SU136781A1 - Эмиттерный повторитель - Google Patents

Description

Известны различные ехемы на полупроводниковых триодах с положительной и отрицательной обратными св з ми.

Предлагаемый эмиттерный повторитель на полунроводниковом триоде отличаетс  применением цепочки положительной обратной св зи , образованной емкостью, включенной между эмиттером и точкой соединени  нагрузки с полупроводниковым диодом. Это позвол ет повысить быстродействие работы устройства.

Принципиальна  схема предлагаемого эмиттерного повторител  приведена на чертеже.

Ключ 1 нормально замкнут и размыкаетс  только на врем  формировани  выходного отрицательного импульса, снимаемого с нагрузки повторител , образованной включенными в эмиттер триода 2 сопротивлением 3 и емкостью 4. При замкнутом ключе У емкость 5 положительной обратной св зи по напр женшо зар жена до напр жени  Е источника 6 питани . При размыкании ключа / на нагрузке в точке А образуетс  отрицательный перепад напр жени , который через емкость f передаетс  на сопротивление 7 в точку 5. Полупроводниковый диод , предназначенный дл  предотвращени  шунтировани  положительной обратной св зи через емкость 5 низким внутренним сопротивлением источника 6 питани , запираетс  и отрицательный потенциал в точке В повышаетс  до величины 2Е. При этом, благодар  действию цепи положительной обратной св зи с большой посто нной времени RC падение напр жени  на сопротивлении 7 остаетс  посто нным в течение всего времени формировани  выходного импульса, чем обеспечиваетс  большой входной ток триода 2, а следовательно, быстрое нарастание амплитуды выходного отрицательного импульса до полной амплитуды напр жени  Е питани  коллектора (R равно сумме величин сопротивлений 7+ входное и выходное сопротивлени  триода 2; С - емкость 5).

Ключ J представл ет собой нормально открытый триод, коллекторной нагрузкой которого  вл етс  сопротивление 7.

Предмет изобретен и  

Эмцтуерный повторитель на полупроводниковом триоде, отличающийс 5;:тем , что, с целью повышени  быстродействи  его работы, в нем применена цепочка положительной обратной св зи, образованна  емкостью, включенной между эмиттером и точкой соединени  нагрузки с полупроводниковым диодом.