SU1363355A1 - Коммутирующий элемент - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  .к электротехнике , в частности к разр дникам дл  защиты от перенапр жений различных устройств. Цель изобретени  - повышение стабильности работы коммутирующего элемента путем повышени  стабильности напр жени  срабатывани . Коммутирующий элемент содержит герметичный диэлектрический корпус 1, заполненный инертным газом или откачанный до вакуума, а также два электрода 2 и 3,- между которыми установлена прокладка 6 из стеклообразного полупроводникового материала. При этом рабоча  поверхность электродов имеет многоострийный характер. Кроме того, прокладка может быть выполнена контактирующей только с остри ми 4 и 5 электродов, а зазор, заполненный инертным газом или откачанный до вакуума , расположен между прокладкой и плоской поверхностью многоострий- ных электродов. Ввиду того что на переходном слое прокладка - электро- . ды вьщел етс  повьшенна  мощность, происходит нарушение однородности электрического контакта на границе прокладка - электроды. Поэтому применение многоострийного характера рабочей поверхности электродов делает более однородным этот контакт. Поэтому происходит .как бы заполне1ше разрушенной области прокладки за счет Й1излежащих ее областей, что восстанавливает указанную однородность и при каждых включени х шнур тока локализуетс  в одном месте, 1 з.п. ф-лы, 1 ил, (С (Л со С5 со со ел сл

Description

- 136 Изобретение относитс  к электронной технике, а конкретно к сильноточ- iaiM коммутирующим элементам, и может использоватьс , например, в качестве разр дника, предназначенного дл  за- Щ1ты от перенапр жегшй различных электро- и радиотехнических уст-- ройств.

Целью изобретени   вл етс  повы- шешш стабильности работы коммутирующего элемента путем повышени  стабильности напр жени  срабатывани .

На чертеже изображен коьмутирую- щий элемент, разрез.

Koм гyтиpз н)щий элемент содержит герметич1-1ый керамический корпус 1 цилиндрической формы диаметром 8 мм, высотой 6 мм, к корпусу 1 при помощи пайки прикреплены два электрода 2 и 3, последние наход тс  внутри корпуса 1 и вьтолнены из никел , рабоча  поверхность электродов 2 и 3 имеет мюгоострийный характер, остри  4 и 5, а также электроды 2 и 3 расположены один напротив другого, остри  имеют высоту 0,8 мм, рассто ние между остри ми 4 и 5 электродов 2 и 3 составл ет 0,5 мм, этот межэлектрод- ный промежуток заполнен прокладкой 6 из стеклообразного полупроводникового материала состава Са s Sij,5 s-is ocTpriH 4 и 5. внедрены , в прокладку 6 из стеклообразного полупроводникового материала на глубину 0,15 мм, зазор 7 образован прокладкой 6 из стеклообразного полупроводникового материала и плоской поверхностью 8,9 многоостриййых элек- тродов 2 и 3, зазор 7 заполнен аргоном ,

Редактор Н.Слобод ник

Составитель Ю.Быковец

Texpeдfм.XoдaничКорректор А.Т ско

Заказ 6371/48

Тираж 625Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4

-

Коммутирующий элемент используетс  в качестве защитного разр дника, имеет статическое напр жение срабатывани  500 В, коммутирует с последующим восстановлением исходных параметров токи до 10 кА при длительности воздействующего импульса 50 мкс, врем  запаздывани  переключени  30 не, при скорости нарастани  напр жени  1 кВ/мкс, стабильность напр жени  срабатывани  коммутирующего элемента не ниже 7% и собственна  геометрическа  емкость составл ет не более.4 пФ.

Claims (2)

1.Коммутирующий элемент, содержащий герметичный диэлектрический корпус , заполненный Инертным газом или откачанный до вакуума, внутри которого расположены два электрода, между которыми установлена прокладка из стеклообразного полупроводникового материала, о тличающийс  тем, что, с целью повышени  стабильности работы, путем повьпиени  стабильности напр жени  срабатывани , рабоча  поверхность электродов выполнена многоострийной.

2.Элемент поп.1,отлйчаю- щ и и с   тем, что, с целью снижени  собственной геометрической емкости , прокладка из стеклообразного полупроводникового материала выполнена с электрическим контактом только с остри ми электродов, а зазор, заполненный инертным газом или. откачанный до вакуума, образован прокладкой из стеклообразного полупроводникового материала и плоской поверхностью многоострийных электродов.