SU1499475A1 - Magnetic-transistor gate - Google Patents
Magnetic-transistor gate Download PDFInfo
- Publication number
- SU1499475A1 SU1499475A1 SU884373422A SU4373422A SU1499475A1 SU 1499475 A1 SU1499475 A1 SU 1499475A1 SU 884373422 A SU884373422 A SU 884373422A SU 4373422 A SU4373422 A SU 4373422A SU 1499475 A1 SU1499475 A1 SU 1499475A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- winding
- transformer
- current transformer
- output
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может найти применение в системах регулировани и управлени . Цель изобретени - повышение КПД и уменьшение габаритов. Магнитно-транзисторный ключ содержит силовой транзистор 4, трансформатор 6 тока, согласующий трансформатор 12 и два ключа на транзисторах 8 и 9. Введение обмотки 16 трансформатора 6 тока, диода 10 и резистора 17 позвол ет исключить замагничивание сердечника трансформатора 6 тока в рабочем режиме. 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in control systems. The purpose of the invention is to increase efficiency and reduce size. The magnetically-transistor switch contains a power transistor 4, a current transformer 6, a matching transformer 12 and two switches on transistors 8 and 9. The introduction of a winding 16 of a current transformer 6, a diode 10 and a resistor 17 prevents the current transformer 6 from magnetizing in operation. 1 il.
Description
00
СОWITH
сд sd
3149931499
Изобретение относитс к импульсной технике и может найти применение в системах регулировани и управлени .The invention relates to a pulse technique and can be used in control systems.
Целью изобретени вл етс повышение КПД и уменьшение габаритов.The aim of the invention is to increase efficiency and reduce size.
На чертеже представлена принципиальна электрическа схема магнитно- транзисторного ключа.The drawing shows a circuit diagram of a magneto-transistor switch.
Магнитно-транзисторный ключ содер- жит шины 1 и 2 источника питани , которые через .нагрузку 3 и силовой транзистор 4 подсоединены к первичной обмотке 5 трансформатора 6 тока, вторична обмотка 7 которого одним выво- дом соединена с эмиттерами транзисторов 8 и 9 и общей шиной вспомогательного источника питани (+Е), а вторым через первый диод 10 - со-средним выводом первичной обмотки 11 согла- сующего трансформатора 12 и через первый резистор 13 и диод 14 - к шине вспомогательного источника питани (+Е). Вторична обмотка трансформатора 12 подключена к базо-эмиттерному переходу силового транзистора 4. База транзистора 8 соединена с источником управл ющего напр жени (U пр) входной управл ющей шины, а база транзистора 9 через ограничивающий второй резистор 15 - к коллектору транзистора 8. Обмотка 16 трансформатора 6 тока одним выводом подключена к коллектору транзистора 9, а вторым через третий резистор 17 - к шине вспомогательного источника питани (+Е).The magnetically-transistor switch contains the power supply buses 1 and 2, which through the load 3 and the power transistor 4 are connected to the primary winding 5 of the current transformer 6, the secondary winding 7 of which is connected to the emitters of the transistors 8 and 9 and the common bus an auxiliary power source (+ E), and the second through the first diode 10 - with the average output of the primary winding 11 of the matching transformer 12 and through the first resistor 13 and diode 14 - to the bus of the auxiliary power source (+ E). The secondary winding of the transformer 12 is connected to the base-emitter junction of the power transistor 4. The base of the transistor 8 is connected to the control voltage source (U CR) of the input control bus, and the base of the transistor 9 is connected via the limiting second resistor 15 to the collector of the transistor 8. Winding 16 transformer 6 current one output connected to the collector of the transistor 9, and the second through the third resistor 17 - to the bus auxiliary power source (+ E).
Магнитно-транзисторный ключ работает следующим образом.Magnetic transistor key works as follows.
При наличии на входе транзистора 9 управл ющего напр жени U упр например , в виде сигнала логической 1 транзистор 9 открываетс , через него протекает ток намагничивани трансформатора 12 по цепи: потенциальна шина источника питани +Е, резистор 13, первый диод 14, обмотка 11 трансформатора 12, транзистор 9, обща шина и ток намагничивани трансформатора 6 тока по цепи: потенциальна шина источника питани +Е, резистор 17, . обмотка 16 трансформатора 6, транзистор 9, обща шина. Транзистор В при этом закрыт, на базе силового транзистора 4 наводитс отрицательное напр жение , которое удерживает его в запертом состо нии.When control voltage Ucr is present at the input of transistor 9, for example, in the form of a logical 1 signal, transistor 9 opens, through it magnetizing current of transformer 12 passes through the circuit: potential power supply bus + E, resistor 13, first diode 14, transformer winding 11 12, the transistor 9, the common bus and the magnetizing current of the current transformer 6 along the circuit: a potential bus of the power source + E, a resistor 17,. winding 16 of the transformer 6, the transistor 9, the common bus. The transistor B is then closed, and a negative voltage is applied at the base of the power transistor 4, which keeps it in the locked state.
Сн тие управл ющего напр жени с входа транзистора 9, например по влеThe removal of the control voltage from the input of the transistor 9, for example, on the left
ю 5 0 5 О u 5 0 5 About
.л 5 .l 5
5five
5five
ние сигнала логического О, приводит к его запиранию, чем обеспечиваетс открытое состо ние транзистора 8. Энерги , накопленна в индуктивности обмотки 11 трансформатора 12 в процессе протекани тока намагничивани , при запирании транзистора 9 трансформируетс во вторичную обмотку и наво-; дит на базе силового транзистора 4 положительное напр жение, которым тот открываетс . При этом через транзистор начинает протекать ток, который через обмотку 5 трансформатора 6 наводит на вторичной обмотке 7 напр жение , через диод 10 поступающее на средний вывод обмотки .11 трансформа-: тора 12 и поддерживаклцее положительный потенциал на базе транзистора 4 в течение времени открытого состо ни транзистора 8.the signal of the logical O leads to its locking, which ensures the open state of the transistor 8. The energy accumulated in the inductance of the winding 11 of the transformer 12 during the flow of magnetizing current, when the transistor 9 is locked, is transformed into the secondary winding and navo-; It is driven at the base of the power transistor 4 by a positive voltage with which it is opened. At the same time, a current begins to flow through the transistor, which through the winding 5 of the transformer 6 induces a voltage on the secondary winding 7, through the diode 10 arriving at the middle winding pin .11 of the transformer: torus 12 and maintaining a positive potential at the base of transistor 4 during the open state nor transistor 8.
Коэффициент трансформации трансформатора 6 при этом выбираетс таким образом, чтобы напр жение на обмотке 7 превышало напр жение вспомогательного источника питани (+Е). Диод 14 при этом заперт, ток от источника питани (+Е) по этой цепи не потребл етс . Очередное по вление сигнаша логической 1 на входе транзистора 9 приводит к его открытию и запиранию транзистора 8. Пол рность напр жени на вторичной обмотке трансформатора 12 при этом мен етс на противоположную , что вызывает по вление на базе трансформатора 4 отрицательного потенциала .The transformation ratio of the transformer 6 is selected in such a way that the voltage on the winding 7 exceeds the voltage of the auxiliary power source (+ E). The diode 14 is then locked, the current from the power source (+ E) in this circuit is not consumed. The next occurrence of the signal logic 1 at the input of transistor 9 leads to its opening and locking of transistor 8. The polarity of the voltage on the secondary winding of transformer 12 is reversed, which causes the appearance of negative potential on the basis of transformer 4.
Происходит форсированное запирание транзистора 4, при этом величина тока рассасывани носителей в базе пропорциональна коллекторному току транзистора . После рассасывани носителей транзистор 4 запираетс , напр жение на обмотке 7 трансформатора 6 тока становитс равным нулю, а отрицательное напр жение в дальнейшем поддерживаетс на базе силового транзистора 4 за счет протекани тока по обмотке 11 трансформатора 12 от вспомогательного источника питани «Е. Диод 10 при этом предохран ет намагничивание сердечника трансформатора 6 тока напр жением на среднем выводе обмотки 11 трансформатора 12. Дальнейша работа устройства происходит аналогично.The forced locking of the transistor 4 occurs, and the amount of carrier resorption in the base is proportional to the collector current of the transistor. After the resorption of the carriers, the transistor 4 is locked, the voltage on the winding 7 of the current transformer 6 becomes zero, and the negative voltage is further maintained on the base of the power transistor 4 due to the current flowing through the winding 11 of the transformer 12 from the auxiliary power source E. The diode 10 at the same time prevents the magnetization of the core of the current transformer 6 by the voltage on the middle lead of the winding 11 of the transformer 12. Further operation of the device is similar.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884373422A SU1499475A1 (en) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | Magnetic-transistor gate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884373422A SU1499475A1 (en) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | Magnetic-transistor gate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1499475A1 true SU1499475A1 (en) | 1989-08-07 |
Family
ID=21353621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884373422A SU1499475A1 (en) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | Magnetic-transistor gate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1499475A1 (en) |
-
1988
- 1988-02-01 SU SU884373422A patent/SU1499475A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Электронна техника в автоматике. /Под ред. Ю.И.Конева. - М.: Радио и св зь, 1985, вып. 16, с. 91. Авторское свидетельство СССР № 1241453, кл. Н 03 К 17/60, 1984. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4276486A (en) | Two terminal power control switch with triac current powered control means | |
SU1499475A1 (en) | Magnetic-transistor gate | |
US3872327A (en) | Drive circuit for pulse width modulated D.C. - D.C. convertors | |
SU1182659A1 (en) | Semiconductor switch | |
SU1267556A2 (en) | Transistor converter | |
SU1050072A1 (en) | Transistor inverter | |
SU1195444A1 (en) | Current selector switch | |
GB883890A (en) | Improvements in magnetic core circuits | |
SU1415359A2 (en) | Device for controlling power transistor gate | |
SU1417134A1 (en) | Single-ended d.c. voltage converter | |
SU1241453A1 (en) | Magnetic-transistor switch | |
SU1001049A1 (en) | Dc voltage pulse stabilizer | |
RU2013860C1 (en) | Magnetic-transistor switch | |
SU1444934A1 (en) | Magnetic transistorized gate | |
SU853758A1 (en) | Two-cycle transistorized inverter | |
SU671008A1 (en) | Device for control of power transistorized switch | |
SU1188873A1 (en) | Method of power transistor switch control | |
SU1164835A1 (en) | Two-step d.c.voltage-to-d.c.voltage converter | |
SU1370776A1 (en) | High-voltage logical gate | |
SU1529384A1 (en) | Dc-to-dc converter | |
SU1398083A1 (en) | Magnetotransistor gate | |
RU1786652C (en) | Transistor key | |
SU1734178A1 (en) | Transformer of dc voltage into ac voltage | |
RU2043694C1 (en) | Single-ended inverter | |
SU974521A1 (en) | Power transistorized swith control device |