SU1596213A1 - Датчик температуры - Google Patents

Датчик температуры Download PDF

Info

Publication number
SU1596213A1
SU1596213A1 SU874331401A SU4331401A SU1596213A1 SU 1596213 A1 SU1596213 A1 SU 1596213A1 SU 874331401 A SU874331401 A SU 874331401A SU 4331401 A SU4331401 A SU 4331401A SU 1596213 A1 SU1596213 A1 SU 1596213A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
temperature
strain
thickness
sensitive
Prior art date
Application number
SU874331401A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Михайлович Ведутов
Владимир Натанович Гроссман
Натан Яковлевич Гроссман
Людмила Леонидовна Жданова
Original Assignee
Vedutov Yurij M
Grossman Vladimir N
Grossman Natan Ya
Zhdanova Lyudmila L
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vedutov Yurij M, Grossman Vladimir N, Grossman Natan Ya, Zhdanova Lyudmila L filed Critical Vedutov Yurij M
Priority to SU874331401A priority Critical patent/SU1596213A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1596213A1 publication Critical patent/SU1596213A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Force In General (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и позвол ет повысить точность измерений за счет улучшени  стабильности выходной характеристики датчика и увеличени  его чувствительности. Датчик содержит двухслойный термочувствительный элемент, один слой которого выполнен в виде тензорезисторов. Толщины слоев выбраны определенным образом из приведенного соотношени . Датчик снабжен также дополнительными тензорезисторами, толщина и база которых меньше толщины и базы первых тензорезисторов. Все тензорезисторы включены в полный мост. При изменении температуры вследствие разного коэффициента термического расширени  материалов слоев термочувствительного элемента происходит изгиб последнего и на выходе моста возникает электрический сигнал, пропорциональный температуре. 1 з.п.ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике и может найти применение при тонких медико-биологических исследовани х, диагностике и контроле температуры различных технологических процессов.
Целью изобретени   вл етс  повышение точности измерений температуры за счет увеличени  стабильности выходной характеристики датчика и его чувствительности .
На фиг. 1 (а,б и в) показан предлагаемый датчик в трех проекци х; на фиг. 2 - схема соединени  тензорезисторов тензочувствительньгх слоев термочувствительного элемента датчика
Датчик температуры содержит двухслойный термочувствительный элемент, вьшолненньй в виде скрепленных между
собой слоев 1 и 2 материалов с различными коэффициентами термического расширени . Слой 1 термочувствительного элемента толщиной h, и шириной b, выполнен из алюмини , а слой 2 - из двух вольфрамрениевых тензорезисторов 3 и 4 толщиной h -2 и базой 1 . 1 1ирина активной полоски тензорезисторов 3 и 4 равна h j .
Толщины слоев 1 и 2 термочувствительного элемента выбраны из соотношени 
1.
ti
lE,-b, где Е и 1 1 модули упругости ривалов слоев; fi суммарна  ных полосок тензорезисторов 3 и 4.
Дл  получени  максимальной чувствительности и линейности выходной характеристик  датчика он снабжен дополнительными тензорезисторами 5 и 6 толщиной hj и базой 1з при этом Ь.Ь., а IjClj. Тензорезисторы 5 и 6 также выполнены из вольфрамрениевого сплава и размещены на слое 1.противоположно тензорезисторам 3 и 4, Все тензорезисторы включены в полный мост Уитсона.
Датчик температуры работает еледующим образом.
При изменении температуры вследствие значительно большего козффициента термического расширени  у алюмини  чем у вольфрамрени  происходит изгиб термочувствительного элемента. В результате происходит разбаланс моста и на выходе последнего возникает сигнал , пропорциональный изменению температуры .

Claims (2)

1. Датчик температуры, содержащий двзгкслойнь й термочувствительный элемент , один слой которого выполнен тензочувствительным и включен в схему измерительного моста, о т л и ч а ю- щ и и с   тем, что, с целью повышени  точности измерений, тензочувствительный слой термочувствительного элемента выполнен в виде двух тензорезисторов , при этом толщины слоев выбраны из соотношени 
h,(E,.Jb./R,.h,,
где h, - первого сло  термочувствительного элемента; h XJ -толщина тензорезисторов;
Е , К - модули упругости материалов первого сло  и тензорезис- i торов соответственноJ
rt
bjj - сз ммарна  ширина рабочей ,- части тензорезисторов;
Ь, - ширина первого сло  термочувствительного элемента.
2. Датчик по п. 1, отличающийс  тем, что он снабжен дополнительным тензочувствительным слоем, размещенным на первом слое термочувствительного элемента со стороны, противоположной его тензочувствйтельному слою, и выполненным из двух тензорезисторов , база и толщина которых меньше базы и толщины тензорезисторов первого тензочувствительного сло , при этом Тензорезисторы каждого тензочувствительного сло  включены в противоположные плечи измерительного моста.
SU874331401A 1987-11-23 1987-11-23 Датчик температуры SU1596213A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874331401A SU1596213A1 (ru) 1987-11-23 1987-11-23 Датчик температуры

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874331401A SU1596213A1 (ru) 1987-11-23 1987-11-23 Датчик температуры

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1596213A1 true SU1596213A1 (ru) 1990-09-30

Family

ID=21337557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874331401A SU1596213A1 (ru) 1987-11-23 1987-11-23 Датчик температуры

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1596213A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1045005, кл. G 01 К 5/62, 1982.Патент Cl'lA № 3403558, • кл. 73-362, oп^'•блик. 1968. . *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4064744A (en) Strain sensorextensiometer
JP3203560B2 (ja) 圧電抵抗シリコン圧力センサ設計
EP0803054B1 (en) A temperature compensation method in pressure sensors
AU613072B2 (en) Dual sided pressure sensor
SU1596213A1 (ru) Датчик температуры
US3444499A (en) Strain gauge
JPS6222272B2 (ru)
JPH0455542B2 (ru)
US3279256A (en) Thermal measuring apparatus
JPS6147371B2 (ru)
US3460378A (en) Strain gauge measuring techniques
SU1726980A1 (ru) Полупроводниковый тензорезистор
SU1068747A1 (ru) Полупроводниковый датчик давлени
JPS5833136A (ja) 温度センサ
SU1589088A1 (ru) Полупроводниковый датчик
SU1627870A1 (ru) Датчик давлени
RU2028583C1 (ru) Датчик давления
SU1136010A1 (ru) Пьезооптический измеритель деформаций
SU1247693A1 (ru) Полупроводниковое измерительное устройство
RU2031393C1 (ru) Способ определения деформаций конструкций при испытаниях в условиях знакопеременных температурных напряжений и датчик для определения деформаций
JPH0786617A (ja) 半導体圧力センサ
SU1580190A1 (ru) Интегральный преобразователь давлени
US4703657A (en) Gas pressure sensor
SU885842A1 (ru) Тензометрический преобразователь
SU1404850A1 (ru) Полупроводниковый тензопреобразователь