SU1420491A1 - Apparatus for x-ray analysis of macrostrain - Google Patents
Apparatus for x-ray analysis of macrostrain Download PDFInfo
- Publication number
- SU1420491A1 SU1420491A1 SU864119949A SU4119949A SU1420491A1 SU 1420491 A1 SU1420491 A1 SU 1420491A1 SU 864119949 A SU864119949 A SU 864119949A SU 4119949 A SU4119949 A SU 4119949A SU 1420491 A1 SU1420491 A1 SU 1420491A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- platform
- angle
- possibility
- base
- detector
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области научного приборостроени и может использоватьс дл неразрушакщего трол макронапр жений в узлах и детал х машин и механизмов. Цель изобретени состоит в повьтении производительности контрол благодар возможности и оперативности перестройки при контроле различных видов материалов . Устройство содержит штатив 12, на котором жестко закреплена база 5, имеюща дугообразную направл ющую 4, по которой перемещаетс платформа 3, несуща источник 1 рентгеновского излучени , позиционно-чувствительный детектор 2 и индикатор 7 с щзгпом 8, используемые дл совмещени оптичес (Л с: 0 го о 4 соThe invention relates to the field of scientific instrumentation and can be used for non-destructive macro-stresses in nodes and parts of machines and mechanisms. The purpose of the invention is to increase the productivity of control due to the possibility and speed of restructuring while controlling various types of materials. The device contains a tripod 12 on which the base 5 is rigidly fixed, having an arcuate guide 4, along which the platform 3 moves, carrying an X-ray source 1, a position-sensitive detector 2 and an indicator 7 with an optical signal 8 (L c: 0 th about 4 co
Description
кого центра О устройства с контролируемой поверхностью издели . На платформе , 3 выполнены установочные отверсти 9 дл креплени источника 1 излучени 5 кот орый: переставл етс с одной пары устаноЕочнык отверстий на . Pipyrym при переходе с одного вида катариала на другой,, Поворотом штатформы 3 относительно базы 5 и фиксацией ее посредством фиксатора 6 обеспечиваетс изменение угла ui между нормалью к поверхности образца и ди- фрак11ионным вектором и тем самым реа- лизшди метода sin v при определении макронапр жений в контролируемом изделии ,1 ил,whom center is about the device with a controlled surface of the product. On the platform, 3, mounting holes 9 are made to fasten the radiation source 1 5 which is relocated from one pair of mounting holes to. Pipyrym when switching from one type of catarial to another, by turning the standard 3 relative to the base 5 and fixing it by means of the clamp 6, the angle ui between the normal to the sample surface and the diffraction vector and thus realizes the sin v method when determining the macrostresses in a controlled product, 1 sludge,
Изобретение относитс к научному прйборостроенжо и может быгь исполь- Ёовано дл неразрушающего контрол какронапр, женкй в узла; и детал х машин и механизмов,The invention relates to scientific design and can be used for non-destructive testing of a cadron, female in a site; and details of machines and mechanisms
Цель изобретени повышение производительности контрол благодар возможности и оперативности перестройки 1три контрсше различных видов матерк;злово The purpose of the invention is to increase the productivity of control due to the possibility and efficiency of the restructuring of three counterconsists of various types of material;
На чертеже схематггаески ггоказано предлЕгаамое устройство дл определе кйк макронапр жений.In the schematic drawing, a predetermined device for determining macroextractions is shown.
Устройство содержит источник 1 установленньй с возможностью дискрет :кого изменени у/гла между ним к Б:еподвижко установленным позиц:ионно гувствителькьы (ПЧ) детектором 2, ИЧ детектор 2 закреплен в напракпенки оси 00,,, дифрагкроБанного пучка на платформе 3 с ответной частью 4 дугообразной капразл ющейв Г1п:атформа 3 установлена с возможностью дискретного перемещени по ответной части основани 5„ Фикса 1 ор б ььшолнен в звде съемного замка со стержнем (не показаны), Уст1зойство снабжено также индикатором .7 с измерительным щупом 8„ На корпусе источника 1 закреплены вдоль направлени оси 00 первично™ го излучени два штифта (ке.по казаны) , а на платформе 3 выполнены ответные парные отверсти 9 радиаль™ но расположенные на пр мых проход - liTHX через ректгенооптическую. ось О дифрактометрического з стройства. Величина угла ме оду гшбыми иоло- женй ш источника 1 на платформе 3 равна ц о Кроме того на платформе 3 выаолиеиы сквозные отверсти 10 дл установки 3 иитс фиксатора б. Отверсти |0 расположены таким образомThe device contains a source 1 installed with the possibility of discrete: who changes between him / eye between him and B: automatically installed position: ion-sensitive (IF) detector 2, ICH detector 2 fixed in naprakpenki axis 00 ,,, diffracted beam on platform 3 with the response part 4 arcuate corpora G1p: Atform 3 is installed with discrete movement on the mating part of the base 5 "Fix 1 orb in the form of a removable lock with a rod (not shown). The device also has an indicator .7 with a measuring probe 8". e source 1 are secured along the direction of the axis 00 of the primary radiation ™ two pins (ke.po thought), as on the platform 3 are paired response ™ radial holes 9 but are located on the straight passage - liTHX through rektgenoopticheskuyu. axis About diffractometric structure. The angle of each of the two springs from the source 1 on the platform 3 is equal to the center. In addition, on the platform 3, there are a number of through holes 10 for the installation of 3 and a lock pin b. Holes | 0 arranged in this way
00
5five
что каждому положению источника 1 на платформе 3 соответствует единственное положение фиксатора 6, при этом 3 гoxJ; мeждy источником 1 и фиксатором 6 равен d ,, & угол двум любьми положени ми фиксатора б равен Ф/2, В ос ковании 5 вьшолнены отверсти (не показаны),. согласованные с отверсти ми lOj дл дискретной установки платформы 3 относительно основани 5, Тов, дл установки платформы на один из заданных углов ч.that each position of source 1 on platform 3 corresponds to a single position of latch 6, with 3 goJ; between source 1 and latch 6 is d ,, & The angle of the two locking positions of the clamp b is F / 2. In Step 5, holes are filled (not shown),. matched with holes lOj for discrete mounting of platform 3 relative to base 5, Too, for mounting the platform to one of the predetermined angles h.
Дл установки дифрактометрическо го устройства относительно образца 11. т.е дл совмещени рентгенооптк- ческой оси О с поверхностью образца 11f используетс измерительный щуп 8| а дл фиксации устройства в рабочем паложении - держатель 12,To install the diffractometric device relative to sample 11. That is, the probe 8 | is used to combine the X-ray optics axis O with the surface of the sample 11f. and for fixing the device in the working position - the holder 12,
Устройство работает следующим образомThe device works as follows
С помощью держател 12 устанавливают контрольную плоскость 13 платформы 3 параллельно плоскости.образца 11 и совмещают ось О дифрактомет рического устройства с поверхностью ебразца 11. использу индикатор 7 с измерительным щупом 8„ Источник 1 ус танавливают в парные отверсти 9 на платформе 3 Hi-ieKEtHe например, маркировку Fe, В-этом случае угол между источником 1 и неподвижно установлен- ньш на платформе 3 ПЧ-детектором 2 равен 2i t80 -2epg, где бре Вульфа- Брегга дл излзгчени источ- ь-ика и выбранного оптимального отра- же1ш (hki) исследуемого материала (Fe).Using the holder 12, the control plane 13 of the platform 3 is installed parallel to the plane of sample 11 and the axis O of the diffractometric device is aligned with the surface of the sample 11. Using the indicator 7 with the probe 8 “Source 1 is installed into a pair of holes 9 on the platform 3 Hi-ieKEtHe eg , marking Fe, In this case, the angle between the source 1 and fixedly mounted on platform 3 The IF-detector 2 is 2i t80 -2epg, where Wolff-Bragg brae to isolate the source-ik and the selected optimal reflection (hki a) test material (Fe).
5five
00
SS
40 Фиксатор 6 устанавливают в одиноч ное сквозное отверстие 10 с аналогичной маркировкой Ге Ч; Угол между фик40 Clamp 6 is installed in a single through hole 10 with the same marking Ge H; Angle between fic
сатором 6 (отверстием 10) и источником 1 равен d .Sator 6 (hole 10) and source 1 is equal to d.
Одновременно стержень фиксатора 6 через сквозное отверстие 10 устанавливают в первое (по часовой стрелке) глухое отверстие к& основании 5, соответствующее начальному углу ( . При этом положение фиксатора 6 на базе 5 относительно нормали поверхности образца 11 характеризуетс углом /5 , Последовательно (по ч асовой стрелке) устанавлива фиксатор 6 через одно и то же сквозное отверстие 10 (Fe) в глухие отверсти на базе 5, определ ют с помощью ПЧ-детектора 2 отклонени положений дифракционных пиков cP(20J дл образца 11 от положени пика дл эталонного (ненапр женного) материала. По полученнь1м результатам, например, методом sin i(; рассчитывают макронапр жеш в образце 11.At the same time, the latch rod 6 is installed through the through hole 10 in the first (clockwise) blind hole to & The base 5, corresponding to the initial angle (. The position of the latch 6 on the base 5 relative to the surface normal of the sample 11 is characterized by the angle / 5. Consistently (by the arrow) install the latch 6 through the same through hole 10 (Fe) into the blind holes on base 5, the deviations of the positions of the diffraction peaks cP (20J for sample 11 from the peak position for the reference (unstressed) material) are determined using the IF detector 2. According to the results obtained, for example, using the sin i method (; the macroscopic contrast in sample 11 is calculated .
Положени глухих отверстий на ба зе 5 соответствуют определенным значени м угла V, посто нным дл любого контролируемого материала (Alp Fe, Си и т.д.). Дл перехода от исследований одного материала (Fe) к другому (например , Си) достаточно установить ис- тйчник 1 и фиксатор 6 в отверсти 9 и 10, маркированные Си. При этом положение источника 1 на платформе 3The positions of the blind holes on the base 5 correspond to certain values of the angle V, which are constant for any controlled material (Alp Fe, Cu, etc.). To switch from studies of one material (Fe) to another (for example, Cu), it is sufficient to install the source 1 and the clamp 6 into the holes 9 and 10, marked with Cu. The position of the source 1 on the platform 3
5five
00
5five
00
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864119949A SU1420491A1 (en) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Apparatus for x-ray analysis of macrostrain |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864119949A SU1420491A1 (en) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Apparatus for x-ray analysis of macrostrain |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1420491A1 true SU1420491A1 (en) | 1988-08-30 |
Family
ID=21257504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864119949A SU1420491A1 (en) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Apparatus for x-ray analysis of macrostrain |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1420491A1 (en) |
-
1986
- 1986-08-15 SU SU864119949A patent/SU1420491A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент GB № 1390710, кл. G 01 N 23/207, 1975. Патент US № 3634686, кл. G 01 N 23/20, 1972. Патент US № 4095103, кл. G 01 N 23/20., 1978. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4364122A (en) | X-Ray diffraction method and apparatus | |
DE69225847T2 (en) | X-ray analyzer | |
SU1420491A1 (en) | Apparatus for x-ray analysis of macrostrain | |
US3728541A (en) | X-ray diffractometer | |
US3345613A (en) | X-ray diffractometer control system | |
DE3128355A1 (en) | INSTRUMENT FOR MEASURING VARIATIONS IN THE INTENSITY OF A BUNDLE OF X-RAY RAYS | |
US2615136A (en) | X-ray single crystal goniometer | |
US4071758A (en) | Multiple test X-ray goniometer | |
US3200248A (en) | Apparatus for use as a goniometer and diffractometer | |
SU898302A1 (en) | X-ray spectrometer for investigating monocrystal structural perfection | |
JP3348975B2 (en) | Lens meter | |
SU1041918A1 (en) | Diffractometer primary beam adjusting method | |
SU718769A1 (en) | Three-crystal x-ray spectrometer | |
RU2115901C1 (en) | Gear determining residual stresses | |
SU1040390A1 (en) | Monocrystal radiographic investigation method | |
SU1144040A1 (en) | Diffractometer adjustment method | |
SU1476360A1 (en) | X-ray diffractometer | |
SU890180A1 (en) | Monocrystal orientation x-ray diffractometric determination method | |
US6487270B1 (en) | Apparatus for X-ray analysis with a simplified detector motion | |
SU609079A1 (en) | Method of investigating the density of solid body surface layer | |
JPH01214747A (en) | X-ray diffraction apparatus | |
JPS62223655A (en) | Measuring instrument for grating constant | |
EP0044492A2 (en) | Goniometer for measuring mechanical stresses using X rays | |
SU1583808A1 (en) | X-ray diffractometer | |
SU1141321A1 (en) | X-ray spectrometer |