SU1585383A1 - Device for monitoring the depth of etching of metal film - Google Patents

Device for monitoring the depth of etching of metal film Download PDF

Info

Publication number
SU1585383A1
SU1585383A1 SU884616042A SU4616042A SU1585383A1 SU 1585383 A1 SU1585383 A1 SU 1585383A1 SU 884616042 A SU884616042 A SU 884616042A SU 4616042 A SU4616042 A SU 4616042A SU 1585383 A1 SU1585383 A1 SU 1585383A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
metal
etching
film
depth
resistance
Prior art date
Application number
SU884616042A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Зенон Юрьевич Готра
Юрий Теодорович Лозинский
Людмила Александровна Орел
Original Assignee
Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола filed Critical Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола
Priority to SU884616042A priority Critical patent/SU1585383A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1585383A1 publication Critical patent/SU1585383A1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к гальванотехнике. Целью изобретени   вл етс  увеличение точности измерений путем регистрации глубины при неполном стравливании металла. Устройство включает подложку 1 с нанесенной на нее послойно резистивной пленкой 2 и металлической пленкой 3, выполненной в виде клина. К выводам пленок подсоединен измерительный прибор 4. Устройство устанавливают в ванну травлени  р дом с обрабатываемым образцом. Травителем постепенно удал ют металлическую пленку 3, при этом вскрываетс  больша  площадь резистивной пленки 2. Общее сопротивление цепи увеличиваетс , что регистрируетс  прибором 4, т.к. последовательно к очень маленькому сопротивлению металлической клинообразной пленки 3 подключено растущее в процессе травлени  сопротивление резистивной пленки 2. По результату суд т о глубине травлени . Конструкци  устройства за счет линейного закона изменени  сопротивлени  различных металлов обеспечивает высокую чувствительность и точность определени  толщины стравливаемых пленок. 1 ил.This invention relates to electroplating. The aim of the invention is to increase the accuracy of measurements by registering the depth when the metal is not fully bled. The device includes a substrate 1 with a resistive film 2 deposited on it in layers and a metal film 3 made in the form of a wedge. A measuring device 4 is connected to the terminals of the films. The device is placed in an etching bath next to the sample to be processed. The etcher gradually removes the metal film 3, thereby opening up a large area of the resistive film 2. The total resistance of the circuit increases, which is recorded by the device 4, since consistently with a very small resistance of the metal wedge-shaped film 3, the resistance of the resistive film 2 that grows during the etching process is connected. Judging the result, the etching depth is determined. The design of the device due to the linear law of variation of the resistance of various metals provides high sensitivity and accuracy in determining the thickness of the etched films. 1 il.

Description

Изобретение относится к гальванотехнике, в частности к устройствам для контроля глубины травления пленочных металлических покрытий.The invention relates to electroplating, in particular to devices for controlling the etching depth of film metal coatings.

Цель изобретения - увеличение точности измерений и повышение чувствительности путем регистрации глубины при неполном стравливании металла,The purpose of the invention is to increase the accuracy of measurements and increase the sensitivity by registering depth with incomplete bleeding of the metal,

На чертеже изображено данное уст- эд ройство.The drawing shows this device.

Устройство для контроля глубины травления металлической пленки включает подложку 1, на которую послойно нанесена резистивная пленка 2, а за- 15 тем металлическая пленка 3, выполненная в виде клина. К выводам пленок подсоединен измерительный прибор 4: один вывод - к краю резистивной пленки 2, а другой - к противоположному 20 краю металлической пленки 3.A device for controlling the depth of etching of a metal film includes a substrate 1, on which a resistive film 2 is applied layer by layer, and then 15 a metal film 3 made in the form of a wedge. A measuring device 4 is connected to the terminals of the films: one terminal to the edge of the resistive film 2, and the other to the opposite 20 edge of the metal film 3.

Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.

Устройство устанавливают в ванну химического травления рядом с обра- 25 батываемым образцом. Травителем постепенно удаляют металлическую пленку 3, при этом вскрывается все большая площадь резистивной пленки 2. Общее сопротивление в цепи измери- 3Q тельного прибора 4 увеличивается, так как последовательно к очень маленькому сопротивлению металлической клинообразной пленки 3 подключено растущее в процессе травления сопротивление резистивной пленки 2. По результату судят о глубине травления металлической пленки 3.The device is installed in a chemical etching bath next to the sample being processed. The metal film 3 is gradually removed by the etcher, and an increasingly large area of the resistive film 2 is opened. The total resistance in the circuit of the measuring device 3Q increases, since the resistance of the resistive film 2 growing during etching is connected to a very small resistance of the metal wedge-shaped film 3. The result is judged on the depth of etching of the metal film 3.

Использование устройства для контроля глубины травления различных металлов (никель, медь, ванадий и др.) показало, что закон изменения сопротивления в цепи в зависимости от времени травления практически линеен, т.е. высокая чувствительность и точность обеспечивается во всем интервале толщин и травление пленок может быть проведено до любого заранее заданного значения толщины.Using a device to control the etching depth of various metals (nickel, copper, vanadium, etc.) showed that the law of change in resistance in a chain depending on the etching time is almost linear, i.e. high sensitivity and accuracy is ensured over the entire thickness range, and etching of the films can be carried out to any predetermined thickness value.

//

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Устройство для контроля глубины травления металлической пленки, содержащее подложку с нанесенными на нее последовательно резистивной и контролируемой металлической пленками и регистрирующий прибор, отличающееся тем, что, с целью увеличения точности измерений и повышения чувствительности путем регистрации глубины при неполном стравливании металла, контролируемая пленка выполнена в виде клина,а регистрирующий 7 прибор выполнен в виде измерителя сопротивления, включенного между резистивной и металлической пленками.A device for controlling the depth of etching of a metal film, containing a substrate with successively resistive and controlled metal films deposited on it and a recording device, characterized in that, in order to increase the accuracy of measurements and increase sensitivity by recording depth when the metal is not etched partially, the controlled film is made in the form wedge, and the recording device 7 is made in the form of a resistance meter connected between the resistive and metal films.
SU884616042A 1988-12-05 1988-12-05 Device for monitoring the depth of etching of metal film SU1585383A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884616042A SU1585383A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Device for monitoring the depth of etching of metal film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884616042A SU1585383A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Device for monitoring the depth of etching of metal film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1585383A1 true SU1585383A1 (en) 1990-08-15

Family

ID=21413303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884616042A SU1585383A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Device for monitoring the depth of etching of metal film

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1585383A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0550176A1 (en) * 1991-12-31 1993-07-07 AT&T Corp. Manufacturing method, including etch-rate monitoring

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 578367, кл. С 23 F 1/08, 1978. За вка JP № 58-16073, кл. С 23 F 1/00, 1983. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0550176A1 (en) * 1991-12-31 1993-07-07 AT&T Corp. Manufacturing method, including etch-rate monitoring

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4129848A (en) Platinum film resistor device
US5788801A (en) Real time measurement of etch rate during a chemical etching process
US3874959A (en) Method to establish the endpoint during the delineation of oxides on semiconductor surfaces and apparatus therefor
EP0285833A2 (en) Method for determining the concentrations of gases in a gaseous mixture, and probe for measuring the thermal conductivity
US5500073A (en) Real time measurement of etch rate during a chemical etching process
GB2181298A (en) Platinum resistance thermometer and manufacture thereof
EP0032028A2 (en) Method and apparatus for forming electrical interconnections
EP0151236B1 (en) Apparatus for and method of monitoring the operations of a plating process
US5573624A (en) Chemical etch monitor for measuring film etching uniformity during a chemical etching process
SU1585383A1 (en) Device for monitoring the depth of etching of metal film
US3828606A (en) Method for determining thermal fatigue of electronic components
US4336111A (en) Method for determining the strength of a metal processing solution
Wang et al. Anodic stripping voltammetry in a flow-through cell with fixed mercury film glassy carbon disc electrodes part II. the differential mode (DASV)
US4842886A (en) Method for electroless plating
US6335626B1 (en) Method and device for determining a parameter for a metallization bath
US4823073A (en) Sensor for measuring the current or voltage of electrically conductive layers present on a reference substrate
JPH0252403A (en) Electronic parts
JPS5713745A (en) Detecting method for ion etching finishing point
Gruner Sputtered thin film system for hybrids and sensors
JPH0669630A (en) Manufacture of electronic component
JPS56152247A (en) Testing method for semiconductor device
Glang et al. Tolerance limitations of etched film resistors
SU1359658A1 (en) Reference specimen
KR100191544B1 (en) Resistance-type humidity sensor and its manufacturing method
Hoffman et al. Cermet Resistors on Ceramic Substrates