SU1522285A1

SU1522285A1 - Элемент пам ти

Info

Publication number: SU1522285A1
Application number: SU864122765A
Authority: SU
Inventors: Люция Ильясовна Каримова; Наиль Рафкатович Зайнуллин
Original assignee: Ташкентский институт инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства
Priority date: 1986-09-22
Filing date: 1986-09-22
Publication date: 1989-11-15

Abstract

Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др. Целью изобретени вл етс увеличение отношени сигнал/помеха при считывании информации. Элемент пам ти содержит коаксиально расположенные ферромагнитную подложку 1 в форме ленты из низкокоэрцитивного материала (1-10А/м) и электрохимически осажденную на нее высококоэрцитивную (800-2000 А/м) пленку 2 (например, кобальтовую). Подложка 1 и пленка 2 выполнены из материалов с ППГ, причем оси их легкого намагничивани направлены вдоль длины элемента пам ти. Подложка 1 может быть выполнена из аморфного состава /например, 45НПР-А, 81КСР-А/. Элемент пам ти содержит также обмотку считывани , магнитосв занную с подложкой 1 и пленкой 2. Длина элемента пам ти выбираетс таким образом, чтобы размагничивающее поле образца превышало значение коэрцитивной силы подложки 1, но было меньше коэрцитивной силы пленки 2. 1 з.п.ф-лы, 3 ил.

Description

.1

Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др.

Цель изобретени - увеличение отношени сигнал-помеха при считывании информации.

На фиг. 1 и 2 показано распределение намагниченности в элементе при наличии (фиг. 1) и в отсутствии (фиг. 2) внешнего магнитного пол Н на фиг. 3 - частна петл перемаг- ничивани элемента пам ти в однопо- л рном магнитном поле М(Не,).

Элемент пам ти содержит коакси- ально расположенные ферромагнитные подложку 1 в форма-ленты из низкокоэрцитивного материала (1-10) А/м и электрохимически осажденную на нее высок коэрцитивную (800-2000) А/м пленку 2 (например, кобальтовую). Подложка 1 ;И пленка 2 выполнены из материалов с

е

-

10

15

20

ничиваетс под действием размагничивающего пол в направлении, -обратном направлению намагниченности пленки 2, обеспечива минимум внутренней энергии. При этом в обмотке считывани наводр тс выходной сигнал.

Структура аморфных сплавов, в отличие прликристаллических, характеризуетс отсутствием границ блоков, зерен и других дефектов структуры, служащих источниками существовани множества зародышей перемагничивани , которые способствуют разбиванию ветвей петли гистерезиса на р д мелких скачков Баркгаузена. Поэтому возможно перемагничивание аморфной ленты одним единственным скачком Баркгаузена , которому будет соответствовать вертикальна отвесна ветвь ППГ и один вно выраженный выходной импульс. Так как амплитуда импульса зависит от диапазона скачкообразного изменени намагниченности, то при перемагни

;ППГ, причем оси их легкого намагничи- 25 чивании аморфного сплава с такой же вани направлены вдапь длины элемента пам ти. Подложка 1 может быть выполнена из аморфного сплава (например, 45НПР-А, 81КСР-А).

Iи

Элемент пам ти содержит также об- ЗО

мотку считывани (на фиг, 1 и 2 не показана ) , магнитосв занную с подложкой 1 и пленкой 2.

Дгйгна элемента пам ти выбираетс

таким образом, чтобы размагничивающее 35 щие или скручивающие напр жени , поле образца превьшало значение коэрцитивной , силы подложки-1, но быпо меньше коэрцитивной силы пленки 2.

Элемент пам ти работает следующем образом.40

При воздействии достаточно сильного внешнего магнитного пол элемент пам ти устанавливаетс в первое магнитное состо ние насьпцени

остаточной намагниченностью, как и у поликристаллического, достигаетс увеличение амплитуды выходного сигнала ,

При этом ППГ и анизотропи достигаютс за счет наведени магнитной текстуры при соответствующей термомагнитной обработке, и нет необходимости создавать упругие раст гиваюАмплитуда выходного сигнала пропорциональна объему перемагничивае- мой области при заданных значени х намагниченности и скорости перемагничивани , т.е. определ етс площадь пленки 2.

Дл повышени амплитуды выходного сигнала в элементе пам ти увеличивать толщину пленки можно лишь до опреде (фиг. 1), соответствующее точке ус 45 ленных значений (8-10 мкм), при претановки петли гистерезиса на фиг. 3,

При этом элемент пам ти фактически

вл етс посто нным магнитом, так как

направлени намагниченности подложки

1- и пленки 2 совпадают, а магнитный ,Q

поток замыкаетс по воздуху.

При уменьшении магнитного пол до определенной величины Н cepocq соответствующей точке сброса петли гистерезиса (фиг. 3), происходит пере- .ключение элемента пам ти во второе магнитное состо ние (фиг. 2). При этом пленка 2 остаетс в намагниченном состо нии, а подложка 1 перемагвышении которьгх наруи аетс механическа прочность, сцепление пленки 2 с внутренней областью и ухудшаютс магнитные характеристики (ППГ и анизотропи , наводимые в пленке при ее осаждении в продольном магнитном поле ) . Поэтому увеличение площади сечени пленки 2 можно достичь лишь за счет увеличени периметра сечени внутренней области, на которую она осаждаетс , например, путем вьтолне- ни подложки в форме ленты с пр моугольным сечением, как это сделано в предложенном элементе пам ти.

чивании аморфного сплава с такой же

При этом ППГ и анизотропи достигаютс за счет наведени магнитной текстуры при соответствующей термомагнитной обработке, и нет необходимости создавать упругие раст гивающие или скручивающие напр жени ,

Амплитуда выходного сигнала пропорциональна объему перемагничивае- мой области при заданных значени х намагниченности и скорости перемагничивани , т.е. определ етс площадь пленки 2.

Дл повышени амплитуды выходного сигнала в элементе пам ти увеличиват толщину пленки можно лишь до опредевышении которьгх наруи аетс механическа прочность, сцепление пленки 2 с внутренней областью и ухудшаютс магнитные характеристики (ППГ и анизотропи , наводимые в пленке при ее осаждении в продольном магнитном поле ) . Поэтому увеличение площади сечени пленки 2 можно достичь лишь за счет увеличени периметра сечени внутренней области, на которую она осаждаетс , например, путем вьтолне- ни подложки в форме ленты с пр моугольным сечением, как это сделано в предложенном элементе пам ти.

Claims

1. Элемент пам ти, содержащий ко- аксиально расположенные ферромагнитные подложку и пленку из материалов с пр моугольной петлей гистерезиса, оси легкого намагничивани которых направлены вдоль длины элемента пам ти , и магнитосв занную с ними обмотку считьшани , отличающи.йРедактор М.Товтин

Составитель Ю.Розенталь

Техред М.Ходанич Корректор Т.Малец

Заказ 6970/50

Тираж 558

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени м и открыти м при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5

с тем, что, с целью увеличени отношени сигнал/помеха при считывании информатдаи, ферромагнитна подложка выполнена в форме ленты из низкокоэрцитивного материала.

2. Элемент по п. 1, отличающийс тем, что ферромагнитна подложка вьшолнена из аморфного сплава.

Фие.1

М

Г

.

c5pQc tiycm Физ,5

Не

Подписное