SU1581776A1 - Устройство дл напылени многокомпонентных покрытий в вакууме - Google Patents

Устройство дл напылени многокомпонентных покрытий в вакууме Download PDF

Info

Publication number
SU1581776A1
SU1581776A1 SU833574020A SU3574020A SU1581776A1 SU 1581776 A1 SU1581776 A1 SU 1581776A1 SU 833574020 A SU833574020 A SU 833574020A SU 3574020 A SU3574020 A SU 3574020A SU 1581776 A1 SU1581776 A1 SU 1581776A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
chamber
evaporation
melt
viscosity control
vacuum
Prior art date
Application number
SU833574020A
Other languages
English (en)
Inventor
Геннадий Юрьевич Юдин
Вячеслав Васильевич Петров
Андрей Андреевич Крючин
Татьяна Ивановна Сергиенко
Константин Петрович Гриценко
Original Assignee
Институт Проблем Моделирования В Энергетике Ан Усср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Проблем Моделирования В Энергетике Ан Усср filed Critical Институт Проблем Моделирования В Энергетике Ан Усср
Priority to SU833574020A priority Critical patent/SU1581776A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1581776A1 publication Critical patent/SU1581776A1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано в тонкопленочной технологии. С целью повышени  качества покрытий за счет уменьшени  разброса процентного соотношени  компонентов, устройство снабжено камерой регулировани  в зкости расплава, расположенной между бункера и камерой испарени , а камера перегрева пара заполнена частицами, инертными к испар емому материалу, причем объем каждой частицы равен 0,05-0,01 объема камеры перегрева. Камера регулировани  в зкости расплава снабжена нагревателем и заполнена нитевидными волокнами, инертными к расплаву, причем площадь поперечного сечени  каждого волокна равна 0,01-0,001 площади поперечного сечени  камеры регулировани  в зкости. 1 з.п. ф-лы.

Description

Изобретение относитс  к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано в тонкопленочной технологии .
Известно устройство дл  испарени  вещества в вакууме, состо щее из камеры с расплавом испар емого вещества и испарител , соединенных между . собой трубопроводом с вакуумным затвором .
Недостатком этого устройства  вл етс  невозможность получени  качественных пленок из веществ с различными по летучести компонентами.
Наиболее близким к изобретению  вл етс  устройство дл  напылени  многокомпактных покрытий в вакууме, содержащее бункер дл  расплава испар емого вещества с нагревателем, соединенный с камерой испарени , камеру перегрева пара с соплом, соединенную с камерой испарени , и нагреватель, в котором размещаютс  камера испарени  и камера перегрева.
Это устройство хараьтериэуетс  необходимостью изготовлени  трубопровода между бункером и камерой испарени  в виде капилл ра со строгим соблюдением геометрических размеров. Кроме того, в данном устройстве довольно сложно определи ь оптимальное значение укапанного геометрического
сл
оо
J
3
35
размера, так как величины, определ ющие его значение,  вл ютс  нелинейными функци ми температуры испарител  и бункера (Рж, .При испарении составов, которые имеют давлени  насыщенных паров компонентов, не совпадающие при температуре испарени  на один и- более пор док, давление паров в камере испарени  может оказатьс  в начале испарени  капли настолько высоким, мто произойдет прорыв паров из этой камеры в бункер и, как следствие, слив всего вещества из бункера в камеру испарени , что приводит к нарушению состава и свойств пленок. Увеличива  диаметр сопла, можно уменьшить давление в начале испарени  до оптимального уровн , однако при этом в конце испарени  капли давление оказываетс  настолько низким, что происходит подача следующей капли, когда еще не испарилась предыдуща , что приводит к нарушению состава и свойств пленок. При правильной работе устройства происходит последовательное испарение разных по летучести компонентов, следовательно, такое же их последовательное осаждение на подложку, что отрицательно сказываетс  на качестве тонких пленок - они имеют низкую адгезию к подложке, низкую коррозионную стойкость и высокую скорость деградации. Кроме того, качество получаемых пленок низкое.
Целью изобретени   вл етс  повышение качества пленок,за счет уменьшени  разброса процентного соотношени  компонентов.
Устройство дл  напылени  многокомпонентных покрытий в вакууме, содержащее бункер дл  расплава испар емого вещества г нагревателем, соединенный с камерой испарени , камеру перегрева пара с соплом, соединенную с камерой испарени , и нагреватель, в котором размещаютс  камера испарени  и камера перегрева пара, снабжено камерой регулировани  в зкости расплава, расположенной между бункером и камерой испарени , а камера перегрева пара заполнена частицами, инертным к испар емому материалу, причем объем каждой частицы равен 0,05-0,0 j объе,- ма камеры перегрева, при этом к,ам,е- ра регулировани  в зкости расплава снабжена нагревателем и заполнена нитевидными волокнами, инертными к
o
5
0
S
0
5
0
45
50
55
расплаву, причем площадь поперечного сечени  каждого волокна равна 0,01-0,001 площади поперечного сечени  камеры регулировани  в зкости.
На чертеже схематически показано устройство, разрез.
Устройство дл  напылени  многокомпонентных покрытий в вакууме содержит бункер 1 дл  расплава 2, камеру 3 испарени , трубопровод 4, камеру 5 регулировани  в зкости, котора  соединена с камерой испарени . Камера испарени  соединена с камерой 6 перегрева пара, котора  заканчиваетс  соплом 7. Камера регулировани  в зкости заполнена нитевидными волокнами 8. Камера перегрева пара заполнена крупинками 9. Камера регулировки в зкости снабжена регулируемым нагревателем 10. Нагреватели 11 и 12 предназначены дл  обеспечени  рабочих температур бункера и камер испарени  и перегрева пара соответственно.
Устройство работает следующим образом.
Расплав 2 в бункере 1 нагреваетс  до температуры, лежащей между Т „Л многокомпонентного состава и Ти&п самого легколетучего компонента Давление насыщенных паров в бункере 1 пренебрежительно мало по сравнению с гидростатическим давлением, равным , гд плотность расплава, g - ускорение свободного падени , h - высота столба жидкости в трубопроводе и бункере, и в дальнейшем не учитываетс . Расплав 2 под действием гидростатического давлени  поступает по трубопроводу 4 в камеру 5 регулировани  в зкости, где затвердевает. При нагревании камеры 5 регулировани  в зкости до Т Пд расплава он получает возможность течь далее, однако скорость подачи его в камеру 3 испарени  зависит от в зкости расплава 2, котора   вл етс  функцией температуры. Измен   температуру камеры 5 регулировани  в зкости , можно регулировать скорость подачи вещества в камеру 3 испарени , следовательно, и скорость напылени . Поступа  в камеру испарени , температура которой на 200°С и более выше Тисп самого низколетучего компонента, вещество ударно вскипает за счет кипени  самого легколетучего компонента. В результате об- i
разуетс  пар, обогащенный легколетучими компонентами, и микрока5
пельки, обогащенные низколетучими компонентами. Эта двухфазна  смесь поступает в камеру 6, где превращаетс  в пар заданного состава за счет испарени  микрокапелек, и истекает через сопло 7, име  соотношение компонентов такое же, как у расплава. Однако сразу после испарени  атомы пара имеют разную термическую энергию , равную kTn, где k - посто нна  Больцмана, Тл - температура испарени  п-го компонента. Проход  через пористую засыпку камеры 6 перегрева, атомы всех компонентов приобретают энергию 1сТи, где Ти - температура камеры 6 перегрева пара. Происходит выравнивание энергетического спектра атомов пара, что имеет большое значение дл  качества пленки при конденсации пара на подложке. Устройство стабильно работает при испытании разных составов, не требу  изменени  геометрических размеров, так как давление в камере 3 испарени  и камере 6 перегрева пара посто нно в течение всего процесса напылени . Давление зависит от соотношени  межд количеством истекающего через сопло 7 вещества и подачей его в камеру 3 испарени , и при заданной Тм и площади отверсти  сопла 7 зависит только от скорости подачи расплава в камеру 3 испарени , устанавлива сь таким образом, чтобы скорость истечени  вещества была равна скорости его подачи. Расплав 2 поступает в камеру 3 испарени  равномерно и непрерывно, где он устанавливаетс  в виде столбика , в верхней части которого находитс  зонд ударного испарени . Устройство выводитс  на заданный технологический режим (скорость напылени ) путем изменени  температуры камеры 5 регулировки в зкости. Скорость напылени   вл етс  одним из важнейших факторов получени  качественной тонкой пленки. В отличие от всех известных устройств дл  напылени  многокомпонентных покрытий данное устройство позвол ет измен ть скорость напылени  в широких пределах, не измен   при этом энергетического спектра пара, который может устанавливатьс  независимо от требуемой скорости
817766
напылени . Вертикальное расположение трубопровода и камеры 3 испарени   вл етс  необходимым условием работы устройства, так как при изменении давлени  в камере 3 испарени  из-та регулировки скорости подачи расплава
2происходит компенсаци  этого изменени  давлени  путем увеличени  или
(О уменьшени  высоты столбика расплава в камере 3 испарени  и соответственно уменьшение или увеличение гидростатического давлени , так как система камера 3 испарени  - камера 5 регу 5 лировки в зкости - трубопровод 4 - бункер I подчин етс  закону сообщающихс  сосудов. По этой причине камера
3испарени  не может быть засыпана крупинками, так как расплав будет
26 уг,арно испар тьс  при соприкосновении с засыпкой, и столбика бу- дот жестко установлена. Изменение соты столбика автоматически компенсирует отклонение любого из технологи25
ческих параметров от номинального
значени  (р , Ти, площадь отверсти ) бе  нарушени  нормальной работы устройства . Объем крупинок должен находитьс  в пределах 0,05-0,01 объема камеры перегрева, так как при больших размерах происходит неполный прогрев паров, что приводит к снижению качества напыл емых пленок. Более мелкие крупинки оказывают большое сопротивление потоку паров, вследствие чего снижаетс  скорость напылени . Камера 5 в зкости заполн етс  волокнами материала , инертного к испар емому веществу, причем поперечное сечение
каждого .волокна равно 0,01-0,001 площади поперечного сечени  камеры регулировани  в зкости.
Б отличие от всех известных уст- ройств дл  напылени  многокомпонентных покрытий, данное устройство позвол ет измен ть скорость напылени  в широких пределах, не измен   при этом энергетического спектра пара, который может устанавливатьс  независимо от требуемой скорости напылени , что позвол ет с большой точности воспроизводить состав покрыти , улучшить адгезию покрыти , получать воспроизводимые характеристики пленок
Редактор Т. Лазоренко
Составитель Н. Серебр нникова Техред Л.Сердкжова
Заказ 2069
Тираж 829
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени м и открыти м при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5
Производстиенно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина,. 101
Корректор М. Полю
Подписное

Claims (1)

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее’бункер для расплава испаряемого вещества с нагревателем, соединенный с камерой испарения, камеру перегрева пара с соплом, соединенную с камерой испарения,и нагреватель, в котором размещаются камера испа-
SU833574020A 1983-04-06 1983-04-06 Устройство дл напылени многокомпонентных покрытий в вакууме SU1581776A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833574020A SU1581776A1 (ru) 1983-04-06 1983-04-06 Устройство дл напылени многокомпонентных покрытий в вакууме

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833574020A SU1581776A1 (ru) 1983-04-06 1983-04-06 Устройство дл напылени многокомпонентных покрытий в вакууме

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1581776A1 true SU1581776A1 (ru) 1990-07-30

Family

ID=21057234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833574020A SU1581776A1 (ru) 1983-04-06 1983-04-06 Устройство дл напылени многокомпонентных покрытий в вакууме

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1581776A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004070733A2 (en) * 2003-01-31 2004-08-19 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Conductive flakes by sputtering and vapor deposition

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 201484, кл. С 23 С 13/12, 1965. Авторское свидетельство СССР № 987994, кл. С 23 С 13/12, 1974. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004070733A2 (en) * 2003-01-31 2004-08-19 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Conductive flakes by sputtering and vapor deposition
WO2004070733A3 (en) * 2003-01-31 2005-01-20 Sigma Lab Arizona Inc Conductive flakes by sputtering and vapor deposition
US7754106B2 (en) 2003-01-31 2010-07-13 Sigma Laboratories Of Arizona, Llc Conductive flakes manufactured by combined sputtering and vapor deposition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100496914B1 (ko) 기화장치
US5224202A (en) Apparatus for the evaporation of liquids
US4947789A (en) Apparatus for vaporizing monomers that flow at room temperature
US5372754A (en) Liquid vaporizer/feeder
US2900312A (en) Fractionation
WO1994006529A1 (fr) Appareil de gazeification de liquide
JP5703114B2 (ja) 原料の気化供給装置
KR20200042961A (ko) 난류 나선형 멀티-존 (multi-zone) 전구체 기화기
TWI572728B (zh) A method and apparatus for depositing an OLED, and more particularly to an evaporation apparatus having such use
EP3111205A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur bestimmung der konzentration eines dampfes mittels eines schwingkörpersensors
US3025232A (en) Automatic control of the viscosity of a fractionator product
JP2012234860A5 (ru)
SU1581776A1 (ru) Устройство дл напылени многокомпонентных покрытий в вакууме
US3583685A (en) Method and apparatus for controlling quantity of a vapor in a gas
KR20150110432A (ko) 콜로이드 크기 분포 측정 기술
US20080187660A1 (en) Method and device for the localized application of parting means
DE2103858C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Wiedererhitzung des Bodenfraktionrückflusses in einer Kolonne für die fraktionierte Destillation
US20140050863A1 (en) Evaporator with internal restriction
DE3414669C2 (de) Verdampferzelle
JPH0671551B2 (ja) 定量気化供給装置
KR20230028411A (ko) 유기 분말을 증발시키기 위한 디바이스 및 방법
KR100399224B1 (ko) 저이슬점 분위기가스의 제조방법
CN101381863B (zh) 源气体供给装置
CN100572586C (zh) 用于有机薄膜的堆积的分子束源
JPH06507481A (ja) 光吸収による気体の質量流量測定方法