SU1485114A1 - Adjusting specimen for electropotential flaw detection - Google Patents
Adjusting specimen for electropotential flaw detection Download PDFInfo
- Publication number
- SU1485114A1 SU1485114A1 SU874289693A SU4289693A SU1485114A1 SU 1485114 A1 SU1485114 A1 SU 1485114A1 SU 874289693 A SU874289693 A SU 874289693A SU 4289693 A SU4289693 A SU 4289693A SU 1485114 A1 SU1485114 A1 SU 1485114A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electropotential
- sample
- flaw detection
- defect
- normal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использовано для градуировки и настройки средств электропотенциальной дефектоскопии. Цель изобретения имитация подповерхностных дефектовThe invention relates to non-destructive testing and can be used for graduation and adjustment of means of electrical potential flaw detection. The purpose of the invention imitation of subsurface defects
и уменьшение габаритов. Она достигается путем использования симметрии электрического поля, создаваемого электропотенциальным преобразователем в зоне контроля. Настроечный об2and downsizing. It is achieved by using the symmetry of the electric field created by an electropotential transducer in the control zone. Tuning ob2
разец состоит из электропроводящей пластины 1 с боковыми гранями, нормальными к рабочей поверхности образца. Со стороны одной из боковых поверхностей пластины 1 по нормали к ней выполнена полость 2 на половину длины 1 имитируемого дефекта. Длина Ь следа полости 2 на боковой поверхности пластины 1 соответствует * глубине имитируемого дефекта, а расстояние от .рабочей поверхности пластины до полости 2 - глубине залегания имитируемого дефекта. Для работы настроечным образцом токопроводящие электроды 3,4 и потенциальные Электроды 5,6 электропотенциального преобразователя приводятся в контакт с соответствующей гранью настроечного образца. Образец имеет при прочих равных условиях вдвое меньшие габариты и позволяет имитировать воздействие подповерхностны^ дефектов. Это* обеспечивает возможность градуировки электропотенциальных дефектоскопов применительно к подповерхностным дефектам. 1 ил.The sample consists of an electrically conductive plate 1 with side faces normal to the working surface of the sample. On the side of one of the side surfaces of the plate 1 along its normal, a cavity 2 is made half of the length 1 of the simulated defect. The length b of the trace of cavity 2 on the side surface of plate 1 corresponds to * the depth of the simulated defect, and the distance from the working surface of the plate to cavity 2 corresponds to the depth of the simulated defect. For operation with a tuning sample, conductive electrodes 3,4 and potential Electrodes 5,6 of an electric-potential converter are brought into contact with the corresponding face of the tuning sample. All other conditions being equal, the sample has half the size and allows simulating the effect of subsurface ^ defects. This * provides the possibility of calibration of electric potential flaw detectors in relation to subsurface defects. 1 il.
и_§и_ „,,1485114 А1 and _§i_ „,, 1485114 A1
1one
33
4four
'148511'148511
Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использовано для градуировки ц настройки средств электропотенциальной де- $ фектоскопии.The invention relates to non-destructive testing and can be used for the calibration and adjustment of the means of electropotential defectoscopy.
Цель изобретения - имитация подповерхностных дефектов и уменьшение ! габаритов,The purpose of the invention is to imitate subsurface defects and reduce ! dimensions,
На чертеже представлен предлагавмый образец.The drawing shows the proposed sample.
Настроечный образец для электропотенциальной дефектоскопии состоит из электропроводящей пластины 1 с боковыми гранями, нормальными к 15 рабочей поверхности образца. Со стороны одной из боковых поверхностей пластины по нормали к ней выполнена полость 2 вглубь пластины 1 на половину длины 1 имитируемого дефекта. 20 Длина Н следа полости 2 на боковой поверхности пластины 1 соответствует глубине имитируемого дефек'та, а расстояние сГ от рабочей поверхности пластины до полости 2 - глубине за- 25 легания имитируемого дефекта. ίA tuning sample for electropotential flaw detection consists of an electrically conductive plate 1 with lateral faces normal to 15 of the working surface of the sample. On the side of one of the side surfaces of the plate, a cavity 2 is made normal to the depth of the plate 1 by half of the length 1 of the simulated defect. 20 The length H of the trace of cavity 2 on the side surface of plate 1 corresponds to the depth of the simulated defect, and the distance cG from the working surface of the plate to cavity 2 corresponds to the depth of the simulated defect. ί
Настройка электропотенциального дефектоскопа с помощью предлагаемого образца осуществляется следующим образом. 30Setting electropotential flaw detector using the proposed sample is as follows. thirty
Токоподводящие 3 и 4 и потенциальные 5 и 6 электроды электропотенциального преобразователя приводятся в электрический контакт с гранью настроечного образца, образованной пересечением рабочей и боковой поверхностей. При этом измеряемое дефектоскопом напряжение и при заданном токе I через токовые электроприводы будет в 2 раза больше напряжения, дд возникающего1 на выходе электропотенциального преобразователя под действием имитируемого дефекта. Одновременно в 2 раза возрастает напряжение υσ, измеряемое на бездефектном участке образца. Напряжение Цо можно получить, устанавливая преобразователь, например, на противоположной грани образца.The current-carrying 3 and 4 and potential 5 and 6 electrodes of an electropotential transducer are brought into electrical contact with the edge of the tuning sample formed by the intersection of the working and side surfaces. In this case, the voltage measured by the flaw detector and at a given current I through current electric drives will be 2 times the voltage, dd arising 1 at the output of the electric-potential converter under the action of a simulated defect. At the same time, the voltage υ σ , measured on the defect-free area of the sample, increases by 2 times. The voltage Q o can be obtained by setting the transducer, for example, on the opposite side of the sample.
В электропотенциальных дефектоскопах с целью исключения влияния удельной электрической лроводимос4In electric potential flaw detectors in order to eliminate the influence of specific electric conductor4
ти <э измеренное на дефектном участке напряжение и нормируется по Напряжению и0, Это достигается, например, путем обеспечения условия Цо ti <e measured at the defective portion of the voltage and voltage normalized and 0 This is achieved, e.g., by ensuring the conditions of C
= сопзб за счет регулировки тока I перед измерением. Следовательно, с учетом предварительной регулировки дефектоскопа на бездефектном участке величина и, измеренная на настроечнрм образце, в точности соответствует напряжению, возникающему под действием имитируемого дефекта. Покажем теперь, что напряжения и и ϋο при заданном токе I действительно в 2 .раза превышают напряжения и' и , возникающие при измерениях на объекте с имитируемым дефектом. Соотношение ио= 2М° непосредственно следует из того, что электрическое сопротивление между потенциальными электродами в результате исключения половины электропроводящей среды возрастает в 2 раза. Для обоснования соотношения и » 2ϋ' уточним условия, при которых измеряется величина и* . Перед измерением .и1 электропотенциальный преобразователь устанавливают симметрично относительно дефекта. При этом сигнал. с выхода преобразователя имеет локальный экстремум и одинаково изменяется при симметричных смещениях преобразователя относительно дефекта.= const due to adjustment of current I before measurement. Therefore, taking into account the preliminary adjustment of the flaw detector on the defect-free area, the magnitude and, measured on the tuning sample, exactly corresponds to the voltage arising from the effect of the simulated defect. We now show that the voltages and and ϋ ο for a given current I really exceed 2 times the voltage and 'and that occur when measuring an object with a simulated defect. The ratio and o = 2M ° follows directly from the fact that the electrical resistance between the potential electrodes, as a result of eliminating half of the electrically conductive medium, increases by 2 times. To substantiate the ratio and "2", we shall clarify the conditions under which the quantity and * are measured. Before measuring .and 1 electropotential transducer set symmetrically with respect to the defect. With this signal. from the output of the converter has a local extremum and equally changes with symmetric displacement of the converter relative to the defect.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874289693A SU1485114A1 (en) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | Adjusting specimen for electropotential flaw detection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874289693A SU1485114A1 (en) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | Adjusting specimen for electropotential flaw detection |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1485114A1 true SU1485114A1 (en) | 1989-06-07 |
Family
ID=21321538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874289693A SU1485114A1 (en) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | Adjusting specimen for electropotential flaw detection |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1485114A1 (en) |
-
1987
- 1987-07-27 SU SU874289693A patent/SU1485114A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4861453A (en) | Corrosion detecting probe for steel buried in concrete | |
DE3675900D1 (en) | DETECTION OF TEST STRIPS. | |
CA2081221A1 (en) | Method of detecting insulation faults and spark tester for implementing the method | |
US2986928A (en) | Apparatus for the measurement of crack propagation in test panels and the like | |
SU1485114A1 (en) | Adjusting specimen for electropotential flaw detection | |
RU2584726C1 (en) | Method of measuring parameters of cracks in non-magnetic electroconductive objects | |
GB1481273A (en) | Electrophoretic analysis of ions or like electrically charged particles | |
GB2290617A (en) | Water quality measuring apparatus | |
RU187120U1 (en) | A device for detecting local defects in a conductive coating based on capacitance measurements using an induction electrode | |
US3947329A (en) | Method of measuring accelerated corrosion rate | |
JP3246679B2 (en) | Insulation characteristics measurement device | |
SU1154447A1 (en) | Deep-well level gauge | |
SU1474452A1 (en) | Method and device for testing surface of electroconductive article | |
SU1500821A2 (en) | Apparatus for measuring section area of a borehole | |
SU1260753A1 (en) | Device for determining surface tension and viscous-elastic parameters of liquid | |
SU1442898A1 (en) | Method of measuring angle of slope of surface cracks | |
SU976507A1 (en) | Method of non-destructive testing of bulk charge in dielectric materials | |
SU1357780A1 (en) | Method of determining length of fatigue crack | |
KR950033562A (en) | How to determine contact characteristics and line integrity in thin film transistor / liquid crystal display (TFT / LCD) array inspectors | |
SU1467489A1 (en) | Method of testing devices of nondestructive check | |
SU1553882A1 (en) | Method of determining the threshold of ray strength of dielectric materials | |
SU1571227A1 (en) | Depth indicator | |
SU1111120A1 (en) | Geoelectric prospecting method | |
SU894550A1 (en) | Method of electromagnetic checking with gap effect suppression | |
SU1287078A1 (en) | Method of predicting landslide creation process |