SU1392603A1 - Band-rejection filter - Google Patents
Band-rejection filter Download PDFInfo
- Publication number
- SU1392603A1 SU1392603A1 SU823513310A SU3513310A SU1392603A1 SU 1392603 A1 SU1392603 A1 SU 1392603A1 SU 823513310 A SU823513310 A SU 823513310A SU 3513310 A SU3513310 A SU 3513310A SU 1392603 A1 SU1392603 A1 SU 1392603A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- rectangular
- transitions
- wave
- waveguide
- filter
- Prior art date
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в качестве узкополосного заграждающего фильтра, в системах автоматической подстройки частоты, в измерительной технике. Целью вл етс упрощение настройки фильтра на максимум крутизны АЧХ и ФЧХ. Устройство содержит круглый водновод 9 регулируемой длины, входной 1 и выходной 2 рупорные переходы с пр моугольного на круглый волновод 9, установленные с возможностью вращени , и отрезки пр моугольных волноводов 3, 4, соединенные с концами переходов I, 2, причем отношение длины выходного перехода 2 к входному 1 выбрано в пределах 0,4-0,8, и в каждый отрезок пр моугольного волновода 3, 4 введены регулируемые неоднородности . 1 з.п. ф-лы, 1 ил. The invention relates to microwave technology and can be used as a narrowband rejection filter, in automatic frequency control systems, in measurement technology. The goal is to simplify the adjustment of the filter to the maximum frequency response and frequency response. The device comprises a circular aqueduct 9 of adjustable length, an input 1 and an output 2 horn transitions from rectangular to circular waveguide 9 mounted for rotation, and segments of rectangular waveguides 3, 4 connected to the ends of the transitions I, 2, and the ratio of the length of the output transition 2 to input 1 is selected in the range of 0.4-0.8, and adjustable discontinuities are introduced in each segment of the rectangular waveguide 3, 4. 1 hp f-ly, 1 ill.
Description
0000
соwith
ГСHS
О5O5
о соabout with
Изобретение относитс к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в качестве уэкополос- ного заграждающего фильтра, в сие- темах автоматической подстройки частоты , в измерительной технике.The invention relates to a microwave technique and can be used as a pre-bandpass band filter, in automatic frequency control systems, in a measurement technique.
Целью изобретени вл етс упрощение настройки фильтра на максимум крутизны амплитудно-частотной и фа- зочастотной характеристик.The aim of the invention is to simplify the adjustment of the filter to the maximum amplitude-frequency and phase-frequency slope.
На чертеже схематически изображен проходной режекторный фильтр.The drawing shows schematically a rejection filter.
Фильтр содержит входной 1 и выходной 2 рупорные переходы от пр мо- угольного волновода к круглому. К пр моугольным входам переходов и 2 подсоединены отрезки пр моугольных волноводов 3 и 4, в которых расположены неоднородности 5 и 6 соот- ветственно, в качестве которых используютс четвертьволновые диэлектрические вкладьши, диафрагмы, штыри ит.д. Между неоднородност ми в отрезках волноводов 3 и 4 размещены регулируемые неоднородности 7 8, регулирующие электрическую или механическую длину как между неоднородност ми 5 и 6, так и между неоднородностью 5 и переходом 1 и между неод- нородностью 6 и переходом 2. Регулируемые неоднородности 7 и 8 могут представл ть собой механические или электрические фазовращатели. Отношение длины выходного рупорного пере- хода 2 к входному 1 находитс в пределах 0,4-0,8. Выходы переходов на круглый волновод соединены между собой с возможностью осевого поворота переходов друг относительно друга, причем при необходимости перестройки рабочей частоты фильтра переходы могут соедин тьс между собой отрезком круглого волновода 9 регулируемой длины.The filter contains input 1 and output 2 horn transitions from a rectangular waveguide to a circular one. The rectangular inputs of the transitions and 2 are connected to the segments of the rectangular waveguides 3 and 4, in which inhomogeneities 5 and 6 are located, respectively, which are used as quarter-wave dielectric pads, diaphragms, pins, etc. Adjustable inhomogeneities 7-8 are located between inhomogeneities in the waveguide sections 3 and 4, regulating the electrical or mechanical length both between inhomogeneities 5 and 6, and between inhomogeneity 5 and transition 1 and between inhomogeneity 6 and transition 2. 8 may be mechanical or electrical phase shifters. The ratio of the length of the output horn junction 2 to the input 1 is in the range of 0.4-0.8. The outputs of the transitions to the circular waveguide are interconnected with the possibility of axial rotation of the transitions relative to each other, and, if necessary, adjusting the operating frequency of the filter, the transitions can be interconnected by a segment of a circular waveguide 9 of adjustable length.
Проходной режекторный фильтр работает следующим образом.Pass-through rejection filter works as follows.
Волна uff, входного отрезка пр моугольного волновода 3 во входном рупорном переходе 1 преобразуетс в волну Hjj (знак Q соответствует пр моугольному,о - круглому волноводам ) . Если tfo - угол поворота одного рупорного перехода относительно другого вокруг их продольной оси ра- вен нулю, то волна Нц, проход выходной рупорный переход 2, вновь пре образуетс в волну Н . При ср О происходит частичное преобразованиеWave uff of the input segment of a rectangular waveguide 3 in the input horn junction 1 is converted into wave Hjj (the sign of Q corresponds to a rectangular, o is a circular waveguide). If tfo - the angle of rotation of one horn transition relative to another around their longitudinal axis is zero, then the wave Hz, the passage output horn transition 2, is again transformed into wave H. When cf o there is a partial conversion
волны HJJ в волну H°j (знак„1 соответствует волне, плоскость пол ризации которой перпендикул рна плоскости пол ризации рабочей волны), при этом коэффициент преобразовани волны Н„ в волну НHJJ waves into H ° j wave (the sign "1 corresponds to the wave, the polarization plane of which is perpendicular to the polarization plane of the working wave), and the coefficient for converting the H wave to the H wave
п нием q by q
0101
II Волна E°II Wave E °
выходном рупорном переходеoutput horn junction
HOJ . Если высота пр моугольногоHOJ. If the height of the rectangle
растет с увеличе- преобразуетс вgrows with increasing- converted to
2 в волну вол0 2 into wave 0
5 0 0 5 0 55 0 0 5 0 5
5 five
00
новода вл етс закритичной дл волны Hgj, последн оказьшаетс запертой между критическими сечени ми и комбинаци рупорных переходов представл ет дл волны HOI предельный резонатор . На резонансной частоте св зь рабочей волны Н,, с преобразованнойThe Novod is supercritical for the Hgj wave, the latter turns out to be locked between critical sections, and the combination of horn transitions represents the HOI wavelength resonator for the HOI wave. At the resonant frequency, the coupling of the working wave H, with the transformed
НH
аbut
резонансноresonantly
.(jj ........ увеличиваетс , такой резонатор вл етс аналогией резонатора, включенного на отсос.(jj ........ increases, such a resonator is an analogy of a resonator connected to a suction.
волной иwave and
включенного на Ширина и глубина резонансного провала зависит от угла if , Глубина провала увеличиваетс при введении в отрезки волноводов 3 и 4 неоднород- ностей 5 и 6 на рассто ни , обеспечивающие резонанс рабочей волны между неоднородност ми-5 и 6.included in the width and depth of the resonant dip depends on the angle if, the depth of the dip increases with the introduction of inhomogeneities 5 and 6 in the waveguide sections 3 and 4 over the distance, providing the working wave resonance between the inhomogeneities-5 and 6.
Таким образом, резонатор, образованный критическими сечени ми, имеет св зь с проходным резонатором, длина которого ограничена неоднородност ми 5 и 6. Вдоль оси проходного резонатора существует сто ча волна с величиной КСВ, определ емой выходной неоднородностью . Отношение активной проводимости выходной нагрузки, трансформированной в сечение св зи обоих резонаторов, к эквивалентной активной проводимости отсасьшаю- его резонатора определ ет глубину клиновидного провала. Величина трансформированной проводимости зависит также от фазы сто чей волны в сечении св зи, т.е. от рассто ни между выходной неоднородностью и выбранным местом включени элемента св зи с отсасывающим резонатором. Поэтому, мен длину рупорного перехода 2, можно в широких пределах варьировать глубину и ширину провала.Thus, a resonator formed by critical sections has a connection with a pass-through resonator, the length of which is limited by inhomogeneities 5 and 6. Along the axis of the pass-through resonator, there is a standing wave with a CWS value determined by the output inhomogeneity. The ratio of the active conductivity of the output load, transformed into the cross section of the coupling of both resonators, to the equivalent active conductivity of the last cavity, determines the depth of the wedge-shaped dip. The magnitude of the transformed conductivity also depends on the phase of the standing wave in the cross section of the bond, i.e. from the distance between the output non-uniformity and the chosen switching point of the communication element with the suction resonator. Therefore, the length of the horn junction 2 varies, it is possible to widely vary the depth and width of the dip.
Дл облегчени настройки фильтра служат регулируемые неоднородности 7 и 8. Они позвол ют настроить фильтр на частоту резонанса и создать необходимый дп создани заграждающего эффекта баланс амплитуд резонирующей рабочей и преобразованной волны. Это достигаетс синхронным изменением рассто ний между неоднородност миTo facilitate the adjustment of the filter, adjustable inhomogeneities 7 and 8 serve. They allow you to tune the filter to the resonance frequency and create the necessary dp to create a blocking effect balance of amplitudes of the resonating working and transformed wave. This is achieved by a simultaneous change in the distance between the inhomogeneities
5 и 6 и рупорными переходами I и 2 соответственно. При этом рассто ние между неоднородноет ми и рупорными переходами измен ют таким образом, что одно из них увеличиваетс , а другое уменьшаетс . Это равносильно изменению расположени резонансной полости , образованной рупорными переходами 1 и 2 дл преобразованной вол- ны, внутри резонансной полости дл рабочей волны, образованной неодно- род нос т ми 5 и 6.5 and 6 and horn transitions I and 2, respectively. In so doing, the distance between the non-uniform and horn transitions is changed in such a way that one of them increases and the other decreases. This is equivalent to a change in the location of the resonant cavity formed by horn transitions 1 and 2 for the transformed wave, inside the resonant cavity for the working wave formed by irregular 5 and 6.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823513310A SU1392603A1 (en) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | Band-rejection filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823513310A SU1392603A1 (en) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | Band-rejection filter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1392603A1 true SU1392603A1 (en) | 1988-04-30 |
Family
ID=21036298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823513310A SU1392603A1 (en) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | Band-rejection filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1392603A1 (en) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355420B2 (en) | 2001-08-21 | 2008-04-08 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7681312B2 (en) | 1998-07-14 | 2010-03-23 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7688097B2 (en) | 2000-12-04 | 2010-03-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
US7688062B2 (en) | 2000-09-05 | 2010-03-30 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
US7688091B2 (en) | 2003-12-24 | 2010-03-30 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
US7750652B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-06 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7759953B2 (en) | 2003-12-24 | 2010-07-20 | Cascade Microtech, Inc. | Active wafer probe |
US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7888957B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
US7893704B2 (en) | 1996-08-08 | 2011-02-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing structure with laterally scrubbing contacts |
US7898281B2 (en) | 2005-01-31 | 2011-03-01 | Cascade Mircotech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
US7898273B2 (en) | 2003-05-23 | 2011-03-01 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for testing a device under test |
US7969173B2 (en) | 2000-09-05 | 2011-06-28 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US8069491B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-11-29 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
US8319503B2 (en) | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
US8410806B2 (en) | 2008-11-21 | 2013-04-02 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
-
1982
- 1982-11-19 SU SU823513310A patent/SU1392603A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР Я 696562, кл. Н 01 Р 7/06, 1978. * |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7893704B2 (en) | 1996-08-08 | 2011-02-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing structure with laterally scrubbing contacts |
US7681312B2 (en) | 1998-07-14 | 2010-03-23 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7761986B2 (en) | 1998-07-14 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing method using improved contact |
US7688062B2 (en) | 2000-09-05 | 2010-03-30 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
US7969173B2 (en) | 2000-09-05 | 2011-06-28 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US7761983B2 (en) | 2000-12-04 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Method of assembling a wafer probe |
US7688097B2 (en) | 2000-12-04 | 2010-03-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
US7492175B2 (en) | 2001-08-21 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7355420B2 (en) | 2001-08-21 | 2008-04-08 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7898273B2 (en) | 2003-05-23 | 2011-03-01 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for testing a device under test |
US7876115B2 (en) | 2003-05-23 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US8069491B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-11-29 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
US7688091B2 (en) | 2003-12-24 | 2010-03-30 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
US7759953B2 (en) | 2003-12-24 | 2010-07-20 | Cascade Microtech, Inc. | Active wafer probe |
US8013623B2 (en) | 2004-09-13 | 2011-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7940069B2 (en) | 2005-01-31 | 2011-05-10 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7898281B2 (en) | 2005-01-31 | 2011-03-01 | Cascade Mircotech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
US7750652B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-06 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7888957B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
US8410806B2 (en) | 2008-11-21 | 2013-04-02 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
US9429638B2 (en) | 2008-11-21 | 2016-08-30 | Cascade Microtech, Inc. | Method of replacing an existing contact of a wafer probing assembly |
US10267848B2 (en) | 2008-11-21 | 2019-04-23 | Formfactor Beaverton, Inc. | Method of electrically contacting a bond pad of a device under test with a probe |
US8319503B2 (en) | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU1392603A1 (en) | Band-rejection filter | |
US5021757A (en) | Band pass filter | |
US4675631A (en) | Waveguide bandpass filter | |
WO2005083831A1 (en) | Waveguide band-stop filter | |
US7068129B2 (en) | Tunable waveguide filter | |
US4028639A (en) | Oscillator using magnetostatic surface wave delay line | |
RU2707391C1 (en) | Reconfigurable input/output multiplexer based on ring resonator | |
US5406234A (en) | Tunable microwave filter apparatus having a notch resonator | |
KR100703719B1 (en) | Filter coupled by the conductive plates with a curved surface | |
JPS6141441B2 (en) | ||
US4231001A (en) | Constant resistance coupling network | |
US5214338A (en) | Energy coupler for a surface acoustic wave (SAW) resonator | |
KR100204439B1 (en) | Dielectric resonant filter | |
JPS6219081B2 (en) | ||
RU2321107C1 (en) | Microwave filter | |
SU1140192A1 (en) | Microwave filter | |
US4041416A (en) | Method and apparatus for frequency stabilizing oscillators | |
US3287667A (en) | Low attenuation very high frequency time delay vs. frequency variation correcting network | |
SU1125676A1 (en) | Microwave filter | |
RU2111583C1 (en) | Shf filter | |
SU1626274A1 (en) | Tunable bandpass filter with magnetostatic waves | |
SU843039A1 (en) | Band-pass filter on overthreshold waveguide | |
KR100304357B1 (en) | Cylindrical cavity microwave filter | |
US4305049A (en) | Waveguide Gunn diode oscillator with harmonic tuning | |
SU1259370A1 (en) | Tuneable microwave filter |