SU150495A1 - Способ получени полупроводниковых материалов - Google Patents
Способ получени полупроводниковых материаловInfo
- Publication number
- SU150495A1 SU150495A1 SU751103A SU751103A SU150495A1 SU 150495 A1 SU150495 A1 SU 150495A1 SU 751103 A SU751103 A SU 751103A SU 751103 A SU751103 A SU 751103A SU 150495 A1 SU150495 A1 SU 150495A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- semiconductor materials
- ampoule
- obtaining semiconductor
- crucible
- mixture
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Известен способ получени полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу, вакуумнровани н нагрева ампулы до температуры синтеза. Однако при этом происходит взаимодействие элементов с материалом ампулы, что снижает чистоту конечного продукта.
Предлагаемый способ отличаетс тем, что шихту помещают в несколько тиглей, например, из Корунда, графита, циркони , расположе.гных таким образом, чтобы дно одного тигл служило крышкой другого. Это позвол ет получать более чистый продукт и проводить синтез нескольких полупроводниковых материалов в одной ампуле.
При осуществлении способа готов т шихту, содержащую взаимодействующие с 1$варцем элементы. Шихту размещают в цилиндрические тигли. Нижн часть каждого тигл имеет внешний шлиф, а верхн часть - внутренний шлиф. ТиглИ устанавливают таким образом, что дно верхнего тигл служит крышкой нижнего. Батарею, СОСТОЯЩУЮ Hi трех-четырех тиглей с шихтоГ, помещают в кварцевую ампулу, после чего ампулу вакуумируют до разрежени , равного мм Р|. ст. Ампулу запаивают и нагревают до температуры синтеза. Шлиф тиглей пропускает газ при откачке ампулы, но практическ он непроницаем дл конденсирующихс паров и жидкости, так как капилл ры шлифа быстро забиваютс конденсатом.
При синтезировании из чистых компонентов сплавов системы Mg-Si-Sb и Mg-Sn-Sb с длительной выдержкой при высоких температурах с применением виброперемешивани , на внутренней поверхности ампулы заметного взаимодействи кварца с парами магни НС обнаруживаетс .
Способ может быть применен дл синтеза таких соединений, как фосфид инди и арсенид галли .
№ 150495- 2 Способ получени полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу, вакуумировани и нагрева ампулы до температуры синтеза, отличающийс тем, что, с целью получени более чистого продукта « получени нескольких полупроводниковых материалов в одной ампуле, шихту помещают в несколько тиглей, например, из коруида, графита, циркони , расположенных таким образом , чтобы дно одного тигл служило крышкой другого.
Предмет и, о б р е т € н и
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU751103A SU150495A1 (ru) | 1961-11-03 | 1961-11-03 | Способ получени полупроводниковых материалов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU751103A SU150495A1 (ru) | 1961-11-03 | 1961-11-03 | Способ получени полупроводниковых материалов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU150495A1 true SU150495A1 (ru) | 1961-11-30 |
Family
ID=48305426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU751103A SU150495A1 (ru) | 1961-11-03 | 1961-11-03 | Способ получени полупроводниковых материалов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU150495A1 (ru) |
-
1961
- 1961-11-03 SU SU751103A patent/SU150495A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Honig | Sublimation studies of silicon in the mass spectrometer | |
| ES345029A1 (es) | Un metodo de producir cristales de carburo de silicio. | |
| GB970635A (en) | Apparatus for growing whiskers | |
| SU150495A1 (ru) | Способ получени полупроводниковых материалов | |
| GB1018464A (en) | Process of and apparatus for calcining gypsum | |
| GB1461506A (en) | Photochemical reactor | |
| Smith et al. | The heats of sublimation of inorganic substances. Part 6.—Some halides of gallium and indium | |
| Wellington et al. | The Vapor Phase Decomposition of 2, 5-Dihydrofuran1 | |
| GB1032604A (en) | A process for use in the production of crystalline boron phosphide | |
| Bally et al. | Tris (methylidene)‐cyclopropane (“[3] Radialene”). Part 2. Electronic states of the molecular cation and revised UV.‐absorption spectrum of the parent neutral | |
| GB1045921A (en) | Improvements in or relating to the evaporation of silicon | |
| GB1071366A (en) | Improvements in and relating to vapour transport of semiconductor materials | |
| GB803989A (en) | Sublimation process and apparatus | |
| GB682203A (en) | Process for growing a single crystal of quartz | |
| GB995543A (en) | Method for producing semiconductor films on semiconductor substrates | |
| GB675933A (en) | Thermal reduction of titania and zirconia | |
| HATCH et al. | PREPARATION AND PHYSICAL PROPERTIES OF CERTAIN DI-N-ALKYL ZINC COMPOUNDS1, 2 | |
| Emeléus et al. | Preparation of bistrifluoromethyl selenide and diselenide | |
| Barfield | The Viscosity of Diethylamine-Water Mixtures | |
| Honig | On the heats of sublimation and evaporation of germanium | |
| US2725284A (en) | Apparatus for reacting dense chlorinating vapor with a solid | |
| US3690847A (en) | Method of producing highly pure,particularly silicon free gallium arsenide | |
| Jenkins et al. | The formation of 10, 10′(5 H, 5′ H)-spirobiphenophosphazinium chloride by the interaction of diphenylamine and phosphorus trichloride | |
| SU128020A1 (ru) | Способ получени триалкилсилоксититанхлоридов | |
| US2682451A (en) | Still |