SU1574411A1 - Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени - Google Patents

Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени Download PDF

Info

Publication number
SU1574411A1
SU1574411A1 SU884384938A SU4384938A SU1574411A1 SU 1574411 A1 SU1574411 A1 SU 1574411A1 SU 884384938 A SU884384938 A SU 884384938A SU 4384938 A SU4384938 A SU 4384938A SU 1574411 A1 SU1574411 A1 SU 1574411A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
microwire
contact
welding
materials
intermediate insert
Prior art date
Application number
SU884384938A
Other languages
English (en)
Inventor
Славомир Степанович Варшава
Анастасия Степановна Островская
Любовь Николаевна Пелех
Original Assignee
Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола filed Critical Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола
Priority to SU884384938A priority Critical patent/SU1574411A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1574411A1 publication Critical patent/SU1574411A1/ru

Links

Landscapes

  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к микросварке полупроводников и может быть применено в приборостроении. Цель изобретени  - повышение надежности и упрощение способа. Способ состоит в приварке микропровода к нитевидному кристаллу посредством пропускани  электрического импульса между концом микропровода, наход щимс  на поверхности кристалла, и дополнительным электродом. Микропровод выполнен из частей разнородных материалов. Промежуточна  вставка выполнена с температурой плавлени  большей и теплопроводностью меньшей, чем температура плавлени  и теплопроводность контактного микропровода. Соотношение их длин при одинаковом сечении определ ют из уравнени  L1/L2 = (λ12).K, где L1 и L2-длины микропроводов
λ1 и λ2 - их удельные теплопроводности
K - коэффициент, завис щий от температуры концов микропровода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Description

1
(21)4384938/31-27
(22) 29.02 88
(46) 30 06.90. Бюл № 24
(71)Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола
(72)С.С.Варшава, А.С.Островска  и Л.Н Пе- лех
(53)621.791.763.1 (0888)
(56)Патент Японии № 22886, кл. 12В 111. 1969.
(54) СПОСОБ СВАРКИ ДВУХ МАТЕРИАЛОВ С РАЗЛИЧНЫМИ ТЕМПЕРАТУРАМИ ПЛАВЛЕНИЯ
(57)Изобретение относитс  к микросварке полупроводников и может быть применено в приборостроении. Цель изобретени -повышение надежности и упрощение способа. Способ состоит в приварке микропровода к нитевидному кристаллу посредством пропускани  электрического импульса между концом микропровода, наход щимс  на поверхности кристалла и дополнительным электродом Микропровод выполнен из частей разнородных материалов . Промежуточна  вставка выполнена с температурой плавлени  большей и теплопроводностью меньшей, чем температура плавлени  и теплопроводность контактного микропровода Соотношение их длин при одинаковом сечении определ ют из уравнени  h/l2 (Ai/te)-K, , где li и 2 - длины микропроводов; AI иА2 - их удельные теплопроводности , К - коэффициент, завис щий от температуры концов микропровода 2 з п.ф-лы, 1 ил, 1 табл.
ОСП
VI
Ьь
N
Изобретение относитс  к технике микросварки и мохет быть использовано в полупроводниковом приборостроении.
Цель изобретени  - повышение надежности и упрощение способа.
На чертеже приведена схема осуществлени  способа.
Прин ты обозначени : 1 - нитевидный кристалл (НК), 2 - графитовый электрод, 3 - промежуточна  вставка, 4 - контактный микропровод, 5 место соединени  микропровода и промежуточной вставки в виде шарика, 6 - держатель микропровода.
Способ осуществл етс  следующим образом .
На основе теплофизмческмх данных подбирают материал микропроводов 3 и 4. Материал микропровода 3, кроме того, должен обеспечивать его хорошее спл-авление с полупроводником 1. Диаметр микропровода должен быть в 3 - 5 раз меньше эффективного диаметра НК. Омические или выпр мл ющие контакты обеспечиваютс  за счет предварительного диффузионного легировани  микропровода 3. Импульсной приваркой в спирте на стекл нной подложке соедин ют части микропровода 3 и 4, образу  при этом небольшой шарик 5. Подготовленный таким образом микропровод закрепл ют в держателе 6, располагают конец на поверхности НК 1, опуска  графитовый электрод. 2 на конец микропровода 3, производ т его приварку к НК 1. Длительность и напр жение импульса подбирают экспериментально. Обычно напр жение при приварке Pt или Аи микропровода 030 - 50 мкм составл ет 5 - 7 В, длительность импульса до 0,1 с, Из материалов, обладающих достаточной пластичностью по температура плавлени , наиболее близка к тугоплавким полупроводникам Pt, однако сравнительна  невысока  теплопроводность приводит к перегоранию микропровода при приварке, поэтому втора  часть изготавливаетс  из материала с более высокой теплопроводностью и более низкой температурой плавлени  (Аи, Си), что обеспечивает легкость сплавлени  микро- проводов 3 и 4, а также возможность пайки второго конца части 4.
Дл  установлени  соотношени  между длинами 3 и 4 обозначим их И и i, а коэффициенты теплопроводности -К и Кг. Использу  известные уравнени  теплопроводности
Q St,
0)
где А- коэффициент теплопроводности; AT- градиент температуры;
t - врем ,
и уравнение теплового баланса (равенство потоков, которые подход т к спаю 5 и отвод тс  от него), запишем
л AT с f , AT ...
А1 -:- Si t t
или
0
li
k
(2)
11l2
где ТПл1 и ТПл2 температуры плавлени  частей 3 и 4 соответственно;
Т0 - температура конца держател .
5 Пренебрега  теплоотдачей в окружающую среду и полага  Si 82, получим
ll/l2(AlA2)-K,(3)
где К AT/AT . ,
В таблице приведены теплофизиче0 ские параметры контактных материалов и тугоплавких полупроводников.
При м е р. Создавали омические контакты к НК GaP р-типа. В качестве материала промежуточной вставки использовали
5 Pt-микролровод d 50 мкм, легированный Zn, В качестве контактного микропровода использовали Au-микропровод (или Си). Согласно уравнению (3) находим отношение h/l2. Так как 90/310,
К
1755-1063
- 0,7, то - 0,2 при ис1063-50
пользовании контактного микропровода длиной им, И 2 нм. Эксперименты подтвердили правильность соотношени  (3), при выполнении которого не происходило перегорани  микропровода.
При создании контактов к HK/JSIG использовали пары микропроводов молибден-медь , при этом 100/300, „ . 2620-1083 , . ц пк . /12-О.Ь при 12- - 1 см, Ь 0,5 см.
Технико-экономические преимущества способа: повышаетс  надежность и быстро
та создани  контактов, а также экономичность , так как устран етс  брак, св занный с перегоранием ммкропровода. Кроме того, более длинна  часть микропровода может быть выполнена из более дешевых метал- лоа, а максимальна  длина части микропровода из драгметалла легко рассчитываетс .

Claims (2)

  1. Формула изобретени 
    55I, Способ сварки двух материалов с различными терлпературами плавлени , преимущественно нитевидных кристаллов тугоплавких полупроводников с контактными микропроводами, при котором между соедин емыми материалами устанавливают промежуточную вставку с температурой плавлени , отличной от температур плавлени  свариваемых материалов,1 о т л и ч а ю- щ и и с   тем, что, с целью повышени  надежности и упрощени  способа, промежуточную вставку выполн ют из металла с большей температурой плавлени , чем температура плавлени  полупроводника и металла контактного микропровода, и теплопроводностью меньшей, чем у контактного микропровода.
  2. 2. Способ по п.1,отличающийс  тем, что промежуточную вставку и контактный микропровод вылолн ют из микропроводов , соотношение длин которых при их
    0
    одинаковом сечении определ ют из формулы
    (i/i2 (Ai/A2) К,
    где И и 12 - длины микропровода промежуточной вставки и контактного микропрово- да;
    А,1иА2 - удельные теплопроводности микропровода промежуточной вставки и контактного микропровода;
    К-коэффициент, завис щий от заданных температур концов микропроводов .
    3, Способ по пп.1 и 2, от л и ч а ю щ и й- с   тем,что сначала промежуточную вставку и контактный микропровод сваривают между собой.
SU884384938A 1988-02-29 1988-02-29 Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени SU1574411A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884384938A SU1574411A1 (ru) 1988-02-29 1988-02-29 Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884384938A SU1574411A1 (ru) 1988-02-29 1988-02-29 Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1574411A1 true SU1574411A1 (ru) 1990-06-30

Family

ID=21358261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884384938A SU1574411A1 (ru) 1988-02-29 1988-02-29 Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1574411A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2757324A (en) Fabrication of silicon translating devices
EP1797598B1 (de) Kontaktierung thermoelektrischer materialien
ES2142378T3 (es) Calentador electrico semiconductor y metodo para su fabricacion.
US2784300A (en) Method of fabricating an electrical connection
KR100231080B1 (ko) 생사 스크리닝에 의한 미니 점화기의 활성 금속화 방법
JPH0737674A (ja) スパークプラグ
US2858350A (en) Thermoelectric generator
US3969696A (en) Refractory resistor with supporting terminal
SU1574411A1 (ru) Способ сварки двух материалов с различными температурами плавлени
US4500904A (en) Semiconductor device
US5101093A (en) Contact tip for arc welding
JP2000050661A (ja) 発電装置
US3954507A (en) Thermocouples used for measuring temperatures
JPS6110084A (ja) 金属電極を導電性炭化ケイ素セラミツク要素にロウ接する方法およびこの方法により製造した炭化ケイ素セラミツク要素
US2996800A (en) Method of making ohmic connections to silicon semiconductors
US5651495A (en) Thermoelectric cooler assisted soldering
US4017266A (en) Process for making a brazed lead electrode, and product thereof
US3294895A (en) Semiconductor device with flexible lead connection
US3470033A (en) Thermoelectric device comprising silicon alloy thermocouple legs bonded by a solder composed of palladium alloy
US3063876A (en) Preparation of junctions in silicon carbide members
US4849600A (en) Constant temperature welding method
JPH09172204A (ja) 熱電変換装置およびその製造方法
US2932878A (en) Method of making silicon carbide rectifiers
US3021595A (en) Ohmic contacts for silicon conductor devices and method for making
US2929137A (en) Method of making ohmic connections to silicon semiconductor devices