SU1458733A1 - Method of adjusting a strain-gauge resistor transducer - Google Patents

Method of adjusting a strain-gauge resistor transducer Download PDF

Info

Publication number
SU1458733A1
SU1458733A1 SU874283133A SU4283133A SU1458733A1 SU 1458733 A1 SU1458733 A1 SU 1458733A1 SU 874283133 A SU874283133 A SU 874283133A SU 4283133 A SU4283133 A SU 4283133A SU 1458733 A1 SU1458733 A1 SU 1458733A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
strain
membrane
error
sensor
adjusting
Prior art date
Application number
SU874283133A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Anatolij I Zhuchkov
Vladimir A Tikhonenkov
Viktor A Zinovev
Original Assignee
Zhuchkov Anatolij
Vladimir A Tikhonenkov
Viktor A Zinovev
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhuchkov Anatolij, Vladimir A Tikhonenkov, Viktor A Zinovev filed Critical Zhuchkov Anatolij
Priority to SU874283133A priority Critical patent/SU1458733A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1458733A1 publication Critical patent/SU1458733A1/en

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Measurement Of Force In General (AREA)

Description

<p>Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при настройке тензорезисторных датчиков давления, изготовленных по металлопленочной и полупроводниковой</p></li></ul> <p>1</p> <p>Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при настройке тензорезисторных датчиков давления, изготовленных по металлопленочной и полупроводниковой технологии.</p> <p>Цель изобретения - увеличение точности датчика за счет уменьшения температурной погрешности.</p> <p>На фиг. 1 изображен тензорезисторный датчик давления, при помощи которого осуществляют предлагаемый способ; на фиг. 2 - изменение выходного сигнала от термоудара после настройки.</p> <p>Тензорезисторный датчик давления содержит упругий элемент 1, вакуумированный корпус 2 и мембрану 3, на которой расположена тензорезистивная мостовая схема из тензорезисторов 4 и 5, работающих в области деформаций сжатия </p> <p>технологии. Целью изобретения является увеличение точности датчика за счет уменьшения температурной погрешности при воздействии нестационарной температуры. Сущность способа заключается в том, что на датчик с упругим элементом в форме стакана, дном которого является мембрана, воздействуют нестационарной температурой, опреде-. ляют при этом погрешность выходной характеристики, а затем в случае положительной погрешности путем механической обработки уменьшают толщину стенки цилиндра упругого а в случае отрицательной толщину мембраны. 2 ил.</p> <p>элемента, погрешностие</p> <p>2</p> <p>I *</p> <p>от измеряемого параметра (расположены в центре мембраны), и тензорезисторов 6 и 7, работающих в области деформаций растяжения от измеряемого параметра (расположены на периферии мембраны).</p> <p>Способ осуществляют следующим образом.</p> <p>Подключают на вход измерительного моста датчика источник питания, а на выход подключают регистрирующую аппаратуру. Калибруют выходной сигнал датчика. Осуществляют тепловое воздействие средой, например жидким азотом, на мембрану датчика с одновременной записью начального выходного сигнала на регистрирующую аппаратуру. Определяют по изменению начального выходного сигнала максимальную температурную погрешность от термоудара. В зависимости от величины и знака</p> <p>81Ι о» 1458733</p> <p>4</p> <p><sup>3</sup> 1458733</p> <p>этой погрешности методом механической, обработки делают проточку по всей! длине цилиндрической части упругого элемента, уменьшая толщину для компенсации положительной температурной погрешности или толщину мембраны для компенсации отрицательной погрешности. Преимуществом предлагаемого способа является то, что температурную погрешность при быстроизменяющемся тепловом режиме можно снизить до величины менее 1%, в результате чего можно получить достоверную информацию измерения непосредственно после воздействия давления, сопровождающего тепловым ударом на мембрану датчика. </p><p> The invention relates to a measurement technique and can be used when setting up strain-gauge pressure sensors made on metal-film and semiconductor </ p> </ li> </ ul> <p> 1 </ p> <p> The invention relates to a measuring technique and can be used when setting up strain-gauge pressure sensors manufactured by metal-film and semiconductor technology. </ p> <p> The purpose of the invention is to increase the accuracy of the sensor by reducing the temperature error. </ p> <p> In FIG. 1 shows a strain gauge pressure sensor, with which the proposed method is carried out; in fig. 2 - change the output signal from the thermal shock after tuning. </ P> <p> A strain gauge pressure sensor contains an elastic element 1, an evacuated body 2 and a membrane 3 on which a strain gauge bridge circuit is located consisting of strain gauges 4 and 5 operating in the area of compression deformations </ p> <p> technology. The aim of the invention is to increase the accuracy of the sensor by reducing the temperature error when exposed to non-stationary temperature. The essence of the method lies in the fact that the sensor with an elastic element in the form of a glass, the bottom of which is a membrane, is affected by a non-stationary temperature, defined by In this case, the error of the output characteristic is achieved, and then, in the case of a positive error, the thickness of the cylinder wall of the elastic is reduced by mechanical treatment, and in the case of a negative thickness of the membrane. 2 il. </ P> <p> item error </ p> <p> 2 </ p> <p> I * </ p> <p> from the measured parameter (located in the center of the membrane), and strain gages 6 and 7, working in the area of tensile deformations from the measured parameter (located on the periphery of the membrane). </ p> <p> The method is as follows. </ p> <p> A power supply is connected to the input of the measuring bridge of the sensor, and the recording equipment is connected to the output. Calibrate the sensor output. Thermal exposure is performed by a medium, for example, liquid nitrogen, on the sensor membrane while simultaneously recording the initial output signal on the recording equipment. Determined by the change in the initial output signal, the maximum temperature error from thermal shock. Depending on the size and sign </ p> <p> 81Ι o "1458733 </ p> <p> 4 </ p> <p> <sup> 3 </ sup> 1458733 </ p> <p> this error by the method of mechanical processing do the groove throughout! the length of the cylindrical part of the elastic element, reducing the thickness to compensate for the positive temperature error or the thickness of the membrane to compensate for the negative error. The advantage of the proposed method is that the temperature error in a rapidly changing thermal mode can be reduced to less than 1%, with the result that you can get reliable measurement information directly after exposure to pressure accompanying thermal shock on the sensor membrane. </ p>

Claims (1)

Формула изобрете ни я Способ настройки тензорезисторного датчика давления, имеющий упругийThe formula of the invention. The method of setting up a strain gauge pressure sensor having an elastic 10ten 1515 элемент цилиндрической формы в виде стакана, дно которого является мембраной, включающий снятие выходной характеристики, отличающийс я тем, что, с целью увеличения точности датчика.за счет уменьшения температурной погрешности, дополнительно воздействуют на датчик нестационарной температурой, определяют при этом температурную погрешность выходной характеристики, а затем в случае положительной погрешности путем механической обработки уменьшают толщину стенки цилиндра упругого элемента, а в случае отрицательной температурной погрешности - толщину мембраны· до получения.заданной допустимой величины температурной погрешности.an element of cylindrical shape in the form of a glass, the bottom of which is a membrane, which includes the removal of the output characteristic, characterized in that, in order to increase the accuracy of the sensor. and then, in the case of a positive error, the thickness of the cylinder wall of the elastic element is reduced by mechanical treatment, and in the case of a negative temperature error spine - membrane thickness · to obtain the specified permissible value of temperature error. ‘20'20 ΠιΠΠιΠ К \ \ \ \To \\ \\ О.СлюсаревO.Slyusarev
SU874283133A 1987-07-13 1987-07-13 Method of adjusting a strain-gauge resistor transducer SU1458733A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874283133A SU1458733A1 (en) 1987-07-13 1987-07-13 Method of adjusting a strain-gauge resistor transducer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874283133A SU1458733A1 (en) 1987-07-13 1987-07-13 Method of adjusting a strain-gauge resistor transducer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1458733A1 true SU1458733A1 (en) 1989-02-15

Family

ID=21319008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874283133A SU1458733A1 (en) 1987-07-13 1987-07-13 Method of adjusting a strain-gauge resistor transducer

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1458733A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU677434B2 (en) Static pressure compensation of resonant integrated microbeam sensors
ATE34613T1 (en) TRANSDUCER ELEMENT, PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND USE FOR A PRESSURE TRANSDUCER.
SU1458733A1 (en) Method of adjusting a strain-gauge resistor transducer
SU960559A2 (en) Pressure pickup
JPS57118677A (en) Semiconductor differential pressure sensor
SU1553856A1 (en) Pressure pickup
SU1247693A1 (en) Semiconductor measuring device
SU1714395A1 (en) Pressure transducer
SU1408261A1 (en) Method of manufacturing resistance strain gauge membrane pressure transducers
SU741075A1 (en) Semiconductor pressure sensor
SU1545119A1 (en) Pressure pickup
SU1435967A1 (en) Integral pressure strain-gauge transducer
SU517818A1 (en) Pressure sensor
RU2024829C1 (en) Pressure transducer
SU1525505A1 (en) Strain measuring transducer of high prussure
SU1432357A1 (en) Pressure transducer
SU767585A1 (en) Pressure transducer
RU2024830C1 (en) Unit for measuring pressure
SU1472773A1 (en) Pressure transducer
SU1737290A1 (en) Pressure sensor
SU767583A1 (en) Pressure measuring device
SU1106982A1 (en) Deformation pickup
SU1566236A1 (en) Pressure transducer
RU1830470C (en) Integral semiconductor pressure converter
SU1408259A1 (en) Device for measuring normal and tangent components of pressure