SU1457144A2

SU1457144A2 - Дифференциальный усилитель

Info

Publication number: SU1457144A2
Application number: SU874281604A
Authority: SU
Inventors: Геннадий Васильевич Уточкин
Original assignee: Рязанский Радиотехнический Институт
Priority date: 1987-07-10
Filing date: 1987-07-10
Publication date: 1989-02-07

Abstract

Изобретение относитс к радиотехнике . Цель изобретени - повьшение коэффициента усилени . Дифференциальный усилитель содержит транзисторы I и 2, источник тока на транзисторе 3, резисторы 4, 13 и 14, конденсаторы 5,8, 11 и 12, входной трансформатор 6,источник 7 смещени , токозадающий резистор 9, высокочастотный дроссель 10 и нагрузку 15. Данные элементы образуют три каскада усилени . Цель достигаетс за счет того, что на высокой частоте усилитель имеет три каскада с общим эмиттером, а по посто нному току транзисторы 1 и 2 включены по дифференциальной схеме с источником тока на транзисторе 3, режим которой имеет высокую стабильность . I йл.

Description

Изобретение относится к радиотехнике, может быть использовано в усилителях высокой и промежуточной частоты и является усовершенствованием устройства по авт. св. № 1062851.

Цель изобретения - повышение коэффициента усиления.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема дифференциального усилителя.

Дифференциальный усилитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, транзистор 3 источника тока, резистор 4, первый конденсатор 5, входной трансформатор 6, источник 7 смещения, второй конденсатор 8, токозадающий резистор 9, высокочастотный дроссель 10, третий и четвертый конденсаторы 11 и 12, первый и второй резисторы 13 и 14, нагрузку 15.

Дифференциальный усилитель работает следующим образом.

Входной сигнал с вторичной обмотки входного трансформатора 6 через второй резистор 14 и второй конденсатор 8 прикладывается между базой и эмиттером транзистора 3, который образует первый каскад усиления. Коллектор транзистора 3 через четвертый конденсатор 12 по высокой частоте заземлен, а усиленный сигнал снимается с эмиттера транзистора 3 и через последовательно соединенные первый и второй конденсаторы подается на базу первого транзистора 1, который образует второй каскад усиления. Так как общим электродом между входом и выходом транзистора 3 является эмиттер, первый каскад является каскадом с общим эмиттером (03). Источник 7 смещения и токозадающий резистор 9 обеспечивают необходимый режим транзистора 3 по постоянному току, одновременно токозадающий резистор 9 является нагрузкой первого каскада. Второй резистор 14, имеющий сопротивление в несколько десятков Ом, исключает паразитную генерацию усилителя.

Второй каскад усиления на первом транзисторе 1 также выполнен по схеме 03, так как его эмиттер по высокой частоте заземлен через четвертый конденсатор 12. Первый резистор 4 задает смещение на базу первого транзис тора 1, а в качестве нагрузки используется высокочастотный дроссель 10, усиленный сигнал с которого через разделительный третий конденсатор 11 подается на вход третьего каскада, выполненного на втором транзисторе 2 по схеме 03. Первый резистор 13 задает смещение на базу второго транзистора. Нагрузкой 15 третьего каскада является параллельный колебательный контур с резистором, имеющим небольшое сопротивление и предотвращающим паразитную генерацию усилителя. Использование высокочастотного дросселя 10 в качестве нагрузки второго каскада позволяет избежать низкочастотной генерации, которая возможна, например, при использовании резистивной нагрузки, так как в этом случае первый и второй транзисторы 1 и 2 оказываются включены по схеме мультивибратора с эмиттерной связью. Таким образом, на высокой частоте усилитель имеет три каскада с общим эмиттером, а по постоянному току первый и второй транзисторы 1 и 2 включены по дифференциальной схеме с источником тока на транзисторе 3, режим которой имеет высокую стабильность.

Claims

Формула изобретения

Дифференциальный усилитель по авт. св. № 1062851, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления, введены высокочастотный дроссель, третий и четвертый конденсаторы и первый и второй резисторы, при этом высокочастотный дроссель включен между коллектором первого транзистора и соответствующей шиной источника питания, база второго транзистора соединена с общей шиной через первый резистор и с коллектором первого транзистора - через третий конденсатор, база транзистора источника тока соединена с выводом вторичной обмотки входного трансформатора через второй резистор, коллектор транзистора источника тока соединен с общей шиной через четвертый конденсатор, причем нагрузка под-’ ключена к коллектору второго транзистора.