SU1483442A1 - Precision low-voltage integrated stabilivolt - Google Patents
Precision low-voltage integrated stabilivolt Download PDFInfo
- Publication number
- SU1483442A1 SU1483442A1 SU874330487A SU4330487A SU1483442A1 SU 1483442 A1 SU1483442 A1 SU 1483442A1 SU 874330487 A SU874330487 A SU 874330487A SU 4330487 A SU4330487 A SU 4330487A SU 1483442 A1 SU1483442 A1 SU 1483442A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- cathode
- diode
- transistors
- collector
- bus
- Prior art date
Links
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электронной технике. Цель изобретени - повышение температурной стабильности. Введение в устр-во, содержащее регулирующий транзистор, масштабирующую цепь и опорную чейку, корректирующего резистора и компенсирующего элемента позвол ет обеспечить независимость от температуры стабилизируемого напр жени . 1 ил.The invention relates to electronic engineering. The purpose of the invention is to increase the temperature stability. Introduction to a device containing a control transistor, a scaling circuit and a reference cell, a correction resistor and a compensating element allows to ensure independence from the temperature of the voltage to be stabilized. 1 il.
Description
Изобретение относитс к электрон- (ной технике и может быть использова- но при создании прецизионных интегральных стабилитронов с малой зависимостью величины напр жени стабили- зации от температуры.The invention relates to an electronic (technical) technique and can be used to create precision integral zener diodes with a small dependence of the stabilization voltage on temperature.
Цель изобретени - повышение температурной стабильности стабилитрона.The purpose of the invention is to increase the temperature stability of the zener diode.
На чертеже представлена принципиальна схема прецизионного низковольтного интегрального стабилитрона.The drawing shows a schematic diagram of a precision low-voltage integral Zener diode.
Стабилитрон содержит регулирующий транзистор 1, крллекторно-эмиттерной цепью включенный между катодной к анодной шинами и базой соединенный с выходом операционного усилител 2, масштабирующую цепь, состо щую из последовательно соединенных диода 3, резисторов 4-6, диода 7 и корректирующего резистора 8 и включенную между катодной и анодной шинами опорную чейку, состо щую из транзисторов 9 и 10, коллекторы которых подключеныThe zener diode contains a regulating transistor 1, connected to the output of operational amplifier 2 between the cathode to the anode bus and the base, a scaling circuit consisting of a series-connected diode 3, resistors 4-6, a diode 7 and a correcting resistor 8 and connected between cathode and anode busbars a reference cell consisting of transistors 9 and 10, whose collectors are connected
к кеинвертирующему и инвертирующему входам усилител 2, источника 11 тока с линейно-пропорциональной зависи- остью от температуры выходного тока, включенного между точкой соединени эмиттеров транзисторов 9 и 10 и анодной шиной, и двух резисторов 12 , и 13, включенных между точкой соединени катода диода 3 с резистором 4 и коллекторами транзисторов 9 и 10, компенсирующий элемент, состо щий из последовательно соединенных диодов 14 и 15, источника 16 тока, включенного между катодом диода 15 и анодной шиной , трех транзисторов 17 - 19 и двух резисторов 20 и 21, причем эмиттерно- коллекторна цепь транзистора 19 включена между катодной шиной и катодом диода 7 масштабирующей цепи, база транзистора 19 непосредственно подключена к точке соединени коллектора транзистора 17 с эмиттером транзистора 18 и через резистор 20 к катоднойto the key inverting and inverting inputs of amplifier 2, a current source 11 with a linearly proportional dependence on the temperature of the output current connected between the emitter connection point of transistors 9 and 10 and the anode bus, and two resistors 12 and 13 connected between the diode cathode connection point 3 with a resistor 4 and collectors of transistors 9 and 10, a compensating element consisting of series-connected diodes 14 and 15, a current source 16 connected between the cathode of the diode 15 and the anode bus, three transistors 17-19 and two resistors 20 and 21, the emitter-collector circuit of the transistor 19 is connected between the cathode bus and the cathode of the scaling circuit diode 7, the base of the transistor 19 is directly connected to the collector junction point of the transistor 17 with the emitter of the transistor 18 and through the resistor 20 to the cathode one
(Л(L
шине, эмиттер транзистора 17 через резистор 21 подключен к катодной шине , а база подсоединена к точке соединени диодов 14 и 15, коллектор транзистора 18 подключен к коллектору транзистора 19, а база подсоединена к катоду диода 15. Тип проводимости транзисторов компенсирующего элемента противоположен типу проводимости транзисторов опорной чейки и регулирующего транзистора 1.bus, the emitter of transistor 17 through a resistor 21 is connected to the cathode bus, and the base is connected to the connection point of diodes 14 and 15, the collector of transistor 18 is connected to the collector of transistor 19, and the base is connected to the cathode of diode 15. The conductivity type of the transistors of the compensating element is opposite to the type of transistors reference cell and control transistor 1.
Устройство работает таким образом, что обеспечиваетс квадратична температурна зависимость эмиттеркого тока Ij транзистора 19, а именноThe device operates in such a way that a quadratic temperature dependence of the emitter current Ij of the transistor 19 is provided, namely
ист-иЭБ,9 ист-иА,(И8 ,East-EB, 9 East-A, (I8,
где Ucr - напр жение стабилизации; U. .л U. ,ч - напр жение на диодах 14 и 15;where Ucr is the stabilization voltage; U.l. U., h - voltage on diodes 14 and 15;
U,.i.. U, .i ..
U,614 - напр жение эмиттер-базаU, 614 - emitter-base voltage
транзисторов 18 и 19, причем ) иА +иА Ги 6 в transistors 18 and 19, moreover) andA + andA Gui 6 in
к.Т1 1э В св зи с тем, что иэ6 --in-- y /где 10 - ток насыщени ) , K.T1 1e Due to the fact that ie6 --in-- y / where 10 is the saturation current),
Т fT f
А... ц данном случае 1,,,And ... in this case 1 ,,,
-Э16-E16
МИMi
л L - А Т (где А - коэффициент пропорциональности; Т - абсолютна тем- пература).l L - A T (where A is the proportionality factor; T is the absolute temperature).
Требуетс обеспечить независимость от температуры тока I-jte- Исли это условие выполн етс , то 2 (где В - коэффициент пропорциональ- ности).It is necessary to ensure temperature independence of the current I-jte-If this condition is fulfilled, then 2 (where B is the coefficient of proportionality).
+I R-zo + I R-zo
UT 1 n Il44.UT 1 n Il44.
при этом brr-q- K--ln|A--, т.е. 1,„while brr-q-K - ln | A--, i.e. one,"
возрастает с ростом температуры, Iд increases with increasing temperature, Id
КTO
чоwhat
-, т.е. падает с ростом температуры .- i.e. decreases with increasing temperature.
При надлежащем подборе сопротив- . лений резисторов 20,21 К2о и R2i сумма IR.JO и 1эп не измен етс с температурой. Зто требование обеспечиваетс при условииWith proper selection of resistance. In the case of resistors 20.21 K2o and R2i, the sum of IR.JO and 1ep does not change with temperature. This requirement is provided subject to
«,. “,.
где Е. - экстраполированное к О Кwhere E. is extrapolated to О К
значение ширины запрещенно forbidden width
зоны кремни (-«1,28); Ј - коэффициент, завис щий от технологии изготовлени приборов ().zones of silicon (- "1.28); Ј is the coefficient depending on the instrument manufacturing technology ().
В этом случае падение напр жени на сопротивлении резистора 8 R8 квадратично растет с ростом температуры. В результате компенсируетс нелинейность температурного изменени напр жени двух пр мосмещекных диодов 3 и 7 противоположной по знаку нелинейностью .In this case, the voltage drop across the resistance of the resistor 8 R8 quadratically increases with increasing temperature. As a result, the non-linearity of the temperature variation of the voltage of the two forward-displacement diodes 3 and 7 of the opposite non-linearity is compensated.
По сравнению с прототипом предлагаемое техническое решение обеспечивает уменьшение температурного изменени напр жени стабилизации на 30%.Compared with the prototype, the proposed solution provides a reduction in the temperature variation of the stabilization voltage by 30%.
Ка основании прецизионного низковольтного интегрального стабилитрона может быть создано новое поколение прецизионного измерительного оборудовани более высокого класса точности.Based on the precision low-voltage integral Zener diode, a new generation of precision measuring equipment of a higher accuracy class can be created.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874330487A SU1483442A1 (en) | 1987-11-23 | 1987-11-23 | Precision low-voltage integrated stabilivolt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874330487A SU1483442A1 (en) | 1987-11-23 | 1987-11-23 | Precision low-voltage integrated stabilivolt |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1483442A1 true SU1483442A1 (en) | 1989-05-30 |
Family
ID=21337181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874330487A SU1483442A1 (en) | 1987-11-23 | 1987-11-23 | Precision low-voltage integrated stabilivolt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1483442A1 (en) |
-
1987
- 1987-11-23 SU SU874330487A patent/SU1483442A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Горыков Б.К. Радиоэлектронные устройства. - М.: Радио и св зь, 1984, с. 358, рис. 16.5, с. 363, рис. 16.7. Dobkin К. С. 1C Voltage References. - Electronic products magazine, May 1978, p. 89-94. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0072589B1 (en) | Current stabilizing arrangement | |
WO1983002342A1 (en) | Precision current source | |
JPH0648449B2 (en) | High precision bandgear voltage reference circuit | |
JPH0570326B2 (en) | ||
JPS6144360B2 (en) | ||
EP0640904A2 (en) | Curvature correction circuit for a voltage reference | |
EP0620514A2 (en) | Temperature-compensated voltage regulator | |
US5341087A (en) | Reference current loop | |
US6380723B1 (en) | Method and system for generating a low voltage reference | |
RU2461048C1 (en) | Reference voltage source | |
SU1483442A1 (en) | Precision low-voltage integrated stabilivolt | |
JPS60229125A (en) | Voltage output circuit | |
US5867056A (en) | Voltage reference support circuit | |
EP3926437A1 (en) | A high accuracy zener based voltage reference circuit | |
US4571536A (en) | Semiconductor voltage supply circuit having constant output voltage characteristic | |
US4370608A (en) | Integrable conversion circuit for converting input voltage to output current or voltage | |
JPH0760352B2 (en) | Temperature-compensated current source and voltage regulator using the same | |
RU2006063C1 (en) | Source of standard low voltage | |
CN217606302U (en) | Voltage bias circuit | |
SU1631527A1 (en) | Reference voltage source | |
KR100228354B1 (en) | Reference voltage generator | |
SU890381A1 (en) | Dc stabilizer | |
US6356066B1 (en) | Voltage reference source | |
SU1573453A1 (en) | Integral double-pole current stabilizer | |
SU989486A1 (en) | Measuring device |