SU1424035A1 - Устройство дл возведени в квадрат - Google Patents
Устройство дл возведени в квадрат Download PDFInfo
- Publication number
- SU1424035A1 SU1424035A1 SU864025183A SU4025183A SU1424035A1 SU 1424035 A1 SU1424035 A1 SU 1424035A1 SU 864025183 A SU864025183 A SU 864025183A SU 4025183 A SU4025183 A SU 4025183A SU 1424035 A1 SU1424035 A1 SU 1424035A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- operational amplifier
- effect transistor
- output
- field
- transistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной и аналоговой вычислительной технике и предназначено дл использовани в устройствах степенного преобразовани сигналов. Цель изобретени - повышение температурной стабильности устройства. Устройство дл возведени в квадрат содержит операционный усилитель 1, масштабные резисторы 2-4, нелинейный элемент 5, вьшолненный на полевом транзисторе , резистивный элемент 6, выполненный на термокомпенсирующих полевых транзисторах. 2 ил.
Description
(/; с
Л/х
4i ГС
О СА2
сл
к:
Изобретение относитс к измерительной и аналоговой вычислительной технике и предназначено дл исполь- зов ни в устройствах степенного преобразовани сигналов.
Цель изобретени повышение темпе , атурной стабильности устройства.
На фиг о 1 приведена схема устройства дл возведени в квадрат; на фиг. 2 - схема устройстЕза дл проти- птположиой лгл рности входного сиг- ла.
Устройство дл возведени в квадрат содержит операционный усилитель I, первый 2, второй 3 и третий 4 масштабные резисторьг, нелинейный элемент 5, вьтолненный на полевом транзисторе , и резистивный элемент 6, нь:полненнь Й на первом 7 и втором 8 термокомпенсирующих полевых транзисторах .
Устройство дл возведени в квадрат работает следующим образом.
4bR
-бых
(U2R.G,|)2
-ui
ьк
10
15
20
Это вьфажение с точностью, определ емой только точностью аппроксимации и степенью идеальности операционного усилител 1, совпадает с квадратичной зависимостью.
Claims (1)
- Формула изобретениУстройство дл возведени в квадрат , содержащее нелинейный элемент, выполненный на полевом транзисторе, исток и затвор которого вл ютс первым выводом нелинейного элемента и подключены к шине нулевого потенциала , а сток вл етс вторым выводом и соединен с инвертирующим входом операционного усилител , соединенным через первый масштабньш резистор с выходом операционного усилител , который вл етс выходом устройства.Известно, что передаточна функци 25 ход которого через второй и третиймасштабные резисторы подключен соответственно к инвертирующему и неинвертирующему входам операционного усилител , резистивный элемент, включенный между неинвертирующим входомустройства дл возведени в квадрат на основе мостовой схемы описываетс н общем случае выражением г, . R . R. 3,- , л .кгт;/ :- кт,(R.+r, ) г„ в. (К.+г, )r,jгде R|,R - сопротивлени масштабны резисторов 4 и 3;30операционного усилител и шиной нулевого потенциала, отличающеес тем.,что, с целью повышени температурной стабильности устройК - сопр,ивление масштабного 35 тва, резистивный элемент выполнен1Исгора 2,При этом прел. Паг .е СЯ, что г.ппьт- мперна характеристика полепп ; О транзистора I (J U.., ) ппрок- i:: и ми р у е т с п ыр а ж р; ч е м-ьи/ 3U , expt- -: -).и оI у:. ;ов;1и, ч : о Я, К, Г, (.4bR(U2R.G,|)2-uiькЭто вьфажение с точностью, определ емой только точностью аппроксимации и степенью идеальности операционного усилител 1, совпадает с квадратичной зависимостью.Формула изобретениУстройство дл возведени в квадрат , содержащее нелинейный элемент, выполненный на полевом транзисторе, исток и затвор которого вл ютс первым выводом нелинейного элемента и подключены к шине нулевого потенциала , а сток вл етс вторым выводом и соединен с инвертирующим входом операционного усилител , соединенным через первый масштабньш резистор с выходом операционного усилител , кооперационного усилител и шиной нулевого потенциала, отличающеес тем.,что, с целью повышени температурной стабильности устройна первом и втором термокомпенсирую- 1ЦИХ полевых транзисторах, первым выводом которого вл ютс объединенные затвор, исток первого термокомпенсирующего полевого транзистора и сток пторого термокомпенсирующего полевого транзистора, а второй вывод соединен со стоком первого термокомпенсм- рующего полевого транзистора и объединенными затвором и иЬтоком второго термокомпенсирующего полевого транзистора .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864025183A SU1424035A1 (ru) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Устройство дл возведени в квадрат |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864025183A SU1424035A1 (ru) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Устройство дл возведени в квадрат |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1424035A1 true SU1424035A1 (ru) | 1988-09-15 |
Family
ID=21222642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864025183A SU1424035A1 (ru) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Устройство дл возведени в квадрат |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1424035A1 (ru) |
-
1986
- 1986-02-20 SU SU864025183A patent/SU1424035A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР 842848, кл. G 06 G 7/20, 1У79. Авторское свидетельство СССР 1105904, кл. G 06 G 7/20, 1983. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63167277A (ja) | 線形測定回路 | |
US7981264B2 (en) | Drift calibration method and device for the potentiometric sensor | |
US4879517A (en) | Temperature compensation for potentiometrically operated ISFETS | |
SU1424035A1 (ru) | Устройство дл возведени в квадрат | |
Van Der Schoot et al. | The use of a multi-ISFET sensor fabricated in a single substrate | |
SE7909093L (sv) | Anordning for metning av en storhet som paverkar en felteffekttransistor | |
SU955111A1 (ru) | Функциональный преобразователь | |
SU630721A1 (ru) | Двухполупериодный модул тор-демодул тор | |
SU1250962A1 (ru) | Широкополосный стробоскопический преобразователь | |
SU1409004A1 (ru) | Устройство для измерения параметров поверхностных состояний в мдп- транзисторах | |
SU524191A1 (ru) | Аналоговое множительное устройство | |
SU1308002A1 (ru) | Электрохимический анализатор жидкости | |
JPS55162053A (en) | Ph measuring device incorporating temperature display part | |
SU448593A1 (ru) | Линейный преобразователь эффективных значений | |
SU1377753A1 (ru) | Преобразователь тока в напр жение | |
SU599283A1 (ru) | Аналоговое запоминающее устройство | |
SU898266A1 (ru) | Устройство дл измерени температурных полей | |
CN1042608A (zh) | 溶液酸碱值测量法及测量仪 | |
SU561142A1 (ru) | Мостовое измерительное устройство | |
JPS62135779A (ja) | Fetのしきい値電圧測定回路 | |
SU1543426A1 (ru) | Множительно-делительное устройство | |
SU720400A1 (ru) | Экспонометр | |
SU991514A1 (ru) | Аналоговое запоминающее устройство | |
SU1524007A1 (ru) | Линейный преобразователь действующего значени переменного напр жени | |
SU464810A1 (ru) | Рн-метр |