SU144199A1

SU144199A1 - Precision transistor power amplifier with high input impedance

Info

Publication number: SU144199A1
Application number: SU660213A
Authority: SU
Inventors: Ю.Л. Куркин; Н.С. Куркина
Original assignee: Ю.Л. Куркин; Н.С. Куркина
Priority date: 1960-03-28
Filing date: 1960-03-28
Publication date: 1961-11-30

Description

Известны транзисторные усилители с высоким входным сопротивлением . Основной недостаток подобных устройств состоит в том, что входное сопротивление зависит от коллекторного сопротивлени входного и последующего транзисторов.Known transistor amplifiers with high input resistance. The main disadvantage of such devices is that the input resistance depends on the collector resistance of the input and subsequent transistors.

В описываемом усилителе высокое входное сопротивление (пор дка 600 мом) обеспечиваетс применением последовательно-параллельной отрицательной обратной св зи, позвол ющей устранить шунтирующее действие входа коллекторными сопротивлени ми входного и последующих транзисторов. Кроме того, в усилителе вместо опорных батарей включены опорные диоды, что уменьшает габариты ycIiлитeл и расход энергии от источников питани .In the described amplifier, a high input resistance (on the order of 600 mOm) is provided by applying a series-parallel negative feedback, which allows to eliminate the shunting effect of the input by the collector resistances of the input and subsequent transistors. In addition, instead of the reference batteries, reference diodes are included in the amplifier, which reduces the size of the battery and the power consumption from the power sources.

Принципиальна схема усилител приведена на чертеже.An amplifier circuit diagram is shown in the drawing.

Усиливаемый сигнал подаетс на зажимы /-/ и поступает на базу транзистора 2. Эмиттерна шина первых трех транзисторов (2, 3 и 4 со структурой р-п-р присоединена через общее сопротивление 5 к положительному полюсу источника питани . Выходной транзистор 6 со структурой п-р-п работает на сопротивление 7 нагрузки.The amplified signal is applied to the / - / terminals and goes to the base of transistor 2. The emitter bus of the first three transistors (2, 3 and 4 with a pnp structure is connected through a common resistance 5 to the positive pole of the power supply. The output transistor 6 has a structure n -r-p works on resistance 7 load.

Между эмиттерной щиной первых трех транзисторов и нагрузкой включено сопротивление обратной св зи 8. Кроме того, обратной св зью охвачен каждый транзистор с помощью сопротивлений 9, 10, 11 и 12. Комбинированна последовательно-параллельна отрицательна обратна св зь устран ет шунтирующее действие входа коллекторным сопротивлением транзистора 2 и последующих транзисторов, что позвол ет получить очень высокое входное сопротивление усилител . Смещени на транзисторы 5, 4 и 5 подают с помощью опорных диодов 13, 14 и 15.Between the emitter width of the first three transistors and the load, feedback resistance 8 is included. In addition, each transistor is covered by resistors 9, 10, 11 and 12. The combined series-parallel negative feedback eliminates the shunt effect of the input collector resistance transistor 2 and subsequent transistors, which allows to obtain a very high input impedance of the amplifier. The shifts to transistors 5, 4, and 5 are served by means of reference diodes 13, 14, and 15.

Описанный усилитель может быть использован, например, в вычислительных машинах дл анализа атомных структур кристаллов.The described amplifier can be used, for example, in computers for analyzing the atomic structures of crystals.

ЛЬ 144199L144199

2 2

Предмет и з о б р е т е и и Subject and d on and e and

Прецизионный транзисторный усилитель напр жени с больши. входным сопротивлением, с локальными и общей обратной св зью, включением коллектора предыдущего транзистора к базе последующего , включением опорных диодов в цеп х эмиттеров всех транзисторов , кроме выходного, отличающийс тем, что, с целью увеличени входного сопротивлени , эмиттерна шина первых трех транзисторов со структурой «р-п-р присоединена к положительнолму зажиму источника питани через общее эмиттерное сопротивление а между эмиттерной шиной и незаземленным зажимом нагрузки, к которому включен опорный диод коллекторной цепи выходного транзистора структуры «п-р-л, включено сопротивление обратной св зи, причем эмиттер выходного транзистора присоединен к источнику питани .Precision transistor power amplifier with large. input impedance, with local and common feedback, switching on the collector of the previous transistor to the subsequent base, turning on the reference diodes in the emitters of all transistors except the output one, characterized in that, in order to increase the input impedance, the emitter bus of the first three transistors with the structure "The ppr is connected to a positive-voltage terminal of the power supply through a common emitter resistance, and between the emitter bus and the ungrounded load clamp, to which the reference diode of the collector circuit is connected and an output transistor structure of the "n-p-n, inclusive feedback resistance, the output transistor emitter is coupled to a power source.