SU141938A1

SU141938A1 - Method of measuring thermoelectromotive forces of semiconductor materials

Info

Publication number: SU141938A1
Application number: SU670318A
Authority: SU
Inventors: М.А. Каганов; И.С. Лискер
Original assignee: М.А. Каганов; И.С. Лискер
Priority date: 1960-06-11
Filing date: 1960-06-11
Publication date: 1960-11-30

Description

Известные способы измерени термо-электродвижущих сил полупроводниковых материалов по перепаду температур, создаваемому в двух точках проводника при его нагреве, основанные на использовании посторонних нагревателей, осуществл ющих нагрев металлической плиты , на которую устанавливаетс исследуемый полупроводниковый материал , не могут обеспечить высокую точность измерени и требуют применени сложных измерительных средств.The known methods for measuring the thermo-electromotive forces of semiconductor materials by the temperature difference created in two points of the conductor during its heating, based on the use of extraneous heaters that heat the metal plate on which the semiconductor material is installed, cannot provide high accuracy of measurement and require complex measuring tools.

Предлагаемый способ отличаетс тем, что дл создани перепада температуры используетс эффект Пальтье, основанный на пропускании посто нного электрического тока через образец материала. Величину термо-электродвижущей силы определ ют путем непрерывной регистрации изменени падени напр жени на образце в нестационарном режиме , например с помощью быстродействующего автоматического потенциометра .The proposed method is characterized in that in order to create a temperature difference, the Paltier effect is used, based on the transmission of a constant electric current through a sample of material. The magnitude of the thermo-electromotive force is determined by continuously recording the change in voltage drop across the sample in a non-stationary mode, for example, using a high-speed automatic potentiometer.

Это отличие позволило значительно упростить процесс измерени и одновременно повысить его точность.This difference has greatly simplified the measurement process and at the same time increased its accuracy.

На чертеже приведена принципиальна схема подключени образца из исследуемого полупроводникового материала дл измерени термо-электродвижущихс сил по предлагаемому способу.The drawing shows a schematic diagram of the connection of a sample of the semiconductor material under study for measuring thermo-electromotive forces according to the proposed method.

К образцу / припаиваютс с каждой стороны по четыре проводника 2, 3, 4, 5 и 6, 7, 8, 9.Four conductors 2, 3, 4, 5 and 6, 7, 8, 9 are soldered to the sample / solder on each side.

Проводники 2 и 6, выполненные из меди, образуют токовую, а проводники 3 и 7 - потенциальную цепь схемы.The conductors 2 and 6, made of copper, form a current, and the conductors 3 and 7 - a potential circuit circuit.

Проводники 4, 8 к 5, 9 образуют термопарный дифференциальный мост.Conductors 4, 8 to 5, 9 form a thermocouple differential bridge.

Схема работает следующим образом.The scheme works as follows.

Реостатом 10 устанавливают заданную величину тока в цепи проводников 2, 6, размыкают ключ 11, замыкают ключи 12, 13 и производ тThe rheostat 10 sets a predetermined amount of current in the circuit of the conductors 2, 6, opens the key 11, closes the keys 12, 13 and produces

запись 1 15иври,дарадтани напр жени на торцах образца на быстродействуЬ&Йм айтоматнческом потенциометре 14.Record 1 15, Daradtani voltage at the ends of the sample for speed & Yim automatic potentiometer 14.

В кажды№ момент времени полное падение напр жени на образце вл ете сумл1ой ОМИЧЕСКОГО падени напр жени и термо-электродвижущей СИЛЫ на Горцах образца, однако вследствие инерционности установлени температурного пол в образце в начале измерени падени напр жени будет чисто омическим. Произвед несложные арифметические действи можно определить величину термо-электродвижущей силы исследуемого полупроводникового материала с высокой точностью . Предложенный способ может быть рекомендован дл прецизионных измерений коэффициента термо- э.д.с. полупроводниковых материалов.At each time point, the total voltage drop on the sample is the sum of the OMIC voltage drop and the thermo-electromotive force on the sample Mountaineers, however, due to the inertia of the temperature field in the sample at the beginning of the voltage drop measurement will be purely ohmic. Produced by simple arithmetic operations, it is possible to determine the value of the thermo-electromotive force of the semiconductor material under investigation with high accuracy. The proposed method can be recommended for precise measurements of the coefficient of thermal emf. semiconductor materials.

Предмет изобретени Subject invention

Способ измерени термо-электродвижущих сил полупроводниковых материалов, по перепаду температур, создаваемому в двух точках проводника при его нагреве, о т л и чающийс тем, что, с целью упрощени процесса измерени и повышени его точности дл создани перепада температуры на образце в результате использовани эффекта Пальтье, через образец пропускают посто нный электрический ток, ве- . личину термо-электродвижущих сил определ ют путем непрервшной регистрации изменени падени напр жени на образце в нестационарном режиме, например с помощью быстродействующего автоматического потенциометра.A method for measuring thermo-electromotive forces of semiconductor materials by the temperature difference created at two points of the conductor when it is heated, in order to simplify the measurement process and increase its accuracy to create a temperature difference on the sample as a result of using the effect Coat, a constant electric current is passed through the sample, ve- The thermo-electromotive force pattern is determined by continuously recording a change in the voltage drop across a sample in a transient mode, for example, using a high-speed automatic potentiometer.

J3J3