that , in order to increase reliability by increasing the protection performance from through-currents, two rectifying diodes, two capacitors and two additional windings on the control transformer are introduced, each of which is connected to the emitter of the power transistor by one and another through a rectifying diode the first terminal of the capacitor and through the corresponding winding of the second pair of additional transformer and the second blocking diode - with the collector of the given power transistor, so that the direction of conduction diode coincides with the direction of conduction of the power transistor, a second capacitor terminal connected to the emitter of the power transistor and the interconnected terminals of the secondary windings and additional control transformer oppositely.
SU874277139A 1987-07-06 1987-07-06 Transistor inverter SU1596425A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874277139A SU1596425A1 (en) 1987-07-06 1987-07-06 Transistor inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874277139A SU1596425A1 (en) 1987-07-06 1987-07-06 Transistor inverter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1596425A1 true SU1596425A1 (en) 1990-09-30

Family

ID=21316709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874277139A SU1596425A1 (en) 1987-07-06 1987-07-06 Transistor inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1596425A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 762113, кл. Н 02 М 7/537, 1978.Авторское свидетельство СССР № 817910, кл. Н 02 М 7/537, 1979. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6653806B1 (en) Dynamic brake circuit and semiconductor inverter using dynamic brake circuit
US5077651A (en) Snubber circuit of power converter
US4611267A (en) Snubber arrangements with energy recovery for power converters using self-extinguishing devices
US4499533A (en) Power supply apparatus
SU1596425A1 (en) Transistor inverter
SU1298885A1 (en) Two-position transistor selector switch
SU1262657A1 (en) D.c.converter
SU1101999A1 (en) Two-step transistor inverter
SU1026263A1 (en) Push-pull inverter
JPS6116794Y2 (en)
SU845249A1 (en) Semi-bridge inverter
SU1582298A1 (en) Stabilized converter
SU1524142A1 (en) Single-end dc voltage converter
SU1705992A1 (en) Inverter
SU1577012A1 (en) Single-ended dc voltage converter
SU1686567A1 (en) Device for current protection against faults in ac circuit
SU851707A1 (en) Inverter
SU484627A1 (en) Relaxation generator of two-stage pulses
SU788314A1 (en) Voltage converter
RU1803958C (en) Constant voltage converter
RU1829094C (en) Single-cycle d c/d c converter
SU1582306A1 (en) Two-ended inverter
SU1610571A1 (en) Semi-bridge transistor inverter
SU1539942A1 (en) Single-ended inverter
SU756579A1 (en) Dc-to-ac voltage converter