SU1518836A1

SU1518836A1 - Shf-filter

Info

Publication number: SU1518836A1
Application number: SU874287485A
Authority: SU
Inventors: Михаил Ефимович Ильченко; Александр Петрович Живков; Григорий Николаевич Шеламов
Original assignee: Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority date: 1987-07-20
Filing date: 1987-07-20
Publication date: 1989-10-30

Abstract

Изобретение относитс к технике СВЧ. Цель изобретени - повышение избирательности и увеличение затухани на резонансной частоте. СВЧ-фильтр содержит отрезок 1 пр моугольного волновода с широкими стенками 5 и узкими стенками 8, диэлектрическую подложку 2 со сторонами 3 и 7, на которых расположены полосковые резонаторы 4 и 6 соответственно. СВЧ-энерги электромагнитной волны основного типа колебани Н₁₀ возбуждаетс в отрезке 1 и взаимодействует электрической составл ющей пол с резонатором 4, а магнитной составл ющей пол - с резонатором 6. Это обеспечивает высокую избирательность и увеличение затухани на резонансной частоте. Регулировка избирательности и уровн затухани обеспечиваетс смещением подложки 2 к одной из узких стенок 8 отрезка 1, а также положением резонатора 6 относительно резонатора 4 в пределах углов 60-90°. 2 ил.This invention relates to a microwave technique. The purpose of the invention is to increase the selectivity and increase the attenuation at the resonant frequency. The microwave filter contains a segment 1 of a rectangular waveguide with wide walls 5 and narrow walls 8, a dielectric substrate 2 with sides 3 and 7 on which strip resonators 4 and 6 are located, respectively. The microwave energy of the electromagnetic wave of the main type H _{10 is} excited in segment 1 and interacts with the electric component of the field with the resonator 4, and the magnetic component of the field with the resonator 6. This provides high selectivity and increased attenuation at the resonant frequency. Adjustment of the selectivity and attenuation level is provided by shifting the substrate 2 to one of the narrow walls 8 of segment 1, as well as the position of the resonator 6 relative to the resonator 4 within the angles of 60-90 °. 2 Il.

Description

СЛSL

00 СХ)00 CX)

соwith

Изобретение относитс к технике СВЧ и может быть использовано в вол- новодных частотно-избирательных трактах антенно-фидерных устройств.The invention relates to a microwave technique and can be used in waveguide frequency selective circuits of antenna-feeder devices.

Цель изобретени - повышение избирательности и увеличение затухани на резонансной частоте.The purpose of the invention is to increase the selectivity and increase the attenuation at the resonant frequency.

На фиг,1 показана конструкци сверхвысокочастотного фильтра; на фиг.2 - положение полосковых резонаторов в волноводе.Fig. 1 shows the construction of the microwave filter; figure 2 - the position of the strip resonators in the waveguide.

Сверхвысокочастотный фильтр содержит отрезок 1 пр моугольного волновода , внутри которого в Е-плоскости ус- тановлена диэлектрическа подложка 2, с одной стороны (3) которой расположен первый полосковый резонатор 4, продольна ось которого перпендикул рна широкой стенке 5 отрезка 1 пр - моугольного волновода, и. второй по- лосковьй резонатор 6, расположенный на другой стороне 7 диэлектрической подложки 2. Центры первого 4 и второго 6 попосковых резонаторов лежат на одной пр мой, перпендикул рной плоскости диэлектрической подложки 2, и угол между их продольными ос ми составл ет 60-90 , а диэлектрическа подложка 2 смещена от оси отрезка 1 пр моугольного волновода к одной из узких стенок 8.The microwave filter contains a segment 1 of a rectangular waveguide, inside of which a dielectric substrate 2 is installed in the E-plane; and. The second strip resonator 6, located on the other side 7 of the dielectric substrate 2. The centers of the first 4 and second 6 pop-resonators lie on the same straight, perpendicular plane of the dielectric substrate 2, and the angle between their longitudinal axes is 60-90, and the dielectric substrate 2 is offset from the axis of the segment 1 of the rectangular waveguide to one of the narrow walls 8.

Сверхвысокочастотный фильтр работает следующим образом.The microwave filter works as follows.

СВЧ-энерги электромагнитной волны основного типа колебани Н возбуждаетс в отрезке 1 пр моугольного волновода и взаимодействует электрической составл ющей пол с первым по- лосковым резонатором 4, а магнитной The microwave energy of an electromagnetic wave of the main type of oscillation H is excited in section 1 of a rectangular waveguide and interacts with the electric component of the field with the first band resonator 4, and the magnetic

составл ющей пол - с вторым полоско- ным резонатором 6, что обеспечивает высокую избирательность и увеличение затухани на резонансной частоте. Регулировка избирательности и уровн затухани обеспечиваетс смещением диэлектрической подложки. 2 к одной из узких стенок В волновода, а также положением второго полоскового резонатора 6 относительно первого полоскового резонатора 4 в пределах углов 60-90 .the component field is with the second band resonator 6, which provides high selectivity and increase in attenuation at the resonant frequency. Adjustment of the selectivity and attenuation level is provided by displacing the dielectric substrate. 2 to one of the narrow walls B of the waveguide, as well as the position of the second strip resonator 6 relative to the first strip resonator 4 within the angles of 60-90.

Claims

Invention Formula

A microwave filter containing a segment of a rectangular waveguide, inside of which an dielectric substrate is installed in the E-plane, on one side of which a first strip resonator is located, whose longitudinal axis is perpendicular to the wide wall of the rectangular waveguide section, and so that, in order to increase the selectivity and increase the attenuation at the resonant frequency, a second strip resonator is introduced located on the other side of the dielectric substrate, while the centers of the first and second th stripline resonators on a straight, perpendicular to the plane of the dielectric substrate, and the angle between their longitudinal axes is 60-90 °, and the dielectric substrate is offset from the axis of the segment of the rectangular waveguide to one of the narrow walls.

2