SU1574411A1 - Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени - Google Patents
Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени Download PDFInfo
- Publication number
- SU1574411A1 SU1574411A1 SU884384938A SU4384938A SU1574411A1 SU 1574411 A1 SU1574411 A1 SU 1574411A1 SU 884384938 A SU884384938 A SU 884384938A SU 4384938 A SU4384938 A SU 4384938A SU 1574411 A1 SU1574411 A1 SU 1574411A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- microwire
- contact
- welding
- materials
- intermediate insert
- Prior art date
Links
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к микросварке полупроводников и может быть применено в приборостроении. Цель изобретени - повышение надежности и упрощение способа. Способ состоит в приварке микропровода к нитевидному кристаллу посредством пропускани электрического импульса между концом микропровода, наход щимс на поверхности кристалла, и дополнительным электродом. Микропровод выполнен из частей разнородных материалов. Промежуточна вставка выполнена с температурой плавлени большей и теплопроводностью меньшей, чем температура плавлени и теплопроводность контактного микропровода. Соотношение их длин при одинаковом сечении определ ют из уравнени L1/L2 = (λ1/λ2).K, где L1 и L2-длины микропроводов
λ1 и λ2 - их удельные теплопроводности
K - коэффициент, завис щий от температуры концов микропровода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Description
1
(21)4384938/31-27
(22) 29.02 88
(46) 30 06.90. Бюл № 24
(71)Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола
(72)С.С.Варшава, А.С.Островска и Л.Н Пе- лех
(53)621.791.763.1 (0888)
(56)Патент Японии № 22886, кл. 12В 111. 1969.
(54) СПОСОБ СВАРКИ ДВУХ МАТЕРИАЛОВ С РАЗЛИЧНЫМИ ТЕМПЕРАТУРАМИ ПЛАВЛЕНИЯ
(57)Изобретение относитс к микросварке полупроводников и может быть применено в приборостроении. Цель изобретени -повышение надежности и упрощение способа. Способ состоит в приварке микропровода к нитевидному кристаллу посредством пропускани электрического импульса между концом микропровода, наход щимс на поверхности кристалла и дополнительным электродом Микропровод выполнен из частей разнородных материалов . Промежуточна вставка выполнена с температурой плавлени большей и теплопроводностью меньшей, чем температура плавлени и теплопроводность контактного микропровода Соотношение их длин при одинаковом сечении определ ют из уравнени h/l2 (Ai/te)-K, , где li и 2 - длины микропроводов; AI иА2 - их удельные теплопроводности , К - коэффициент, завис щий от температуры концов микропровода 2 з п.ф-лы, 1 ил, 1 табл.
(Л
ОСП
VI
Ьь
N
Изобретение относитс к технике микросварки и мохет быть использовано в полупроводниковом приборостроении.
Цель изобретени - повышение надежности и упрощение способа.
На чертеже приведена схема осуществлени способа.
Прин ты обозначени : 1 - нитевидный кристалл (НК), 2 - графитовый электрод, 3 - промежуточна вставка, 4 - контактный микропровод, 5 место соединени микропровода и промежуточной вставки в виде шарика, 6 - держатель микропровода.
Способ осуществл етс следующим образом .
На основе теплофизмческмх данных подбирают материал микропроводов 3 и 4. Материал микропровода 3, кроме того, должен обеспечивать его хорошее спл-авление с полупроводником 1. Диаметр микропровода должен быть в 3 - 5 раз меньше эффективного диаметра НК. Омические или выпр мл ющие контакты обеспечиваютс за счет предварительного диффузионного легировани микропровода 3. Импульсной приваркой в спирте на стекл нной подложке соедин ют части микропровода 3 и 4, образу при этом небольшой шарик 5. Подготовленный таким образом микропровод закрепл ют в держателе 6, располагают конец на поверхности НК 1, опуска графитовый электрод. 2 на конец микропровода 3, производ т его приварку к НК 1. Длительность и напр жение импульса подбирают экспериментально. Обычно напр жение при приварке Pt или Аи микропровода 030 - 50 мкм составл ет 5 - 7 В, длительность импульса до 0,1 с, Из материалов, обладающих достаточной пластичностью по температура плавлени , наиболее близка к тугоплавким полупроводникам Pt, однако сравнительна невысока теплопроводность приводит к перегоранию микропровода при приварке, поэтому втора часть изготавливаетс из материала с более высокой теплопроводностью и более низкой температурой плавлени (Аи, Си), что обеспечивает легкость сплавлени микро- проводов 3 и 4, а также возможность пайки второго конца части 4.
Дл установлени соотношени между длинами 3 и 4 обозначим их И и i, а коэффициенты теплопроводности -К и Кг. Использу известные уравнени теплопроводности
Q St,
0)
где А- коэффициент теплопроводности; AT- градиент температуры;
t - врем ,
и уравнение теплового баланса (равенство потоков, которые подход т к спаю 5 и отвод тс от него), запишем
л AT с f , AT ...
А1 -:- Si t t
или
0
li
k
(2)
11l2
где ТПл1 и ТПл2 температуры плавлени частей 3 и 4 соответственно;
Т0 - температура конца держател .
5 Пренебрега теплоотдачей в окружающую среду и полага Si 82, получим
ll/l2(AlA2)-K,(3)
где К AT/AT . ,
В таблице приведены теплофизиче0 ские параметры контактных материалов и тугоплавких полупроводников.
При м е р. Создавали омические контакты к НК GaP р-типа. В качестве материала промежуточной вставки использовали
5 Pt-микролровод d 50 мкм, легированный Zn, В качестве контактного микропровода использовали Au-микропровод (или Си). Согласно уравнению (3) находим отношение h/l2. Так как 90/310,
К
1755-1063
- 0,7, то - 0,2 при ис1063-50
пользовании контактного микропровода длиной им, И 2 нм. Эксперименты подтвердили правильность соотношени (3), при выполнении которого не происходило перегорани микропровода.
При создании контактов к HK/JSIG использовали пары микропроводов молибден-медь , при этом 100/300, „ . 2620-1083 , . ц пк . /12-О.Ь при 12- - 1 см, Ь 0,5 см.
Технико-экономические преимущества способа: повышаетс надежность и быстро
та создани контактов, а также экономичность , так как устран етс брак, св занный с перегоранием ммкропровода. Кроме того, более длинна часть микропровода может быть выполнена из более дешевых метал- лоа, а максимальна длина части микропровода из драгметалла легко рассчитываетс .
Claims (2)
- Формула изобретени55I, Способ сварки двух материалов с различными терлпературами плавлени , преимущественно нитевидных кристаллов тугоплавких полупроводников с контактными микропроводами, при котором между соедин емыми материалами устанавливают промежуточную вставку с температурой плавлени , отличной от температур плавлени свариваемых материалов,1 о т л и ч а ю- щ и и с тем, что, с целью повышени надежности и упрощени способа, промежуточную вставку выполн ют из металла с большей температурой плавлени , чем температура плавлени полупроводника и металла контактного микропровода, и теплопроводностью меньшей, чем у контактного микропровода.
- 2. Способ по п.1,отличающийс тем, что промежуточную вставку и контактный микропровод вылолн ют из микропроводов , соотношение длин которых при их0одинаковом сечении определ ют из формулы(i/i2 (Ai/A2) К,где И и 12 - длины микропровода промежуточной вставки и контактного микропрово- да;А,1иА2 - удельные теплопроводности микропровода промежуточной вставки и контактного микропровода;К-коэффициент, завис щий от заданных температур концов микропроводов .3, Способ по пп.1 и 2, от л и ч а ю щ и й- с тем,что сначала промежуточную вставку и контактный микропровод сваривают между собой.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884384938A SU1574411A1 (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884384938A SU1574411A1 (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1574411A1 true SU1574411A1 (ru) | 1990-06-30 |
Family
ID=21358261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884384938A SU1574411A1 (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1574411A1 (ru) |
-
1988
- 1988-02-29 SU SU884384938A patent/SU1574411A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2757324A (en) | Fabrication of silicon translating devices | |
EP1797598B1 (de) | Kontaktierung thermoelektrischer materialien | |
ES2142378T3 (es) | Calentador electrico semiconductor y metodo para su fabricacion. | |
US2784300A (en) | Method of fabricating an electrical connection | |
KR100231080B1 (ko) | 생사 스크리닝에 의한 미니 점화기의 활성 금속화 방법 | |
JPH0737674A (ja) | スパークプラグ | |
US2858350A (en) | Thermoelectric generator | |
US3969696A (en) | Refractory resistor with supporting terminal | |
SU1574411A1 (ru) | Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени | |
US4500904A (en) | Semiconductor device | |
US5101093A (en) | Contact tip for arc welding | |
JP2000050661A (ja) | 発電装置 | |
US3954507A (en) | Thermocouples used for measuring temperatures | |
JPS6110084A (ja) | 金属電極を導電性炭化ケイ素セラミツク要素にロウ接する方法およびこの方法により製造した炭化ケイ素セラミツク要素 | |
US2996800A (en) | Method of making ohmic connections to silicon semiconductors | |
US5651495A (en) | Thermoelectric cooler assisted soldering | |
US4017266A (en) | Process for making a brazed lead electrode, and product thereof | |
US3294895A (en) | Semiconductor device with flexible lead connection | |
US3470033A (en) | Thermoelectric device comprising silicon alloy thermocouple legs bonded by a solder composed of palladium alloy | |
US3063876A (en) | Preparation of junctions in silicon carbide members | |
US4849600A (en) | Constant temperature welding method | |
JPH09172204A (ja) | 熱電変換装置およびその製造方法 | |
US2932878A (en) | Method of making silicon carbide rectifiers | |
US3021595A (en) | Ohmic contacts for silicon conductor devices and method for making | |
US2929137A (en) | Method of making ohmic connections to silicon semiconductor devices |