Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кировский Политехнический ИнститутfiledCriticalКировский Политехнический Институт
Priority to SU4024352/26ApriorityCriticalpatent/SU1360262A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1360262A1publicationCriticalpatent/SU1360262A1/ru
Ячейка для получения гетероструктур на основе многокомпонентного полупроводникового материала, включающая источник вводимого компонента, твердый электролит, содержащий ионы вводимого компонента, подложку из многокомпонентного полупроводникового материала и графитовые токоподводы, отличающаяся тем, что, с целью сокращения продолжительности процесса получения трехслойных гетероструктур, ячейка выполнена сдвоенной и ее компоненты расположены по схеме:C, Me/Me, ТЭ/МеХ, С-С, МеХ/ТЭ, Me/Me, С,где С - графитовые токоподводы;Ме - источник вводимого компонента;Me- компонент, вводимый или выводимый из подложки;ТЭ - твердый электролит;МеХ - многокомпонентный полупроводниковый материал подложки.
SU4024352/26A1986-02-121986-02-12Ячейка для получения гетероструктур на основе многокомпонентного полупроводникового материала
SU1360262A1
(ru)
Structure de type isolant-semi-conducteur dans laquelle le semi-conducteur est un compose iii-v et l'isolant un sulfure, et procedes de fabrication de cette structure