SU152018A1 - Device for grid control of converters installation valves - Google Patents
Device for grid control of converters installation valvesInfo
- Publication number
- SU152018A1 SU152018A1 SU761714A SU761714A SU152018A1 SU 152018 A1 SU152018 A1 SU 152018A1 SU 761714 A SU761714 A SU 761714A SU 761714 A SU761714 A SU 761714A SU 152018 A1 SU152018 A1 SU 152018A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- converters
- grid control
- diode
- valves
- grid
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Description
Широко примен емые в устройствах дл сеточного управлени мощными ионными преобразовател ми электромагнитные формирователи импульсов (пик-генераторы, пик-дроссели, однополупериодпые магнитные усилители) имеют р д недостатков.Electromagnetic pulse formers widely used in devices for grid control of high-power ion converters (peak-generators, peak-chokes, half-wave magnetic amplifiers) have a number of drawbacks.
Более совершенным устройствам на полупроводниковых триодах при их применении к мощным преобразовательным установкам свойственен тот недостаток, что мощные триоды имеют чрезмерно большие токи управлени и требуют использовани сеточных импульсных трансформаторов , так как амплитуда сеточного импульса дл мощных выпр мителей должна быть не менее 300 в.The more advanced devices on semiconductor triodes, when applied to high-power converter installations, have the disadvantage that high-power triodes have excessively large control currents and require the use of grid-type pulse transformers, since the amplitude of the grid pulse for high-power rectifiers must be at least 300 volts.
Очень заманчивым вл етс применение полупроводниковых управл емых диодов, которые в отличие от триодов имеют очень маленький ток управлени при большой выходной мощности, и изготовл ютс на значительно более высокое напр жение (до 400 в).It is very tempting to use semiconductor controlled diodes, which, unlike triodes, have a very small control current at high output power, and are manufactured at a much higher voltage (up to 400 V).
Управл емый диод, по сравнению с триодом, имеет тот недостаток, что его нельз запереть управл ющим электродом при положительном потенциале анода по отношению к катоду, что затрудн ет получение сеточного импульса неизменной и наиболее благопри тной ширины, равной 120°.Compared to the triode, the controlled diode has the disadvantage that it cannot be locked by the control electrode with a positive anode potential relative to the cathode, which makes it difficult to obtain a grid pulse of a constant and most favorable width of 120 °.
В соответствии с изобретением дл получени управл ющих импульсов посто нной ширины, равной 120°, предлагаетс в устройстве дл сеточного управлени вентил ми преобразовательной установки .применить инвертор с конденсаторной коммутацией на полупроводниковых управл емых диодах.In accordance with the invention, in order to obtain control pulses of a constant width of 120 °, it is proposed in a device to apply a capacitor-switched inverter on semiconductor controlled diodes to the grid control of the valves of the converter installation.
№ 152018№ 152018
На чертеже показана принципиальна схема такого инвертора, на. которой обозначены: трансформатор ТП, выпр митель ВП, сопротивление СП, полупроводниковые силовые управл емые диоды 1УВ-&У5,. нагрузочные сопротивлени 1СН-6СН, коммутирующие конденсаторы 1ЕК,-6ЕК и конденсаторы нагрузки 1ЕН-6ЕН.The drawing shows a schematic diagram of such an inverter, on. which denotes: transformer ТП, rectifier ВП, resistance СП, semiconductor power controlled diodes 1УВ- & У5 ,. load resistances 1СН-6СН, switching capacitors 1ЕК, -6ЕК and load capacitors 1ЕН-6ЕН.
Коммутирующие конденсаторы 1ЕК.-6ЕК. включены соответственно между нагрузочными сопротивлени ми управл емых диодов, импульсы управлени которых сдвинуты на 120°. Ниже рассматриваетс работа одной ветви устройства.Switching capacitors 1ЕК.-6ЕК. included respectively between the load resistances of controlled diodes, the control pulses of which are shifted by 120 °. The following describes the operation of a single device branch.
Передний фронт импульса на нагрузочном сопротивлении 1СН формируетс с помощью полупроводникового диода 1УВ, при открывании которого напр жение питающей сети прикладываетс к этому нагрузочному сопротивлению.The leading edge of the impulse at the load resistance 1СН is formed with the help of a semiconductor diode 1UV, when opened, the supply voltage is applied to this load resistance.
При открывании диода ЗУ В формируетс передний фронт импульса на нагрузочном сопротивлении SCH и одновременно срезаетс задн часть импульса на нагрузочном сопротивлении 1СН, так как при открывании диода ЗУВ конденсатором 1ЕК, запираетс диод 1УВ. Этот конденсатор на очень короткий промежуток времени, необходимый дл , восстановлени запирающих свойств диода 1УВ, делает его катод положительным по отнощению к аноду. Диод запираетс и, если на его управл ющем электроде отсутствует отпирающий сигнал, то он остаетс запертым и после восстановлени положительного напр жени на анодепосле разр да конденсатора 1ЕК.When opening the ZU diode, the front of the pulse is formed on the SCH load resistance and the rear part of the pulse on the 1CH load resistance is simultaneously cut off, because when the ZUV diode is opened by the 1EK capacitor, the 1УВ diode is locked. This capacitor, for a very short period of time required for the restoration of the blocking properties of the 1UV diode, makes its cathode positive with respect to the anode. The diode is locked and, if there is no unlocking signal on its control electrode, it remains locked even after the restoration of the positive voltage at the anode-holding after discharge of the 1EK capacitor.
Нагрузка 1ЕН служит дл уменьщени пиков напр жени , обусловленных перезар дкой конденсатора 1ЕК..The 1EN load is used to reduce the voltage peaks due to the overload of the 1EK capacitor.
Измен момент отпирани управл емого диода 1УВ, можно регулировать угол запаздывани зажигани . Управление диодами 1УВ- 6УВ может осуществл тьс различными устройствами: статическим фазорегул тором , однополупериодными усилител ми, обычными магнитными усилител ми, транзисторными устройствами, пик-трансформа-торами и т. п. .By changing the time of unlocking the controlled 1UV diode, it is possible to adjust the lagging angle. The 1UV-6UV diodes can be controlled by various devices: a static phase-shifter, single-half-wave amplifiers, conventional magnetic amplifiers, transistor devices, peak-transformers, and so on.
Предмет изобретени Subject invention
Применение инвертора с конденсаторной коммутацией на полупроводниковых управл емых диодах в устройстве дл сеточного управлени вентил ми преобразовательной установки.The use of an inverter with capacitor switching on semiconductor controlled diodes in the device for the grid control of the valves of the converter plant.
к ионной apeaSpasoSaaie/itHdu уаланобкеto ionic apeaSpasoSaaie / itHdu ualanobke
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU761714A SU152018A1 (en) | 1962-01-29 | 1962-01-29 | Device for grid control of converters installation valves |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU761714A SU152018A1 (en) | 1962-01-29 | 1962-01-29 | Device for grid control of converters installation valves |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU152018A1 true SU152018A1 (en) | 1962-11-30 |
Family
ID=48306596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU761714A SU152018A1 (en) | 1962-01-29 | 1962-01-29 | Device for grid control of converters installation valves |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU152018A1 (en) |
-
1962
- 1962-01-29 SU SU761714A patent/SU152018A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1362702A (en) | Circuits for electronic commultation | |
GB1123183A (en) | Electric power control circuits | |
GB868319A (en) | Improvements relating to rectifier circuit arrangements | |
US3992638A (en) | Synchronous switch | |
SU152018A1 (en) | Device for grid control of converters installation valves | |
DE2527106B2 (en) | Induction heater | |
US3265956A (en) | Electrical apparatus | |
GB857529A (en) | Improvement in or relating to electric switching systems | |
US4100435A (en) | Phase control apparatus | |
US2777108A (en) | Electric current rectifiers | |
GB1051773A (en) | Improvements in and relating to Semiconductor Devices | |
US3217174A (en) | Triggering circuit for parallel silicon controlled rectifier inverter circuit | |
US3381146A (en) | Trigger pulse circuit | |
US3486105A (en) | Stabilized high voltage source | |
US3569999A (en) | A.c. control circuit | |
GB1236768A (en) | Improvements in means for suppressing rate of change of voltage with time in semiconductor switching applications | |
US4051384A (en) | Blocking circuit for thyristors | |
US4099072A (en) | Variable pulse width circuit | |
US3290514A (en) | Contactless alternating current switch with controlled rectifiers of the electronic type | |
GB947758A (en) | Ac-dc converter | |
GB953394A (en) | Switching circuits employing semi-conductor controlled rectifiers | |
GB1099375A (en) | Electrically-controlled switching circuit | |
GB986113A (en) | Switching circuits employing semi-conductor controlled rectifiers | |
SU136816A1 (en) | Grid Control Device Ion Frequency Converter | |
SU521604A1 (en) | Memory element |