SU1518842A1 - Microstrip matched load - Google Patents
Microstrip matched load Download PDFInfo
- Publication number
- SU1518842A1 SU1518842A1 SU884354357A SU4354357A SU1518842A1 SU 1518842 A1 SU1518842 A1 SU 1518842A1 SU 884354357 A SU884354357 A SU 884354357A SU 4354357 A SU4354357 A SU 4354357A SU 1518842 A1 SU1518842 A1 SU 1518842A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- resistive elements
- thickness
- dielectric substrate
- substrate
- equal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технике СВЧ. ЦЕЛЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ - УВЕЛИЧЕНИЕ ДОПУСТИМОЙ РАБОЧЕЙ МОЩНОСТИ. МИКРОПОЛОСКОВАЯ СОГЛАСОВАННАЯ НАГРУЗКА СОДЕРЖИТ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПОДЛОЖКУ 1, НА ОДНОЙ СТОРОНЕ КОТОРОЙ РАСПОЛОЖЕНО ЗАЗЕМЛЯЮЩЕЕ ОСНОВАНИЕ, А НА ДРУГОЙ СТОРОНЕ - ВХОДНОЙ ПРОВОДНИК (П) 2, К ТОРЦУ 3 КОТОРОГО И К ПРИЛЕГАЮЩИМ К НЕМУ БОКОВЫМ КРОМКАМ 4 ПОДКЛЮЧЕНЫ РЕЗИСТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (РЭ) 5 с П-образными П 6. СВЧ-сигнал поступает на П 2 и рассеиваетс в РЭ 5. Наличие многих РЭ 5 обеспечивает равномерное распределение между ними поглощенного СВЧ-сигнала и хороший теплоотвод, т.к. они расположены один от другого на рассто нии L, равном толщине подложки 1. Это соответствует малому перекрытию тепловых фронтов соседних РЭ 5. Эффективна площадь теплотвода увеличена за счет П 6, соедин ющих между собой группы РЭ 5 в эквипотенциальных точках. Нагрузка по п.2 ф-лы отличаетс тем, что РЭ 5 имеют размер, равный 0,2 толщины подложки 1. Это обеспечивает возможность рассе ни на нем большого количества тепла, как на точечном тепловом источнике. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.This invention relates to a microwave technique. PURPOSE OF THE INVENTION - ENHANCEMENT OF ALLOWABLE WORKING CAPACITY. Microstrip matched load comprises a dielectric substrate 1 on one side of which are arranged the grounding FOUNDATION, and on the other - input lead (II) 2, to the ends 3 of which K adjacent side edge 4 CONNECTED resistive element (RE) 5 with n- figurative P 6. The microwave signal arrives at P 2 and is dissipated in the OM 5. The presence of many OM 5 ensures an even distribution of the absorbed microwave signal between them and a good heat sink, since they are located one from another at a distance L equal to the thickness of the substrate 1. This corresponds to a small overlap of the thermal fronts of the neighboring OM 5. The effective heat sink area is increased due to П 6 connecting the ER 5 groups at equipotential points. The load according to claim 2 of the file is characterized in that the ER 5 has a size equal to 0.2 times the thickness of the substrate 1. This allows a large amount of heat to be dispersed on it, as on a point heat source. 1 hp f-ly, 1 ill.
Description
Изобретение относитс к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах.This invention relates to a microwave technique and can be used in miniature devices.
Цель изобретени - увеличение допустимой рабочей мощности.The purpose of the invention is to increase the permissible operating power.
На чертеже показана конструкци микрополосковой согласованной нагрузки .The drawing shows the microstrip matched load design.
Микрополоскова согласованна нагрузка содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой расположено заземл ющее основание (не показано) , а на другой стороне - входной проводник 2, к торцу 3 которого и прилегающим к нему боковым кромкам 4 подключены резистивные элементы 5. Дополнительно введены П-об- разные проводники 6 и резистивные элементы 5. Первый П-образный проводник 6 подключен к резистивньм элементам 5, подключенным к входному проводнику 2, а остальные резистивные элементы 5 включены между П-образным проводниками 6 и между последним П- образным проводником б и заземл ющим основанием. Рассто ние 1 между ближайшими резистивными элементами 5 равно толщине диэлектрической подложки I. Линейный размер W резистивных элементов 5 предпочтительно выбирать равным 0,2 толщины диэлектрической подложки 1.The microstrip matched load contains a dielectric substrate 1, on one side of which there is a grounding base (not shown), and on the other side is an input conductor 2, to the end of which 3 and the adjacent side edges 4 are connected resistive elements 5. Additionally the various conductors 6 and resistive elements 5. The first U-shaped conductor 6 is connected to the resistive elements 5 connected to the input conductor 2, and the remaining resistive elements 5 are connected between the U-shaped conductors 6 and between Do the last U-shaped conductor b and grounding base. The distance 1 between the nearest resistive elements 5 is equal to the thickness of the dielectric substrate I. The linear dimension W of the resistive elements 5 is preferably chosen equal to 0.2 of the thickness of the dielectric substrate 1.
Микрополоскова согласованна нагрузка работает следующим образом. СВЧ-сигнал поступает на входной проводник 2 и рассеиваетс в резистивных элементах 5. Наличие многих резистивных элементов 5 обеспечивает равномерное распределение между ними поглощенного СВЧ-сигнала и хорощий теплоотвод, так как они расположены один от другого н а рассто нии, равном толщине диэлектрической подложки 1, что соответствует пренебрежимо малому перекрытию тепловых фронтов соседних резистивных элементов 5. Эффективна площадь теплоотвода увеличена за счет П-образных проводников 6, соедин ющих между собой группы резистивных элементов 5 в эквипотен- циальных точках. Линейный размер W резистивных элементов 5, равный 0,2 толщины диэлектрической подложки 1, обеспечивает возможность рассе ни Microstrip matched load works as follows. The microwave signal enters the input conductor 2 and is dissipated in resistive elements 5. The presence of many resistive elements 5 ensures an even distribution of the absorbed microwave signal between them and a good heat sink, since they are located one from another at a distance equal to the thickness of the dielectric substrate 1 , which corresponds to a negligibly small overlap of the thermal fronts of adjacent resistive elements 5. The effective area of the heat sink is increased due to U-shaped conductors 6 connecting the resistive groups x elements 5 at equipotential points. The linear dimension W of resistive elements 5, equal to 0.2 of the thickness of the dielectric substrate 1, makes it possible to scatter
на нем большого количества тепла, как на точечном тепловом источнике.there is a large amount of heat on it, like on a point heat source.
Микрополоскова согласованна нагрузка работает в частотном диапазоне , в котором площадь, зан та резистивными элементами 5 и П-образными проводниками 6, значительно меньше длины волны.The microstrip matched load operates in the frequency range, in which the area occupied by resistive elements 5 and U-shaped conductors 6 is much smaller than the wavelength.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884354357A SU1518842A1 (en) | 1988-01-04 | 1988-01-04 | Microstrip matched load |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884354357A SU1518842A1 (en) | 1988-01-04 | 1988-01-04 | Microstrip matched load |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1518842A1 true SU1518842A1 (en) | 1989-10-30 |
Family
ID=21346671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884354357A SU1518842A1 (en) | 1988-01-04 | 1988-01-04 | Microstrip matched load |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1518842A1 (en) |
-
1988
- 1988-01-04 SU SU884354357A patent/SU1518842A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 433988, кл. Н 01 Р 1/24, 1982. Патент GB № 2081980, кл. Н 01 Р 1/26, 1982. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112271171B (en) | Semiconductor device and amplifier assembly | |
EP0508662B1 (en) | N-way power combiner/divider | |
JPH06334410A (en) | Flexible wiring board | |
CN113381153B (en) | Slow-wave slot line transmission line | |
SU1518842A1 (en) | Microstrip matched load | |
US7994637B2 (en) | High-frequency semiconductor device | |
KR920005405A (en) | Common Node Reactance Network for Wideband Cross Beam Concentrator Circulators | |
KR890003056A (en) | 1/2 wavelength side coupled filter | |
CN110943281A (en) | Feeding structure, electric component including feeding structure, and module | |
KR880002286A (en) | Sandwich-Wire Antenna | |
JP2022518697A (en) | High frequency spiral termination device | |
DE112016001629T5 (en) | HIGH FREQUENCY POWER AMP | |
RU2048694C1 (en) | Microstrip attenuator | |
JP3015348B1 (en) | Large power distribution / combiner | |
US3797019A (en) | Low loss modulation system for use with antenna array | |
ATE185023T1 (en) | PLANAR RADIATOR | |
SU1434514A1 (en) | Microstrip attenuator | |
JP3569156B2 (en) | Filter circuit | |
SU1193768A1 (en) | Microwave amplifier | |
SU1552266A1 (en) | Microstrip load | |
RU1810936C (en) | Microband load | |
RU145544U1 (en) | CHIP - ATTENUATOR | |
CN117577606A (en) | Multi-gate finger radio frequency chip and radio frequency assembly | |
SU964793A1 (en) | Microwave switch | |
Akinwande et al. | The superplanar combiner: A novel parallel combiner and divider |