SU1518842A1 - Microstrip matched load - Google Patents

Microstrip matched load Download PDF

Info

Publication number
SU1518842A1
SU1518842A1 SU884354357A SU4354357A SU1518842A1 SU 1518842 A1 SU1518842 A1 SU 1518842A1 SU 884354357 A SU884354357 A SU 884354357A SU 4354357 A SU4354357 A SU 4354357A SU 1518842 A1 SU1518842 A1 SU 1518842A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistive elements
thickness
dielectric substrate
substrate
equal
Prior art date
Application number
SU884354357A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Валерий Апполонович Репин
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7956
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7956 filed Critical Предприятие П/Я А-7956
Priority to SU884354357A priority Critical patent/SU1518842A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1518842A1 publication Critical patent/SU1518842A1/en

Links

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технике СВЧ. ЦЕЛЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ - УВЕЛИЧЕНИЕ ДОПУСТИМОЙ РАБОЧЕЙ МОЩНОСТИ. МИКРОПОЛОСКОВАЯ СОГЛАСОВАННАЯ НАГРУЗКА СОДЕРЖИТ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПОДЛОЖКУ 1, НА ОДНОЙ СТОРОНЕ КОТОРОЙ РАСПОЛОЖЕНО ЗАЗЕМЛЯЮЩЕЕ ОСНОВАНИЕ, А НА ДРУГОЙ СТОРОНЕ - ВХОДНОЙ ПРОВОДНИК (П) 2, К ТОРЦУ 3 КОТОРОГО И К ПРИЛЕГАЮЩИМ К НЕМУ БОКОВЫМ КРОМКАМ 4 ПОДКЛЮЧЕНЫ РЕЗИСТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (РЭ) 5 с П-образными П 6. СВЧ-сигнал поступает на П 2 и рассеиваетс  в РЭ 5. Наличие многих РЭ 5 обеспечивает равномерное распределение между ними поглощенного СВЧ-сигнала и хороший теплоотвод, т.к. они расположены один от другого на рассто нии L, равном толщине подложки 1. Это соответствует малому перекрытию тепловых фронтов соседних РЭ 5. Эффективна  площадь теплотвода увеличена за счет П 6, соедин ющих между собой группы РЭ 5 в эквипотенциальных точках. Нагрузка по п.2 ф-лы отличаетс  тем, что РЭ 5 имеют размер, равный 0,2 толщины подложки 1. Это обеспечивает возможность рассе ни  на нем большого количества тепла, как на точечном тепловом источнике. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.This invention relates to a microwave technique. PURPOSE OF THE INVENTION - ENHANCEMENT OF ALLOWABLE WORKING CAPACITY. Microstrip matched load comprises a dielectric substrate 1 on one side of which are arranged the grounding FOUNDATION, and on the other - input lead (II) 2, to the ends 3 of which K adjacent side edge 4 CONNECTED resistive element (RE) 5 with n- figurative P 6. The microwave signal arrives at P 2 and is dissipated in the OM 5. The presence of many OM 5 ensures an even distribution of the absorbed microwave signal between them and a good heat sink, since they are located one from another at a distance L equal to the thickness of the substrate 1. This corresponds to a small overlap of the thermal fronts of the neighboring OM 5. The effective heat sink area is increased due to П 6 connecting the ER 5 groups at equipotential points. The load according to claim 2 of the file is characterized in that the ER 5 has a size equal to 0.2 times the thickness of the substrate 1. This allows a large amount of heat to be dispersed on it, as on a point heat source. 1 hp f-ly, 1 ill.

Description

Изобретение относитс  к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах.This invention relates to a microwave technique and can be used in miniature devices.

Цель изобретени  - увеличение допустимой рабочей мощности.The purpose of the invention is to increase the permissible operating power.

На чертеже показана конструкци  микрополосковой согласованной нагрузки .The drawing shows the microstrip matched load design.

Микрополоскова  согласованна  нагрузка содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой расположено заземл ющее основание (не показано) , а на другой стороне - входной проводник 2, к торцу 3 которого и прилегающим к нему боковым кромкам 4 подключены резистивные элементы 5. Дополнительно введены П-об- разные проводники 6 и резистивные элементы 5. Первый П-образный проводник 6 подключен к резистивньм элементам 5, подключенным к входному проводнику 2, а остальные резистивные элементы 5 включены между П-образным проводниками 6 и между последним П- образным проводником б и заземл ющим основанием. Рассто ние 1 между ближайшими резистивными элементами 5 равно толщине диэлектрической подложки I. Линейный размер W резистивных элементов 5 предпочтительно выбирать равным 0,2 толщины диэлектрической подложки 1.The microstrip matched load contains a dielectric substrate 1, on one side of which there is a grounding base (not shown), and on the other side is an input conductor 2, to the end of which 3 and the adjacent side edges 4 are connected resistive elements 5. Additionally the various conductors 6 and resistive elements 5. The first U-shaped conductor 6 is connected to the resistive elements 5 connected to the input conductor 2, and the remaining resistive elements 5 are connected between the U-shaped conductors 6 and between Do the last U-shaped conductor b and grounding base. The distance 1 between the nearest resistive elements 5 is equal to the thickness of the dielectric substrate I. The linear dimension W of the resistive elements 5 is preferably chosen equal to 0.2 of the thickness of the dielectric substrate 1.

Микрополоскова  согласованна  нагрузка работает следующим образом. СВЧ-сигнал поступает на входной проводник 2 и рассеиваетс  в резистивных элементах 5. Наличие многих резистивных элементов 5 обеспечивает равномерное распределение между ними поглощенного СВЧ-сигнала и хорощий теплоотвод, так как они расположены один от другого н а рассто нии, равном толщине диэлектрической подложки 1, что соответствует пренебрежимо малому перекрытию тепловых фронтов соседних резистивных элементов 5. Эффективна  площадь теплоотвода увеличена за счет П-образных проводников 6, соедин ющих между собой группы резистивных элементов 5 в эквипотен- циальных точках. Линейный размер W резистивных элементов 5, равный 0,2 толщины диэлектрической подложки 1, обеспечивает возможность рассе ни Microstrip matched load works as follows. The microwave signal enters the input conductor 2 and is dissipated in resistive elements 5. The presence of many resistive elements 5 ensures an even distribution of the absorbed microwave signal between them and a good heat sink, since they are located one from another at a distance equal to the thickness of the dielectric substrate 1 , which corresponds to a negligibly small overlap of the thermal fronts of adjacent resistive elements 5. The effective area of the heat sink is increased due to U-shaped conductors 6 connecting the resistive groups x elements 5 at equipotential points. The linear dimension W of resistive elements 5, equal to 0.2 of the thickness of the dielectric substrate 1, makes it possible to scatter

на нем большого количества тепла, как на точечном тепловом источнике.there is a large amount of heat on it, like on a point heat source.

Микрополоскова  согласованна  нагрузка работает в частотном диапазоне , в котором площадь, зан та  резистивными элементами 5 и П-образными проводниками 6, значительно меньше длины волны.The microstrip matched load operates in the frequency range, in which the area occupied by resistive elements 5 and U-shaped conductors 6 is much smaller than the wavelength.

Claims (2)

1.Микрополоскова  согласованна  нагрузка , содержаща  диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположено заземл ющее основание,1. A microstrip matched load containing a dielectric substrate, on one side of which there is a grounding base, а на другой стороне - входной проводник , к торцу и прилегающим к нему боковым кромкам которого подключены резистивные элементы, отличающа с  тем, что, с цельюand on the other side is the input conductor, to the end and adjacent side edges of which resistive elements are connected, in order that увеличени  рабочей допустимой мощности , дополнительно введены резистивные элементы и П-образные проводники , причем первый П-образный проводник подключен к резистивным элементам , подключенным к входному проводнику , а резистивные элементы включены между П-образными проводниками и между последним П-образным проводником и заземл ющим основанием, причемincrease the working allowable power, resistive elements and U-shaped conductors are additionally introduced, the first U-shaped conductor is connected to resistive elements connected to the input conductor, and resistive elements are connected between the U-shaped conductors and between the last U-shaped conductor and grounding basis, and рассто ние ме аду ближайшими резистивными элементами равно толщине диэлектрической подложки.the distance between the nearest resistive elements is equal to the thickness of the dielectric substrate. 2.Согласованна  нагрузка по n.J, отличающа с  тем, что резистивные элементы имеют размер, равный 0,2 толщины диэлектрической подложки .2. Consistent load on n.J, characterized in that the resistive elements have a size equal to 0.2 of the thickness of the dielectric substrate.
SU884354357A 1988-01-04 1988-01-04 Microstrip matched load SU1518842A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884354357A SU1518842A1 (en) 1988-01-04 1988-01-04 Microstrip matched load

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884354357A SU1518842A1 (en) 1988-01-04 1988-01-04 Microstrip matched load

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1518842A1 true SU1518842A1 (en) 1989-10-30

Family

ID=21346671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884354357A SU1518842A1 (en) 1988-01-04 1988-01-04 Microstrip matched load

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1518842A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 433988, кл. Н 01 Р 1/24, 1982. Патент GB № 2081980, кл. Н 01 Р 1/26, 1982. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112271171B (en) Semiconductor device and amplifier assembly
EP0508662B1 (en) N-way power combiner/divider
JPH06334410A (en) Flexible wiring board
CN113381153B (en) Slow-wave slot line transmission line
SU1518842A1 (en) Microstrip matched load
US7994637B2 (en) High-frequency semiconductor device
KR920005405A (en) Common Node Reactance Network for Wideband Cross Beam Concentrator Circulators
KR890003056A (en) 1/2 wavelength side coupled filter
CN110943281A (en) Feeding structure, electric component including feeding structure, and module
KR880002286A (en) Sandwich-Wire Antenna
JP2022518697A (en) High frequency spiral termination device
DE112016001629T5 (en) HIGH FREQUENCY POWER AMP
RU2048694C1 (en) Microstrip attenuator
JP3015348B1 (en) Large power distribution / combiner
US3797019A (en) Low loss modulation system for use with antenna array
ATE185023T1 (en) PLANAR RADIATOR
SU1434514A1 (en) Microstrip attenuator
JP3569156B2 (en) Filter circuit
SU1193768A1 (en) Microwave amplifier
SU1552266A1 (en) Microstrip load
RU1810936C (en) Microband load
RU145544U1 (en) CHIP - ATTENUATOR
CN117577606A (en) Multi-gate finger radio frequency chip and radio frequency assembly
SU964793A1 (en) Microwave switch
Akinwande et al. The superplanar combiner: A novel parallel combiner and divider